一种全发光面、高亮度倒装COB封装结构的制作方法

本实用新型涉及一种COB封装结构，特别涉及一种全发光面、高亮度倒装COB封装结构，属于LED封装设计技术领域。

背景技术：

现有的COB(chip On board)顾名思义，板上封装。现阶段，通常在基板上固晶利用镀银层、油墨层、铝层等高反光材质提高LED光源的亮度。但是COB光源的亮度低，小面积反光面及发光功能区小，并且受发光材料的影响。参见图1，受限于传统LED封装方面的约束，传统外型封装产品主要存在以下几点缺陷：

1、封装过程中，固晶功能区反光面积小；

2、常规油墨反光率约75％，与金属铝、银等亮面比较约低20-25％；

3、油墨的耐候性差,易变色，使用光衰大；

4、常规COB基板的设计必须考虑芯片与基板的焊接，2焊焊接区域约占总面积 10％，且此区域镀金/沉金，呈红黄色，反光率低。

技术实现要素：

本实用新型针对现有技术存在的不足，提供一种全发光面、高亮度倒装COB封装结构，通过对基板整面做反光设计与倒装芯片技术相结合，提高COB光源亮度及可靠性。

本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下：一种全发光面、高亮度倒装COB 封装结构，包括基板，其中，所述基板上设有固晶区，进一步固晶区上均匀分布有LED 倒装芯片；所述固晶区外围设有反光面，进一步反光面上压合银、锡、镍金属层。

作为优选，所述基板材质为硅基或铝基材料，进一步所述基板设计为圆形、椭圆形、方形、长方形或星形中的一种。

作为优选，所述LED倒装芯片通过凸点倒装连接在基板上部，倒装以熔点为275℃的锡膏作为固化材料。

作为优选，所述金属层与LED倒装芯片底部铜箔共同作为散热面。

作为优选，所述反光面采用镀锡反光面。

如上所述的一种全发光面、高亮度倒装COB封装结构，进一步封装结构中的金线布设绕开LED倒装芯片。

本实用新型有益效果主要表现在：

1.传统COB封装工序，固晶→焊线→围堰→点胶→分光→包装。改设倒装COB 后，固晶→回流焊→围堰→点胶→分光→包装。回流焊的成本及故障率远低于焊线机5 倍以上，极大的提高了生产效率；

2.倒装COB无金线焊接，抗外力挤压，安装无隐患，可靠性提高；

3.倒装以熔点(275℃)的锡膏作为固化材料，可承受2次回流焊接

4.锡膏合金成分Cu/Au/Ag/Sn......导热率>25℃/W，而传统COB固晶硅胶导热率为 1.0℃/W，极大的降低了COB热阻；

5.倒装COB的芯片可以均匀分布于基板上，提高了光源的散热能力，光源无眩光、光斑均匀，亮度一致，成品中心照度高；

6.固晶功能区增大铜箔面积，提高了COB散热能力；

7.采用电镀工艺，在COB光源区域外新增反射面，提高LED亮度约15％；

8.传统COB金线连接电路时，在发光源(芯片)上部交叉，降低了LED的亮度；

本实用新型由于通过对基板的设计结合倒装芯片的应用，极大提高了COB光源的亮度。

附图说明

图1为传统COB封装结构示意图；

图2为全发光面、高亮度倒装COB封装结构固焊示意图；

图3为全发光面、高亮度倒装COB封装后结构示意图。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本实用新型，并非用于限定本实用新型的范围。

如图2、图3所示，本实用新型提供一种全发光面、高亮度倒装COB封装结构，包括基板1，基板1材质为硅基或铝基材料，基板1可设计为圆形、椭圆形、方形、长方形或星形中的一种。本全发光面、高亮度倒装COB封装结构中的金线布设绕开LED倒装芯片3。

基板1上设有固晶区2，进一步固晶区2上均匀分布有LED倒装芯片3，固晶区2 外围设有反光面4，进一步反光面4上压合银、锡、镍金属层。

LED倒装芯片3通过凸点倒装连接在基板1上部，倒装以熔点为275℃的锡膏作为固化材料。金属层5与LED倒装芯片3底部铜箔共同作为散热面，增加金属反光面面积，利用金属层5及铜箔面积提高散热面积。

其中一个实施例中，反光面4采用镀锡反光面。

对比图1，其中黑色区域为COB基板2焊焊接区域，约占总面积10％，且此区域镀金/沉金，呈红黄色，反光率低。而本全发光面、高亮度倒装COB封装结构，通过对基板的设计与倒装芯片的应用，对COB光源的亮度有约15％的提升且提高了光源的散热能力。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。