技术特征：
技术总结
提供了用于在等离子体腔室的串接处理区域中处理基板的方法和设备。在一个示例中，设备被体现为等离子体腔室，等离子体腔室包括具有第一腔室侧部和第二腔室侧部的腔室主体，第一腔室侧部具有第一处理区域，第二腔室侧部具有第二处理区域。腔室主体具有前壁和底壁。第一腔室侧部端口、第二腔室侧部端口和真空端口穿过底壁设置。真空端口是处理区域中的每一者的排气路径的至少一部分。真空壳体从前壁延伸，并且限定真空端口的第二部分。基板支撑件设置在处理区域中的每一者中，并且杆耦接到每个基板支撑件。每个杆延伸穿过腔室侧部端口。
技术研发人员：A·阮;Y·萨罗德维舍瓦纳斯;X·Y·常
受保护的技术使用者：应用材料公司
技术研发日：2018.03.08
技术公布日：2018.09.25