技术总结
一种隧穿场效应晶体管及其形成方法，方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有沟道区，所述沟道区表面具有栅极结构，分别在栅极结构两侧的半导体衬底内形成第一硅化物层和第二硅化物层，第一硅化物层和第二硅化物层到栅极结构侧壁的距离大于零；在第一硅化物层和栅极结构之间形成第一掺杂区，所述第一掺杂区具有第一离子；在第二硅化物层和栅极结构之间形成第二掺杂区，所述第二掺杂区具有第二离子，所述第一离子和第二离子导电类型相反。所述方法提高了隧穿场效应晶体管的性能。
技术研发人员：赵猛
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2018.07.13
技术公布日：2020.01.21