技术特征：
技术总结
本发明实施例提供了一种半导体结构及其形成方法，方法包括形成基底，所述基底包括衬底，以及位于所述衬底上的介质层，所述介质层中形成有开口，所述开口侧壁上形成有侧墙；去除部分侧墙，使剩余侧墙的顶部低于所述开口的顶部，形成停止层；在所述开口中形成覆盖所述停止层的栅极材料层；去除位于所述停止层上方的栅极材料层，形成栅极结构，所述栅极结构与所述停止层和介质层围成凹槽；在所述凹槽中形成保护层。通过所述保护层，可以避免接触孔插塞与栅极结构发生短路，使半导体器件的电学性能得到提高。
技术研发人员：纪世良;张城龙
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2018.03.09
技术公布日：2019.09.17