技术总结
公开了一种半导体器件。该半导体器件包括第一字线、第一位线，模制膜和第一存储单元。第一位线与第一字线的方向交叉并且与第一字线隔开。模制膜填充第一字线与第一位线之间的空间。第一存储单元在模制膜中并且在第一字线与第一位线之间。第一存储单元包括在第一字线上的第一下电极、在第一下电极上的第一相变膜、在第一相变膜上的第一中间电极、在第一中间电极上的第一双向阈值开关(OTS)以及在第一OTS和第一位线之间的第一上电极。第一下电极的电阻率在约1至约30mΩ·cm的范围内。
技术研发人员：朴日穆
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2018.03.30
技术公布日：2018.10.23