一种半导体激光器合束装置的制作方法

文档序号:15465299发布日期:2018-09-18 19:11阅读:来源:国知局
技术总结
本发明公开了一种半导体激光器合束装置,所述半导体激光器合束装置通过激光模式选择装置使边缘的光没有被反馈回去,只有部分低阶的主要的激光模式被反馈,并且通过滤波器再一次进行模式选择,使慢轴光束两侧的边缘光都被过滤掉,只允许部分低阶的激光模式通过,入射至输出耦合镜上实现激光整体的谐振、相位锁定和输出。该合束装置实现了超越单管衍射极限的光束质量。

技术研发人员:佟存柱;孙方圆;舒世立;汪丽杰;田思聪;侯冠宇;赵宇飞;王立军
受保护的技术使用者:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
技术研发日:2018.04.26
技术公布日:2018.09.18

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