技术特征：
技术总结
本发明提供一种半导体器件及其制作方法，其中，制作方法包括：提供基板，首次先后植入锗离子和N型掺杂离子于P型阱层的表层并沿基板的厚度方向延伸，形成N型轻掺杂层；刻蚀形成栅极沟槽；在栅极沟槽的表面形成栅极绝缘氧化层；沉积金属于栅极沟槽形成栅极金属层，并掺杂P型掺杂离子形成N型可调变轻掺杂区，沉积介电隔离层覆盖基板的上表面，并刻蚀介电隔离层以露出漏极区域的表面；再次先后植入锗离子和N型掺杂离子于漏极区域，并沿P型硅衬底部的厚度方向延伸至P型阱层的表层中，以使漏极区域的深度大于源极区域的深度；以及制作字线金属层。实施本发明，能够在提高晶体管的导通电流的同时不增加读取字位讯号的误判率。
技术研发人员：蔡宗叡
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2018.05.30
技术公布日：2018.11.02