技术特征：
技术总结
一种肖特基二极管，属于半导体功率技术领域。本发明包括自下而上依次设置的金属化阴极、N+半导体衬底、N型半导体纳米线阵列、肖特基金属和金属化阳极，N型半导体纳米线空隙之间填充有复合绝缘介质层。由于不同介电常数的绝缘介质层形成的复合界面能够引入电场峰值，并且靠近金属化阳极一侧的绝缘介质层的介电常数较高，故而能够有效降低肖特基结处表面电场，使得半导体纳米线内部的电场分布更加均匀。由此提高器件的击穿电压并可适当增大半导体纳米线的掺杂浓度以降低导通电阻、减小导通损耗，从而改善肖特基二极管的击穿电压和正向导通压降的矛盾关系。
技术研发人员：任敏;何文静;杨梦琦;李泽宏;高巍;张金平;张波
受保护的技术使用者：电子科技大学
技术研发日：2018.08.08
技术公布日：2018.11.13