技术总结
本实用新型提供一种电容器阵列结构，电容器阵列结构设置于半导体衬底上，电容器阵列结构包括下电极层、粘附层、电容介质层及上电极，下电极层位于半导体衬底上；粘附层覆盖于下电极层的内表面及外表面，用于提高下电极层与电容介质层之间的粘附力，以防止下电极层与电容介质层相剥离；电容介质层覆盖于粘附层的内表面及外表面；上电极层覆盖于电容介质层的外表面。本实用新型的电容器阵列结构通过在下电极层与电容介质层之间设置粘附层，可以改善电容介质层与下电极层之间的黏着性，从而有效避免电容介质层从下电极层表面剥离，提高电容介质层的可靠性，避免漏电流的异常增加。
技术研发人员：不公告发明人
受保护的技术使用者：睿力集成电路有限公司
技术研发日：2017.12.06
技术公布日：2018.06.19