三维存储器的制作方法

技术总结
本发明涉及一种三维存储器，所述三维存储器包括：存储堆叠结构，所述存储堆叠结构包括交替堆叠的控制栅极和绝缘层；沟道孔结构，贯穿所述存储堆叠结构；所述控制栅极的宽度小于绝缘层的宽度，使得相邻绝缘层之间具有凹槽，部分所述沟道孔结构位于所述凹槽内。上述三维存储器的性能得到提高。

技术研发人员：向银松;刘隆冬;任连娟
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2018.09.19
技术公布日：2018.11.27