技术特征：
技术总结
本发明公开了一种四元共蒸AIGS薄膜，包括玻璃基底、沉积在玻璃基底上的金属Mo背电极以及共蒸在Mo背电极上的吸收层；所述吸收层为一步法四元共蒸Ag、In、Ga、Se形成的AIGS薄膜层。本发明还公开了四元共蒸AIGS薄膜的制备方法以及AIGS薄膜太阳能电池。采用一步法，通过控制蒸发源材料蒸气压对薄膜的生长过程进行精确的控制，提高效率和薄膜的均匀性。
技术研发人员：张险峰
受保护的技术使用者：电子科技大学中山学院
技术研发日：2018.06.14
技术公布日：2018.11.16