本实用新型涉及LED照明术领域，具体涉及一种集成封装的高压LED灯珠。
背景技术：
现有的LED灯珠一般包括支架、LED芯片和填充于支架内部用于配光的荧光粉，LED芯片结构一般只设有1个LED芯片。目前普通的LED灯珠电压一般为3V，功率由芯片尺寸和电流决定，如20mA0.06W、30mA0.1W、60mA0.2W、150mA0.5W、350mA1W、700mA3W，也就是说LED灯珠的功率随着电流的加大而加大，从而大功率LED灯珠呈现出一种低电压高电流的现象。而LED芯片作为一种半导体器件，其发光效率随着电流密度的增大而减小，因此普通的LED灯珠由于功率增大的过程中存在低电压高电流现象，而高电流会使灯具产生热量，并导致发光效率不断下降。低压高电流芯片的能耗高，电能一般50％转化为光能，50％转化为热能，光强度一般，能源利用率低，并不符合节能环保的理念。同时需要设计结构复杂的散热结构或额外配置散热器来降温，形形色色的低效散热方法，导致成本居高不下，使得LED灯具的价格难以下降。
技术实现要素：
针对现有技术存在的上述不足，本实用新型的目的是提供一种高压LED灯珠，其要解决的技术问题是改变低电压高电流的LED照明模式，通过“多芯封装”技术，实现一种高电压低电流的LED照明模式，确保在同样功率的条件下，电流小，电压高，产生的总体功耗、热量要比传统的LED小，比较节能环保。
为实现上述目的，本实用新型采用下述技术方案：一种集成封装的高压LED灯珠，包括陶瓷支架、固晶区域和LED芯片，所述LED芯片的两侧分别设有正极晶片焊点和负极晶片焊点，其特征在于：所述固晶区域内设有多个通过金线相互串联的LED芯片，第一个LED芯片的正极晶片焊点直接焊接到固晶区域左侧的正极焊盘上，所述的正极焊盘与陶瓷支架的正级引脚相连接，最后一个LED芯片的负极晶片焊点直接焊接到固晶区域右侧的负极焊盘上，所述的负极焊盘和陶瓷支架的负级引脚相连接。
与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：
1、实现高电压低电流的LED照明模式。通过采用“多芯封装”技术，将多颗电压为3V的低压LED芯片在灯珠内部进行串联，从而以3V为阶梯，使得高压LED灯珠的电压能够达到18V、36V、108V、216V甚至更高，从根本上改变了低电压高电流的模式，实现了高电压低电流的模式，确保LED灯珠在高功率时依然保持很低的电流密度，从而降低灯具的热量，极大提高了高功率LED灯具的发光效率。
2、增加了LED芯片串联的数量，使灯珠的使用电压提高，更容易跟220V的交流电源相匹配，使驱动电源的效率相应提高。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
图中，1-陶瓷支架，2-正极焊盘，3-负极焊盘，4-固晶区域，5-负极晶片焊点，6-正极晶片焊点，7-LED芯片，8-金线。
具体实施方式
如图1所示，一种集成封装的高压LED灯珠，包括陶瓷支架、固晶区域和LED芯片，所述LED芯片的两侧分别设有正极晶片焊点和负极晶片焊点，所述固晶区域内设有多个通过金线相互串联的LED芯片，第一个LED芯片的正极晶片焊点直接焊接到固晶区域左侧的正极焊盘上，所述的正极焊盘与陶瓷支架的正级引脚相连接，最后一个LED芯片的负极晶片焊点直接焊接到固晶区域右侧的负极焊盘上，所述的负极焊盘和陶瓷支架的负级引脚相连接。
本实用新型“多芯封装”技术原理是将多颗电压为3V的低压LED芯片在固晶区域内进行串联，如串联3颗就是9V,串联6颗就是18V，这样以3V为阶梯，电压可以达到36V甚至更高。如图1是将6颗LED芯片在固晶区域内部进行串联，串联后的电压可以达到18V，这样在同样功率的条件下，电流小，电压高，产生的总体功耗、热量比传统的LED要小。
本实用新型由于将正极焊盘和负极焊盘分别设在固晶区域的左侧和右侧，这样在“多芯封装”时，能够使焊线尽量远离陶瓷支架上的固晶区域，避免焊线较多而挡住发光区，从而更有利于发光。