1.一种存储器，其特征在于，包括：
一衬底，在所述衬底中形成有多个有源区，每一所述有源区中形成有一位线接触区和多个节点接触区，所述节点接触区分布在所述位线接触区的两侧；
多条字线导体，形成在所述衬底中并沿着第一方向延伸，用以隔离所述位线接触区和所述节点接触区；
多条第一隔离线，形成在所述衬底上并对准地覆盖所述字线导体，用于构成一第一隔离屏障，且所述第一隔离屏障的表面高于所述衬底的表面；
多条位线导体，形成在所述衬底上并沿着第二方向延伸，所述位线导体与相应的有源区相交，以使相应的所述有源区中的所述位线接触区连接至所述位线导体上；
多条第二隔离线，形成在所述衬底上并对准地覆盖所述位线导体，所述位线导体和所述第二隔离线共同用于构成一第二隔离屏障，所述第一隔离屏障和所述第二隔离屏障在所述衬底的表面上相交以共同界定出多个节点接触窗，每一所述节点接触区对应一个所述节点接触窗，并且利用所述第二隔离线相对于所述第一隔离线在所述衬底上的厚度差值使所述第二隔离屏障的顶表面高于所述第一隔离屏障的顶表面；以及，
多个节点接触，填充在所述节点接触窗中，并利用所述第一隔离屏障相对于所述第二隔离屏障较低的顶表面高度差，使所述节点接触延伸覆盖至所述第一隔离屏障的上方且不延伸覆盖至所述第二隔离屏障的上方。
2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，还包括：
一位线接触，形成在所述衬底上的所述位线接触区上，所述位线接触区通过所述位线接触连接至所述位线导体。
3.如权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述第二隔离屏障在所述衬底上的投影完全覆盖所述位线接触区和所述位线接触，并且在所述第一方向上，所述位线接触区和所述位线接触的最大宽度尺寸均小于所述第二隔离屏障的最大宽度尺寸。
4.如权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括一支撑隔离层，形成在所述衬底上且位于所述位线接触的外围；所述第二隔离屏障包括靠近所述位线接触的底部隔离部和远离所述位线接触的顶部隔离部，并且所述第二隔离屏障的所述顶部隔离部的宽度尺寸大于所述位线接触和所述位线接触区的最大宽度尺寸；
在所述第一方向上，当所述第二隔离屏障的所述底部隔离部的宽度尺寸小于所述第二隔离屏障的所述顶部隔离部的宽度尺寸时，所述支撑隔离层对齐设置在所述第二隔离屏障的所述顶部隔离部的下方，并从对应所述第二隔离屏障的所述底部隔离部的位置延伸至所述衬底的表面上；以及，
在所述第一方向上，当所述第二隔离屏障的所述底部隔离部的宽度尺寸等于所述第二隔离屏障的所述顶部隔离部的宽度尺寸时，所述支撑隔离层对齐设置在所述第二隔离屏障的所述底部隔离部的下方。
5.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，还包括：
一间隔绝缘层，覆盖所述位线导体的侧壁，且所述间隔绝缘层、所述位线导体和所述第二隔离线共同构成所述第二隔离屏障。
6.如权利要求1～5任意一项所述的存储器，其特征在于，在所述第二方向上相邻的所述节点接触之间通过一暴露有所述第一隔离屏障的分隔开口相互分隔，并且所述分隔开口具有非对应于所述第一隔离屏障且与所述节点接触窗局部重叠的凹入部分，以使所述节点接触的顶表面沿着所述第二方向延伸偏移至所述第一隔离屏障的上方。
7.如权利要求6所述的存储器，其特征在于，所述分隔开口呈波形结构延伸并局部重迭在所述第一隔离屏障上，并且所述分隔开口的波形结构在每一所述第二隔离屏障两侧的部位均分别对应朝向所述第二方向的波峰和背离所述第二方向的波谷，以使位于每一所述第二隔离屏障两侧的所述节点接触的顶表面分别沿着所述第二方向往相反方向延伸偏移至所述第一隔离屏障的上方。
8.如权利要求7所述的存储器，其特征在于，所述第二隔离屏障的排布为直线形状的平行排列，所述第二隔离屏障的宽度大于所述分隔开口的宽度。
9.一种半导体器件，其特征在于，包括：
一衬底，在所述衬底中形成有多个第一接触区；
多条第一隔离屏障，由多条形成在所述衬底上的第一隔离线构成，并延伸第一方向延伸；
多条第二隔离屏障，形成在所述衬底上并沿着第二方向延伸，所述第一隔离屏障和所述第二隔离屏障在所述衬底的表面上相交以共同界定出多个接触窗，每一所述第一接触区对应一个所述接触窗，并且所述第二隔离屏障包含一第二隔离线，以利用所述第二隔离线相对于所述第一隔离线在所述衬底上的厚度差值使所述第二隔离屏障的顶表面高于所述第一隔离屏障的顶表面；以及，
多个导电接触，填充在所述接触窗中且与所述第一接触区电性连接，并利用所述第一隔离屏障相对于所述第二隔离屏障较低的顶表面高度差，使所述导电接触延伸覆盖至所述第一隔离屏障的上方且不延伸覆盖至所述第二隔离屏障的上方。
10.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述衬底上还形成有多个第二接触区，所述第二隔离屏障包括一导体层，所述第二隔离线覆盖所述导体层，并且在所述第二方向上，多个所述第二接触区连接至相应的所述第二隔离屏障的所述导体层上。
11.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述第二隔离屏障在所述衬底上的投影完全覆盖所述第二接触区，并且在所述第一方向上，所述第二接触区的最大宽度尺寸小于所述第二隔离屏障的最大宽度尺寸。
12.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述第二隔离屏障包括靠近所述第二接触区的底部隔离部和远离所述第二接触区的顶部隔离部，并且所述第二隔离屏障的所述顶部隔离部的宽度尺寸大于所述第二接触区的最大宽度尺寸；在所述第一方向上，当所述第二隔离屏障的所述底部隔离部的宽度尺寸小于所述第二隔离屏障的所述顶部隔离部的宽度尺寸时，在所述第二隔离屏障的所述顶部隔离部的下方还对齐设置有一支撑隔离层，所述支撑隔离层对应所述第二隔离屏障的所述底部隔离部的位置延伸至所述衬底的表面上。