银纳米线透明导电薄膜的制作方法

技术特征：

1.银纳米线透明导电薄膜，其特征在于，包括基底，基底表面由下至上依次层叠聚酯改性丙烯酸树脂层、TiO₂自洁膜层与银纳米线膜层；所述TiO₂自洁膜层的接触角<5°，所述银纳米线膜层的银线长度为50～200μm。

2.根据权利要求1所述的银纳米线透明导电薄膜，其特征在于，所述聚酯改性丙烯酸树脂层的厚度为50～300nm。

3.根据权利要求1或2所述的银纳米线透明导电薄膜，其特征在于，所述TiO₂自洁膜层的厚度为50～300nm。

4.根据权利要求3所述的银纳米线透明导电薄膜，其特征在于，所述银纳米线膜层的厚度为120～500nm。