1.一种隧穿场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有沟道区，所述沟道区表面具有栅极结构，分别在栅极结构两侧的半导体衬底内形成第一硅化物层和第二硅化物层，第一硅化物层和第二硅化物层到栅极结构侧壁的距离大于零；
在第一硅化物层和栅极结构之间形成第一掺杂区，所述第一掺杂区具有第一离子；
在第二硅化物层和栅极结构之间形成第二掺杂区，所述第二掺杂区具有第二离子，所述第一离子和第二离子导电类型相反。
2.根据权利要求1所述的隧穿场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一硅化物层和第二硅化物层的材料包括：金属层或金属硅化物层。
3.根据权利要求1所述的隧穿场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一硅化物层和第二硅化物层的形成方法包括：在栅极结构两侧的半导体衬底内分别形成第一凹槽和第二凹槽；在所述第一凹槽内形成所述第一硅化物层；在所述第二凹槽内形成所述第二硅化物层。
4.根据权利要求3所述的隧穿场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一硅化物层和第二硅化物层的形成方法包括：在栅极结构两侧的半导体衬底内分别形成第一凹槽和第二凹槽；在所述第一凹槽内和第二凹槽内形成金属层；对所述金属层、第一凹槽底部的半导体衬底和第二凹槽底部的半导体衬底进行退火处理，在所述第一凹槽内形成所述第一硅化物层；在所述第二凹槽内形成所述第二硅化物层。
5.根据权利要求1所述的隧穿场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一硅化物层底部的半导体衬底内具有第三掺杂区，所述第二硅化物层底部的半导体衬底内具有第四掺杂区；所述第一硅化物层和第二硅化物层的形成方法包括：在栅极结构两侧的半导体衬底内分别形成初始第三掺杂区和初始第四掺杂区，所述初始第三掺杂区和初始第四掺杂区掺杂类型相同；对所述初始第三掺杂区和初始第四掺杂区进行金属硅化处理，形成第三掺杂区和位于第三掺杂区表面的第一硅化物层，形成第四掺杂区和位于第四掺杂区表面的第二硅化物层。
6.根据权利要求1所述的隧穿场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一硅化物层和第二硅化物层的形成方法还包括：在栅极结构两侧的半导体衬底内分别形成初始第三掺杂区和初始第四掺杂区，所述初始第三掺杂区和初始第四掺杂区掺杂类型相同；对所述初始第三掺杂区和初始第四掺杂区进行金属硅化处理，使得所述初始第三掺杂区形成为第一硅化物层，使得所述初始第四掺杂区形成为第二硅化物层。
7.根据权利要求3、5或6所述的隧穿场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一硅化物层底部表面低于第一掺杂区底部表面，或者所述第一硅化物层底部表面与第一掺杂区底部表面齐平。
8.根据权利要求3、5或6所述的隧穿场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述第二硅化物层底部表面低于第二掺杂区底部表面，或者所述第二硅化物层底部表面与第二掺杂区底部表面齐平。
9.根据权利要求1所述的隧穿场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一掺杂区和第二掺杂区的形成方法包括：在栅极结构两侧形成侧墙；形成侧墙后，在栅极结构和侧墙两侧的半导体衬底内形成第一硅化物层和第二硅化物层；形成第一硅化物层和第二硅化物层后，去除侧墙；在去除所述侧墙之后，对所述栅极结构一侧的半导体衬底进行第一离子注入，形成所述第一掺杂区；形成第一掺杂区后，对所述栅极结构另一侧的半导体衬底进行第二离子注入，形成所述第二掺杂区。
10.根据权利要求9所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述侧墙的厚度为10nm～16nm。
11.根据权利要求1所述的隧穿场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一掺杂区还具有第三掺杂离子，当所述第一离子的导电类型为p型时，所述第三掺杂离子为锗离子、锡离子，锑离子或者碳离子；当所述第一离子的导电类型为n型时，所述第三掺杂离子为碳离子、氮离子或锗离子。
12.根据权利要求1所述的隧穿场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述第二掺杂区还具有第四掺杂离子；所述第二离子的导电类型为n型时，所述第四掺杂离子为碳离子、氮离子或锗离子；当所述第二离子的导电类型为p型时，所述第四掺杂离子包括：锗离子、锡离子，锑离子或者碳离子。
13.根据权利要求11所述的隧穿场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一掺杂区的形成工艺为第一离子注入工艺，所述第一离子注入工艺的参数包括：所述注入离子包括硼离子和锗离子或者bf2-离子和锗离子，硼离子能量范围为0.5kev～2kev，锗离子能量范围为10kev～50kev，剂量范围为3e14atom/cm2～6e14atom/cm2；或者bf2-离子能量范围为0.5kev～2kev，锗离子能量范围为10kev～50kev。
14.根据权利要求12所述的隧穿场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述第二掺杂区的形成工艺为第二离子注入工艺，所述第二离子注入工艺的参数包括：所述注入离子包括磷离子和碳离子，磷离子能量范围为2kev～10kev，碳离子能量范围为3kev～15kev，剂量范围为3e14atom/cm2～6e14atom/cm2。
15.根据权利要求1所述的隧穿场效应晶体管的形成方法，其特征在于，还包括：形成第一掺杂区和第二掺杂区后，在所述半导体衬底上形成介质层，所述介质层覆盖伪栅极结构侧壁；去除伪栅极结构，在所述介质层内形成栅开口；在所述栅开口内形成栅极结构。
16.根据权利要求15所述的隧穿场效应晶体管的形成方法，其特征在于，形成第一掺杂区和第二掺杂区后，形成介质层前，还包括：在所述伪栅极结构两侧形成保护侧墙，所述保护侧墙覆盖第一掺杂区和第二掺杂区顶部表面，所述保护侧墙覆盖伪栅极结构侧壁，所述介质层覆盖保护侧墙侧壁。
17.根据权利要求16所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述保护侧墙的厚度为7nm～12nm。
18.根据权利要求16所述的隧穿场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述保护侧墙的材料包括：氢原子百分比为0.1％～1％的氮化硅。
19.根据权利要求14所述的隧穿场效应晶体管的形成方法，其特征在于，形成栅开口后，形成栅极结构前，还包括对所述栅开口暴露出的半导体衬底进行第三离子注入，所述注入离子为第五掺杂离子。
20.一种隧穿场效应晶体管，其特征在于，包括：
半导体衬底，所述半导体衬底内具有沟道区，所述沟道区表面具有栅极结构；
位于栅极结构两侧的半导体衬底内的第一硅化物层和第二硅化物层，第一硅化物层和第二硅化物层到栅极结构侧壁的距离大于零，；
位于第一硅化物层和栅极结构之间形成第一掺杂区，所述第一掺杂区具有第一离子；
位于第二硅化物层和栅极结构之间形成第二掺杂区，所述第二掺杂区具有第二离子，所述第一离子和第二离子导电类型相反。