1.一种半导体器件制造方法，包括：
形成第一材料层，所述第一材料层包含多个氢键；
在所述第一材料层上形成第二材料层，
其中，在形成所述第一材料层之后、并且在形成所述第二材料层之前进一步包括，执行退火以减少所述多个氢键。
2.如权利要求1所述的半导体器件制造方法，其中，所述第一材料层为绝缘介质，材质为TEOS、掺碳氧化硅、掺硼氧化硅、掺磷氧化硅、掺氟氧化硅、或低k材料。
3.如权利要求1所述的半导体器件制造方法，其中，所述第二材料层的致密度大于所述第一材料层，并且所述第二材料层为硬掩模层、阻挡层或导电层。
4.如权利要求1所述的半导体器件制造方法，其中，所述第二材料层为单层或多层结构。
5.如权利要求1所述的半导体器件制造方法，其中，退火温度为600至900摄氏度，退火时间为10分钟至2小时。
6.如权利要求1所述的半导体器件制造方法，其中，形成所述第一材料层之后、执行退火之前进一步包括，在所述第一材料层上形成牺牲层，所述牺牲层的致密度小于所述第一材料层。
7.如权利要求6所述的半导体器件制造方法，其中，所述牺牲层材质为多孔低k材料。
8.如权利要求6所述的半导体器件制造方法，其中，执行退火之后、形成所述第二材料层之前进一步包括去除所述牺牲层。
9.如权利要求1所述的半导体器件制造方法，其中，所述退火的气氛包含稀有气体或氮气。
10.如权利要求9所述的半导体器件制造方法，其中，所述退火的气氛进一步包括含有氘或氚的气体。