一种可调节的双路轨道充磁装置的制作方法

本发明涉及一种可调节的双路轨道充磁装置。

背景技术：

现有加工永磁铁氧体磁瓦充磁过程存在以下不足：

1，现有充磁轨道为单槽结构，单路充磁效率低；

2，现有轨道和磁头非模块化，只能用在单一流水线上，无法自由灵活调节；

3，现有充磁性能低；

4，现有充磁设备采用低电压对低k值产品充磁的磁性效果不佳；

5，现有充磁设备的线圈绕线结构存在散热问题，易烧毁。

技术实现要素：

本发明主要解决的技术问题是提供一种可调节的双路轨道充磁装置，实现对铁氧体磁瓦的可调双路充磁输出，实现铁氧体干压磁瓦的高效率充磁，通过简单调节兼容不同规格产品，有效保证低k值磁瓦充磁性能。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种可调节的双路轨道充磁装置，包括框架、线圈、硅钢片、充磁轨道以及出料滑轨，所述框架包含空心中筒以及空心中筒两端相互平行的绕线挡板，所述线圈密集盘绕在绕线挡版之间的空心中筒外壁，所述硅钢片的垂直于绕线挡版固定在空心中筒内部，所述硅钢片的上沿从绕线挡版表面向外凸出形成充磁轨道，所述充磁轨道末端对接至出料滑轨。

在本发明一个较佳实施例中，所述硅钢片设置有数片，形成双通道充磁轨道。

在本发明一个较佳实施例中，所述出料滑轨呈全包围管状通道结构，所述绕线挡板上开设有滑槽，所述出料滑轨两端设置有宽度调节螺栓，所述宽度调节螺栓设置在滑槽内。

在本发明一个较佳实施例中，所述出料滑轨的两端设置有弧度调节装置使所述出料滑轨呈S型。

在本发明一个较佳实施例中，所述宽度调节螺栓包含滑槽固定片、定位杆以及定位片，所述滑槽固定片紧固在滑槽内，所述定位杆水平固定在滑槽固定片上，所述定位片通过螺丝穿设并固定在定位杆上。

在本发明一个较佳实施例中，所述弧度调节装置包含弧形变形管、固定螺栓、角度调节槽、支臂以及角度固定螺丝，所述弧形变形管套接在所述充磁轨道上，所述固定螺栓设置于弧形变形管上，所述固定螺栓夹紧充磁轨道，所述角度调节槽设置在弧形变形管侧面，所述支臂一端活动连接充磁轨道，另一端通过角度固定螺丝紧固在角度调节槽内。

本发明的有益效果是：本发明提供的一种可调节的双路轨道充磁装置，实现对铁氧体磁瓦的可调双路充磁输出，实现铁氧体干压磁瓦的高效率充磁，通过简单调节兼容不同规格产品，有效保证低k值磁瓦充磁性能。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图，其中：

图1是本发明一种可调节的双路轨道充磁装置的一较佳实施例的结构图；

图2是本发明一种可调节的双路轨道充磁装置的一较佳实施例的结构图；

图3是本发明一种可调节的双路轨道充磁装置的一较佳实施例的结构图。

具体实施方式

下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

如图1-3所示，本发明实施例包括：

一种可调节的双路轨道充磁装置，包括框架1、线圈2、硅钢片3、充磁轨道4以及出料滑轨5，所述框架1包含空心中筒以及空心中筒两端相互平行的绕线挡板，所述线圈2密集盘绕在绕线挡版之间的空心中筒外壁，所述硅钢片3垂直于绕线挡版固定在空心中筒内部，所述硅钢片3的上沿从绕线挡版表面向外凸出形成充磁轨道4，所述充磁轨道4末端对接至出料滑轨5。

其中，所述硅钢片3设置有数片，形成双通道充磁轨道4。

进一步的，所述绕线挡板上开设有滑槽6，所述出料滑轨5两端设置有宽度调节螺栓7，所述宽度调节螺栓设置在滑槽6内。

进一步的，所述出料滑轨5的两端设置有弧度调节装置8使所述出料滑轨5呈S型。

进一步的，所述弧度调节装置8包含弧形变形管、固定螺栓、角度调节槽、支臂以及角度固定螺丝，所述弧形变形管套接在所述充磁轨道4上，所述固定螺栓设置于弧形变形管上，所述固定螺栓夹紧充磁轨道4，所述角度调节槽设置在弧形变形管侧面，所述支臂一端活动连接充磁轨道4，另一端通过角度固定螺丝紧固在角度调节槽内。

所述出料滑轨5包含与充磁产品向适配的葫芦形侧挡以及设置在两个葫芦形侧挡之间的隔档。

所述宽度调节螺栓包含设置在所述侧挡和隔档之间的宽度调节杆，所述宽度调节杆上设置有弹簧71，所述宽度调节杆两端设置有调节螺帽72。

综上所述，本发明提供了一种可调节的双路轨道充磁装置，实现对铁氧体磁瓦的可调双路充磁输出，实现铁氧体干压磁瓦的高效率充磁，通过简单调节兼容不同规格产品，有效保证低k值磁瓦充磁性能。

以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。