1.一种有机发光二极管显示器件，包括阵列基板、有机发光二极管、薄膜封装结构、触控面板、偏光板、玻璃基板及光学提高层，所述有机发光二极管设置在所述阵列基板上、所述薄膜封装结构设置在所述有机发光二极管上、所述触控面板设置在所述薄膜封装结构上、所述偏光板设置在所述触控面板上及所述玻璃基板设置在所述偏光板上，其特征在于：
所述光学提高层设置在上述任意两层之间或是设置在上述任意单层上。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器件，其特征在于，所述光学提高层还包括光学调整层及光学吸收层，且所述光学调整层与所述光学吸收层呈交错设置。
3.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器件，其特征在于，所述光学提高层为光学调整层或是光学吸收层。
4.一种有机发光二极管显示器件，包括阵列基板、有机发光二极管、薄膜封装结构、触控面板、偏光板、玻璃基板及光学提高层，所述有机发光二极管设置在所述阵列基板上、所述薄膜封装结构设置在所述有机发光二极管上、所述触控面板设置在所述薄膜封装结构上、所述偏光板设置在所述触控面板上及所述玻璃基板设置在所述偏光板上，其特征在于：
所述光学提高层包括光学调整层及光学吸收层，所述光学调整层及所述光学吸收层分别设置在上述任意两层之间。
5.如权利要求1、2、3或4所述的有机发光二极管显示器件，其特征在于，所述光学提高层的厚度为0.1nm-10mm。
6.如权利要求2、3或4所述的有机发光二极管显示器件，其特征在于，所述光学吸收层设置在所述有机发光二极管显示器件的发光区域周围。
7.如权利要求2、3或4所述的有机发光二极管显示器件，其特征在于，所述光学调整层设置在所述有机发光二极管显示器件的发光单元区域。
8.如权利要求2、3或4所述的有机发光二极管显示器件，其特征在于，所述光学吸收层可以是金属、金属氧化物或是树脂。
9.如权利要求2、3或4所述的有机发光二极管显示器件，其特征在于，所述光学调整层可以是环氧树脂、丙烯酸树脂、聚乙烯醇或是酸亚酰胺。
10.如权利要求2、3或4所述的有机发光二极管显示器件，其特征在于，所述光学调整层还包括染料，所述染料为偶氮结构、蒽醌结构、靛系化合物、硫化物、酞箐结构、多甲川化合物、芳甲烷化合物、硝基化合物、亚硝基化合物或是染环化合物。