显示基板和显示装置的制作方法

本公开至少一示例涉及一种显示基板和显示装置。

背景技术：

有机发光二极管(organiclight-emittingdiode，oled)器件相对于液晶显示器(liquidcrystaldisplay，lcd)具有自发光、反应快、视角广、亮度高、色彩艳、轻薄等优点，被认为是下一代显示技术。

随着显示技术的不断发展，oled的分辨率越来越高。

技术实现要素：

本公开的至少一示例涉及一种显示基板和显示装置，以改善串扰问题。

本公开的至少一示例提供一种显示基板，包括：

衬底基板，

第一电极，位于所述衬底基板上；

第二电极，位于所述衬底基板上，所述第二电极在所述衬底基板上的正投影与所述第一电极在所述衬底基板上的正投影相邻，以及

导电层，包括位于所述第一电极和所述第二电极的相对的侧面之间的阻挡部，所述导电层接地；所述第一电极、所述第二电极和所述导电层三者彼此绝缘。

一个或多个示例中，所述导电层在所述衬底基板上的正投影与所述第一电极和所述第二电极在所述衬底基板上的正投影不重叠。

一个或多个示例中，所述导电层在所述衬底基板上的正投影围绕所述第一电极和所述第二电极在所述衬底基板上的正投影。

一个或多个示例中，所述导电层包括相邻的第一镂空部和第二镂空部，所述第一电极在所述衬底基板上的正投影位于所述第一镂空部在所述衬底基板上的正投影内，所述第二电极在所述衬底基板上的正投影位于所述第二镂空部在所述衬底基板上的正投影内。

一个或多个示例中，显示基板还包括绝缘材料层，所述第一电极和所述第二电极的相对的侧面之间被所述绝缘材料层填充，且所述阻挡部贯穿所述绝缘材料层，所述绝缘材料层与所述第一电极和所述第二电极的相对的侧面接触。

一个或多个示例中，所述导电层还包括位于所述绝缘材料层的远离所述衬底基板的一侧的与所述阻挡部交叉的交叉部。

一个或多个示例中，显示基板还包括层间绝缘层，所述层间绝缘层位于所述第一电极的靠近所述衬底基板的一侧，所述第一电极包括位于所述层间绝缘层的远离所述衬底基板的一侧的第一主体部和贯穿所述层间绝缘层的第一连接部；

所述层间绝缘层位于所述第二电极的靠近所述衬底基板的一侧，所述第二电极包括位于所述层间绝缘层的远离所述衬底基板的一侧的第二主体部和贯穿所述层间绝缘层的第二连接部。

一个或多个示例中，所述第一主体部在垂直于所述衬底基板的方向上的尺寸小于所述导电层在垂直于所述衬底基板的方向上的尺寸；

所述第二主体部在垂直于所述衬底基板的方向上的尺寸小于所述导电层在垂直于所述衬底基板的方向上的尺寸。

一个或多个示例中，所述绝缘材料层在垂直于所述衬底基板的方向上的尺寸大于所述第一主体部和所述第二主体部至少之一在垂直于所述衬底基板的方向上的尺寸。

一个或多个示例中，显示基板还包括位于所述衬底基板和所述层间绝缘层之间的源漏极层，所述源漏极层包括与所述第一连接部电连接的第一漏极，与所述第二连接部电连接的第二漏极以及与所述导电层电连接的导线，所述阻挡部还贯穿所述层间绝缘层并与所述导线电连接，所述导电层通过所述导线接地。

一个或多个示例中，所述导电层的材质包括遮光材料。

本公开的至少一示例还提供一种显示装置，包括上述任一显示基板。

附图说明

为了更清楚地说明本公开示例的技术方案，下面将对示例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些示例，而非对本公开的限制。

图1为一种显示装置中的像素电极的俯视示意图；

图2为一种显示装置中的相邻像素之间的寄生电容的示意图；

图3为一种显示装置中的寄生电容使得相邻像素被耦合发光的示意图；

图4为本公开的一个或多个示例提供的一种显示基板的俯视图；

图5为本公开的一个或多个示例提供的一种显示基板的截面图；

图6为本公开的一个或多个示例提供的显示基板的相邻像素之间的耦合电压的示意图；

图7a-7c为本公开的一个或多个示例提供的一种显示基板的截面图；

图8a为本公开的一个或多个示例提供的显示基板的导电层的俯视示意图；

图8b为本公开的一个或多个示例提供的显示基板的导电层的俯视示意图；

图9为本公开一个或多个示例提供的显示基板中的电极层的俯视示意图；

图10为本公开另一示例提供的显示基板中的导电层的俯视示意图。

具体实施方式

为使本公开示例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开示例的附图，对本公开示例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的示例是本公开的一部分示例，而不是全部的示例。基于所描述的本公开的示例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他示例，都属于本公开保护的范围。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

随着oled的分辨率越来越高，相邻像素之间易产生寄生电容，进而产生串扰问题。

例如，在硅基微型(micro)oled显示装置中，可采用超高像素密度(pixelsperinch，ppi)设计，例如，ppi可大于或等于3000。在超高ppi显示装置中，会因相邻两像素电极之间的距离过近，产生电容耦合效应而引起串扰问题。例如，像素电极可为oled的阳极，但不限于此。

图1为一种显示装置中的像素电极的俯视示意图。图1示出了彼此绝缘的多个像素电极101，每个像素电极101被分别施加信号以控制其对应的像素的打开(点亮)与关闭(不被点亮)。例如，相邻像素电极101之间的间距d可小于1μm。例如，相邻像素电极101之间的间距为0.85μm。每个像素电极101可对应一个像素。若当像素p01打开时，像素p02应当完全关闭，然而，当像素p01和像素p02之间的距离较小时，相邻像素电极101之间产生寄生电容，像素p02受寄生电容影响被耦合发光，形成串扰问题。

图2为一种显示装置中的相邻像素之间的寄生电容的示意图。请结合图1和图2，像素p01包括发光单元leu01，像素p02包括发光单元leu02。发光单元leu02的像素电极和发光单元leu01的像素电极之间产生寄生电容c0。若一种情况下，发光单元leu01发光时，发光单元leu02关闭，不发光，则当向发光单元leu01施加信号v1，发光单元leu01打开时，寄生电容c0使得发光单元leu02被耦合发光，形成串扰问题。发光单元leu01和发光单元leu02可为oled。本公开的示例给出的附图中，gnd表示接地。

图3为一种显示装置中的寄生电容使得相邻像素被耦合发光的示意图。图3中的细实线表示像素p01的像素电极的电压，粗实线表示像素p02的像素电极的耦合电压。若发光单元leu02的开启电压(像素电极的电压)为大于或等于2v。则在像素p01处于发光状态时，像素p02中的像素电极的耦合电压大于其开启电压，从而像素p02可在耦合电压作用下发光。

本公开至少一示例提供一种显示基板和显示装置，以改善串扰问题。

图4和图5分别为本公开的一个或多个示例提供的一种显示基板10的俯视图和截面图。图5可为图4中a-b处的截面图。当然，图5所示的截面图的俯视图也可采用其他情形，并不限于图4所示。

如图4和图5所示，本公开的一个或多个示例提供的显示基板10包括：

衬底基板11，

第一电极211，位于衬底基板11上；

第二电极212，位于衬底基板11上，第二电极212在衬底基板11上的正投影与第一电极211在衬底基板11上的正投影相邻，以及

导电层22，包括位于第一电极211和第二电极212的相对的侧面s1和s2之间的阻挡部2201，导电层22接地；第一电极211、第二电极212和导电层22三者彼此绝缘。

如图4和图5所示，像素p1和像素p2相邻，像素p1包括第一电极211，像素p2包括第二电极212。

本公开的一个或多个示例提供的显示基板，在第一电极211和第二电极212之间设置接地的导电层22，导电层22包括位于第一电极211和第二电极212的相对的侧面s1和s2之间的阻挡部2201，阻挡部2201可起到信号屏蔽作用，可利于减少耦合电容引起的串扰问题，避免相邻的第一电极211和第二电极212相互影响，减小或消除相邻像素间的耦合电容引起的画面串扰问题。

例如，第一电极211、第二电极212和导电层22三者彼此绝缘是指三者中的任意两个都是彼此绝缘的。例如，第一电极211和第二电极212彼此绝缘，第二电极212和导电层22彼此绝缘，以及第一电极211和导电层22彼此绝缘。两者彼此绝缘可通过间隔设置，或通过在两者之间设置绝缘层来实现。

如图4和图5所示，第一电极211的侧面s1与第二电极212的侧面s2相对。侧面s1和侧面s2彼此面对。

例如，第一电极211和第二电极212均为像素电极。

例如，第一电极211和第二电极212可位于同一电极层21。例如，第一电极211和第二电极212可由同一构图工艺形成。例如，第一电极211和第二电极212可采用同一导电材料形成。例如，第一电极211和第二电极212的材料可为金属或导电金属氧化物至少之一。例如，导电金属氧化物可包括氧化铟锡(indiumtinoxide，ito)，但不限于此。

如图4和图5所示，一个或多个示例中，为了进一步避免耦合电容的产生，导电层22在衬底基板11上的正投影与第一电极211和第二电极212在衬底基板11上的正投影均不重叠。

如图4和图5所示，一个或多个示例中，导电层22在衬底基板11上的正投影围绕第一电极211和第二电极212在衬底基板11上的正投影。

如图4和图5所示，一个或多个示例中，导电层22包括相邻的第一镂空部2210和第二镂空部2220，第一电极211在衬底基板11上的正投影位于第一镂空部2210在衬底基板11上的正投影内，第二电极212在衬底基板11上的正投影位于第二镂空部2220在衬底基板11上的正投影内。例如，不同的像素电极被一体形成的导电层22中的镂空部围绕，使得各像素电极都能被导电层22屏蔽，避免相邻像素电极的由耦合电容引起的串扰问题。图4中的虚线为区分不同像素而设置，并非显示基板的结构。

如图5所示，一个或多个示例中，显示基板10还包括绝缘材料层14，第一电极211和第二电极212的相对的侧面s1和s2之间被绝缘材料层14填充，且阻挡部2201贯穿绝缘材料层14，绝缘材料层14与第一电极211和第二电极212的相对的侧面s1和s2接触。如图5所示，绝缘材料层14与第一电极211的侧面s1接触，并与第二电极212的和侧面s2接触。例如，绝缘材料层14可采用树脂材料、氮化硅、氧化硅、正硅酸乙酯中至少之一制作，以利于制作较大厚度的绝缘层，进一步减小耦合电容。图5中，阻挡部2201填满了绝缘材料层14中的过孔，但阻挡部2201的结构不限于图5所示，只要是位于第一电极211和第二电极212的相对的侧面s1和s2接之间并可起到屏蔽作用即可。例如，阻挡部2201可不完全填满绝缘材料层14中的过孔，沿着过孔侧壁延伸。

如图5所示，一个或多个示例中，导电层22还包括位于绝缘材料层14的远离衬底基板11的一侧的与阻挡部2201交叉的交叉部2202。阻挡部2201贯穿绝缘材料层14，交叉部2202位于绝缘材料层14上，阻挡部2201和交叉部2202形成t字型结构。如图5所示，在垂直于衬底基板11的方向上，交叉部2202与第一电极211不交叠，交叉部2202与第二电极212不交叠。交叉部2202的设置，可利于提高导电层的屏蔽作用。例如，交叉部2202与阻挡部2201相互垂直，但不限于此。

如图5所示，一个或多个示例中，显示基板10还包括层间绝缘层13。层间绝缘层13位于第一电极211的靠近衬底基板11的一侧。第一电极211包括位于层间绝缘层13的远离衬底基板11的一侧的第一主体部211a和贯穿层间绝缘层13的第一连接部211b。层间绝缘层13位于第二电极212的靠近衬底基板11的一侧。第二电极212包括位于层间绝缘层13的远离衬底基板11的一侧的第二主体部212a和贯穿层间绝缘层13的第二连接部212b。

如图5所示，一个或多个示例中，为了提高导电层的屏蔽效果，第一主体部211a在垂直于衬底基板11的方向上的尺寸tx1小于导电层22在垂直于衬底基板11的方向上的尺寸h。第二主体部212a在垂直于衬底基板11的方向上的尺寸tx2小于导电层22在垂直于衬底基板11的方向上的尺寸h。

如图5所示，为了提高导电层的屏蔽效果，第一主体部211a在垂直于衬底基板11的方向上的尺寸tx1小于绝缘材料层14在垂直于衬底基板11的方向上的尺寸h。第二主体部212a在垂直于衬底基板11的方向上的尺寸tx2小于绝缘材料层14在垂直于衬底基板11的方向上的尺寸h。

如图5所示，为了提高导电层的屏蔽效果，第一主体部211a在垂直于衬底基板11的方向上的尺寸tx1小于阻挡部2201在垂直于衬底基板11的方向上的尺寸h。第二主体部212a在垂直于衬底基板11的方向上的尺寸tx2小于阻挡部2201在垂直于衬底基板11的方向上的尺寸h。

如图5所示，一个或多个示例中，为了利于导电层的设置以及利于提高导电层的屏蔽效果，绝缘材料层14在垂直于衬底基板11的方向上的尺寸h0大于第一主体部211a和第二主体部212a至少之一在垂直于衬底基板11的方向上的尺寸h0。例如，第一主体部211a和第二主体部212a在垂直于衬底基板11的方向上的尺寸相等。

如图5所示，一个或多个示例中，显示基板10还包括位于衬底基板11和层间绝缘层13之间的源漏极层12，源漏极层12包括与第一连接部211b电连接的第一漏极1201，与第二连接部212b电连接的第二漏极1202以及与导电层22电连接的导线1203，阻挡部2201还贯穿层间绝缘层13并与导线1203电连接，导电层22通过导线1203接地。例如，第一漏极1201、第二漏极1202和导线1203位于同一层，可由同一导电层经构图工艺形成。如图5所示，阻挡部2201与导线1203接触。图5所示的示例中，以导电层22通过与第一漏极1201和第二漏极1202同层设置的导线1203接地为例进行说明，导电层22还可以采用其他方式例如边缘引出引线以实现接地。源漏极层12中还包括未在图中示出的源极。

如图5所示，一个或多个示例中，为了利于提高屏蔽效果，第一电极211在垂直于衬底基板11的方向上的尺寸h1小于导电层22在垂直于衬底基板11的方向上的尺寸h。第二电极212在垂直于衬底基板11的方向上的尺寸h2小于导电层22在垂直于衬底基板11的方向上的尺寸h。

一个或多个示例中，导电层22的材质包括遮光材料。例如，遮光材料包括金属材料。例如，金属材料包括mo、cr、ti、al等至少之一。因导电层位于相邻像素之间，采用遮光材料来制作导电层22，可使得导电层起到类似于黑矩阵的效果，利于提高显示效果。

如图5所示，一个或多个示例中，第一电极211上的绝缘材料层14的部分在垂直于衬底基板11的方向上的尺寸为ta，第二电极212上的绝缘材料层14的部分在垂直于衬底基板11的方向上的尺寸为tb。例如，ta等于tb。一个示例中，ta＝100nm，tb＝100nm，tx1＝100nm,tx2＝100nm,s1和s2之间的距离为820nm。

图5中还示出了在导电层22之后依次形成的有机功能层15和公共电极16。有机功能层15可至少包括发光层，但不限于此。例如，有机功能层15除了包括发光层外，可包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层中至少之一。

图6为本公开的一个或多个示例提供的显示基板的相邻像素之间的耦合电压的示意图。例如，图6中的显示基板可为图5所示的显示基板，但不限于此。如图6所示，像素的开启电压为2v，像素p1打开时，与像素p1相邻的像素p2的耦合电压小于2v，则像素p2不被开启。从而，导电层的设置可起到改善串扰的作用。需要说明的是，像素的开启电压可为其他数值。显示基板设置阻挡部，可避免被输入电压信号的像素p1影响与像素p1相邻的像素p2的耦合电压，像素p2的耦合电压很小，在像素p1被点亮时，像素p2的耦合电压低于开启电压，像素p2不因耦合电压而发光，像素p2不被点亮，从而，消除了相邻像素串扰问题。

图7a-7c为本公开的一个或多个示例提供的一种显示基板的截面图。如图7a所示，与图5所示的结构相比，导电层22只包括阻挡部2201，且阻挡部2201向远离衬底基板11的方向凸出于绝缘材料层14。如图7b所示，与图5所示的结构相比，导电层22只包括阻挡部2201，且阻挡部2201在远离衬底基板11的方向不凸出于绝缘材料层14，例如，阻挡部2201的上表面与绝缘材料层14的上表面齐平。如图7c所示，与图5所示的结构相比，导电层22不贯穿层间绝缘层13。例如，如图7c所示，导电层22只贯穿绝缘材料层14。

图8a为本公开的一个或多个示例提供的显示基板的导电层的俯视示意图。如图8a所示，导电层22的俯视图可类似蜂窝状。

图8b为本公开的一个或多个示例提供的显示基板的导电层的俯视示意图。请结合图8b、图4和图5，导电层22包括第一镂空部2210和第二镂空部2220。图8b中的虚线用以区分不同的像素，并非显示基板的真实结构。

图9为本公开一个或多个示例提供的显示基板中的电极层21的俯视示意图。请结合图9、图4和图5，相邻的第一电极211和第二电极212之间具有空隙2121，导电层可被设置在对应空隙2121的位置处。

图10为本公开另一示例提供的显示基板中的导电层22的俯视示意图。如图10所示，与图8b相比，导电层22可包括彼此间隔的第一导电部2211和第二导电部2212。第一导电部2211和第二导电部2212之间具有间隙2230。例如，第一导电部2211和第二导电部2212可分别与不同的导线相连以接地。例如，第一导电部2211和第二导电部2212可与同一导线相连以接地。

本公开至少一示例提供一种显示基板的制作方法，与通常的方法相比，包括制作导电层的步骤。所述的导电层为上述任一导电层。以下给出一个示例进行详细说明。

一个示例中，形成图5所示结构的显示基板的制作方法包括以下步骤。

(1)在衬底基板11上形成源漏极层12，源漏极层12包括用于形成薄膜晶体管(thinfilmtransistor，tft)的源极和漏极，例如，源漏极层包括第一漏极1201、第一源极(图中未示出)、第二漏极1202、第二源极(图中未示出)、以及导线；第一漏极1201和第一源极被用于形成第一tft，第二漏极1202和第二源极被用于形成第二tft；

(2)在源漏极层12上形成层间绝缘层13；

(3)在层间绝缘层13上形成电极层21，电极层21包括第一电极211和第二电极212，第一电极211和第二电极212相邻，并彼此绝缘，第二电极212在衬底基板11上的正投影与第一电极211在衬底基板11上的正投影相邻；

(4)形成绝缘材料层14，绝缘材料层14位于第一电极211和第二电极212之间，并分别在垂直于衬底基板11的方向上与第一电极211和第二电极212交叠；

(5)形成贯穿绝缘材料层14的过孔；过孔位于第一电极211和第二电极212之间；

(6)形成导电层22，导电层22包括位于第一电极211和第二电极212的相对的侧面s1和s2之间的阻挡部2201，导电层22通过贯穿绝缘材料层14的过孔与导线1203电连接，导线1203接地以使得导电层22接地；导电层22与第一电极211彼此绝缘，导电层22与第二电极212彼此绝缘，从而，导电层22、第一电极211与第二电极212三者彼此绝缘；

(7)在导电层22上形成有机功能层15；

(8)在有机功能层15上形成公共电极16。

本公开的至少一示例还提供一种显示装置，包括上述任一显示基板10。

所述显示装置可以为oled(organiclight-emittingdiode，有机发光二极管)显示器等显示器件以及包括这些显示器件的电视、数码相机、手机、手表、平板电脑、笔记本电脑、导航仪等任何具有显示功能的产品或者部件。

需要说明的是，为了清晰起见，在用于描述本公开的示例的附图中，层或区域的厚度被放大。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。

在本公开的示例中，构图或构图工艺可只包括光刻工艺，或包括光刻工艺以及刻蚀步骤，或者可以包括打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺。光刻工艺是指包括成膜、曝光、显影等工艺过程，利用光刻胶、掩模板、曝光机等形成图形。可根据本公开的示例中所形成的结构选择相应的构图工艺。

在不冲突的情况下，本公开的同一示例及不同示例中的特征可以相互组合。

以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。