晶片封装结构的制作方法

本实用新型涉及封装技术领域，特别涉及晶片封装结构。

背景技术：

指纹模组作为手机、平板电脑等电子设备中重要的一个外观元器件，消费者对其结构强度提出越来越高的要求，即需承受一定静压外力和外界物体冲击破坏作用。实际中，会通过球形压头缓慢施加外力在指纹模组上，还有将钢球从一定高度自由落体砸在指纹模组上来考核指纹传感器的强度。

在实现本实用新型过程中，发明人发现现有技术中至少存在如下问题：

现有指纹传感器还很难满足高强度的需求，很容易在静压外力和外界物体冲击作用下发生功能失效，甚至晶片发生破裂现象。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种晶片封装结构，可以提高晶片整体的抗冲击能力，而且无需改变载体的结构，省去开模的费用，且封装结构简单，易于量化生产。

为解决上述技术问题，本实用新型的实施例提供了一种晶片封装结构，包括：晶片、载体、粘结膜以及塑封体；所述粘结膜设置在所述晶片的底面上，所述粘结膜的厚度大于或等于40微米；所述晶片通过所述粘结膜设置在所述载体上；所述塑封体设置在所述载体上，且包覆所述晶片的顶面 及多个侧面。

本实用新型实施例相对于现有技术而言，通过增加粘结膜的厚度可以提高晶片整体的抗冲击能力，即提高晶片的强度。而且无需改变载体的结构，省去开模的费用，且封装结构简单，易于量化生产。

另外，所述粘结膜的厚度小于或等于150微米。由于当粘结膜的厚度过大时，在晶片打线时容易发生晶片倾斜，生产难度加大，使封装良率下降，因此，本实施例中通过限定粘结膜厚度的上限值，既能保证晶片的强度，又可以降低生产难度，提高封装良率。

另外，所述晶片与所述粘结膜的总厚度等于第一预设值。这样可以使得晶片封装结构的总厚度保持不变，从而可以避免晶片封装结构总厚度增大后，可能对该晶片封装结构所应用的电子设备的设计或制造等方面产生的影响。

另外，所述晶片封装结构还包括保护层；所述保护层设置在所述晶片的顶面上，且被所述塑封体包覆在内。通过保护层可以对晶片起到很好的保护作用，更好地抵抗外界冲击损坏，进一步提高整体强度。

另外，所述塑封体中包覆所述保护层的部分与所述保护层的总厚度等于第二预设值。这样可以使保护层和其上方的塑封体的总高度不变，进而使得晶片的性能不受影响，而且，有利于使封装总厚度保持不变。

另外，所述晶片的底面为光滑表面。这样可以有效减少划痕，即减少裂纹源(晶片受到外界压力时，划痕处较容易产生裂纹)，从而提高晶片的强度。

附图说明

一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这 些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。

图1是根据本实用新型第一实施例的晶片封装结构的示意图；

图2是根据本实用新型第三实施例的晶片封装结构的示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型的各实施方式进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本实用新型各实施方式中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施方式的种种变化和修改，也可以实现本申请各权利要求所要求保护的技术方案。

本实用新型的第一实施例涉及一种晶片封装结构，如图1所示：晶片1、载体2、粘结膜3以及塑封体4。

具体地说，本实施例中，粘结膜3设置在晶片1的底面上，粘结膜3的厚度a大于或等于40微米；晶片1通过粘结膜3设置在载体2上；塑封体4设置在载体2上，且包覆晶片1的顶面及多个侧面。

粘结膜3的两个表面均可以具有粘性胶，粘结膜3的一面粘贴在载体2上，另一面粘贴在晶片1的底面上，从而可以将晶片1设置在载体2上。由于在实际应用中，当外界物体冲击晶片1时，晶片1上电路层很容易损坏，甚至整个晶片1出现破裂，本实施例中，粘结膜3可以为软材质，这样在外界物体冲击瞬间，对晶片1起到很好的缓冲作用，而且通过加粘结膜3的厚度a可以提高整体的抗冲击能力，即提高了晶片1的强度。

本实施例相对于现有技术而言，通过增加粘结膜3的厚度a可以提高晶片1整体的抗冲击能力，即提高晶片1的强度。而且无需改变载体2的结 构，省去开模的费用，且封装结构简单，易于量化生产。

本实用新型的第二实施例涉及一种晶片封装结构。第二实施例在第一实施例的基础上作了改进，改进之处在于：在本实施例中，提供了粘结膜3和载体2的一种优选的实现方式，参考图1。

具体地说，本实施例中的粘结膜3的厚度a大于或等于40微米，这样，增大了粘结膜3的厚度a可以提高晶片1的强度。然而，当粘结膜3的厚度a过大时，在晶片1打线时容易发生晶片1倾斜，生产难度加大，使封装良率下降，优选的，粘结膜3的厚度a小于或等于150微米，即将粘结膜3的厚度a控制40微米～150微米范围内，这样，既能保证晶片1的强度，又可以降低生产难度，提高封装良率。

优选的，晶片1与粘结膜3的总厚度等于第一预设值(如图1中粘结膜3的厚度为a，晶片1的厚度为b，a与b的和等于第一预设值)，本实施例中的第一预设值可以根据实际需要而定，比如说：可以为现有技术中晶片与粘结膜的高度，也就是说，当粘结膜3厚度a较大时，可以相应减小晶片1的厚度b，这样可以使得晶片封装结构的总厚度保持不变，从而可以避免晶片封装结构总厚度增大后，可能对该晶片封装结构所应用的电子设备的设计或制造等方面产生的影响。

其中，本实施例中的载体2可以为基板，当然，载体2也可以为引线框架，本实施例中不做限定。

本实施例提供了粘结膜3和载体2的一种优选的实现方式，通过限定粘结膜3厚度的上限值，既能保证晶片1的强度，又可以降低生产难度，提高封装良率。而且晶片封装结构的总厚度保持不变，从而可以避免晶片封装结构总厚度增大后，可能对该晶片封装结构所应用的电子设备的设计或制造等方面产生的影响。

本实用新型的第三实施例涉及一种晶片封装结构。第三实施例在第一 实施例的基础上作了改进，改进之处在于：在本实施例中，晶片1封装结构还包括保护层5，如图2所示：

具体地说，本实施例中的保护层5可以设置在晶片1的顶面上，且被塑封体4包覆在内，优选的，保护层5可以为聚酰亚胺材料，这样可以对晶片1起到很好的保护作用，更好地抵抗外界冲击损坏，以提高整体强度。

塑封体4中包覆保护层5的部分与保护层5的总厚度等于第二预设值(如图2中保护层5的厚度为c，塑封体4中包覆保护层5的部分的厚度为d的，c与d的和为第二预设值)，具体地说，第二预设值可以根据实际需要而定，比如说：可以为现有技术的晶片封装结构中塑封体对应于晶片顶面的部分的高度。在本实施例中，保护层5的厚度c可以大于或等于1微米且小于或等于20微米，当保护层5的厚度c较大时，可以适当减少保护层5上方的塑封体4的厚度d，以使得保护层5和其上方的塑封体4的厚度总和等于第二预设值，即可以保持保护层5和其上方的塑封体4的厚度总和不变，使得晶片1的性能不受影响。

本实施例中通过保护层5可以对晶片1起到很好的保护作用，更好地抵抗外界冲击损坏，提高整体强度，通过限定塑封体4中包覆保护层5的部分与保护层5的总厚度，这样可以使保护层5和其上方的塑封体4的总高度不变，进而使得晶片的性能不受影响，而且，也有利于使封装总厚度保持不变。

本实用新型的第四实施例涉及一种晶片封装结构。第四实施例在第一实施例的基础上作了改进，改进之处在于：在本实施例中，晶片1的底面为光滑表面，参考图1：

具体地说，由于在晶片1封装工艺中，会将晶片1研磨到指定的厚度，这样会在晶片1底部留下很多划痕，这些划痕往往是晶片1破裂的起源，当晶片1受到外界静压力时，晶片1就很容易出现破裂，所以可以在晶片1底 部进行抛光使用晶片1的底面为光滑表面，可以有效减少划痕，即减少裂纹源，从而提高晶片1强度。

本实施例可以有效减少划痕，即减少裂纹源(晶片受到外界压力时，划痕处较容易产生裂纹)，从而提高晶片1的强度。

本实用新型的第五实施例涉及一种晶片封装结构。第五实施例在第一实施例的基础上作了改进，改进之处在于：在本实施例中，基板和粘结膜3可以选用高模量材料，参考图1：

具体地说，在本实施例中，基板的模量可以大于20GPa，粘结膜3的模量可以大于4MPa，这样，在一定应力作用下，基板和粘结膜3发生弹性的变形将大大减小，即可以提高基板和粘结膜3的刚度。

本实施例中提供了基板和粘结膜3的一种优选的实现方式，可以提高基板和粘结膜3的刚度。

本领域技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分步骤是可以通过程序来指令相关的硬件来完成，该程序存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一个设备(可以是单片机，芯片等)或处理器(processor)执行本申请各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施例是实现本实用新型的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本实用新型的精神和范围。