技术总结
本实用新型提供了一种存储器及半导体器件。通过增厚层以增加第二隔离屏障的形成基底的厚度，以使形成在形成基底中的第二隔离屏障的顶表面高于第一隔离屏障的顶表面。如此，不仅可利用相交的第一隔离屏障和第二隔离屏障界定出节点接触窗，从而摒除了光刻工艺所带来的位移偏差的问题；并且，利用第一隔离屏障较低的顶表面，可实现节点接触的顶部延伸，以调整所形成的多个节点接触在其与电容器的连接面上的排布方式，从而可进一步优化电容器排布的密集程度。
技术研发人员：不公告发明人
受保护的技术使用者：睿力集成电路有限公司
文档号码：201721327823
技术研发日：2017.10.16
技术公布日：2018.04.20