技术特征：
技术总结
本发明涉及一种基于金刚石/SiC异质结构的光电NPN晶体管及其制备方法，所述制备方法包括：在SiC衬底的上表面生长同质外延材料，形成集电区；在所述集电区的上表面生长异质外延材料并刻蚀，形成基区；在所述基区的上表面生长金刚石材料并刻蚀，形成发射区；在所述集电区的上表面生长第一金属材料，形成集电极；在所述发射区的上表面生长第二金属材料，形成发射极。本发明的光电NPN晶体管采用金刚石和SiC这两种禁带宽度不同的材料形成异质结，使得光电NPN晶体管的光电增益大幅提高，能够提高对热盲区的深紫外光的探测灵敏度，从而提高光电NPN晶体管的器件性能及器件可靠性。
技术研发人员：王悦湖;张菊;王雨田;宋庆文;汤晓燕;张玉明;张艺蒙
受保护的技术使用者：西安电子科技大学
技术研发日：2018.08.10
技术公布日：2019.01.18