一种阵列基板及其制备方法、显示面板与流程

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。

背景技术：

随着有机材料和量子点材料的迅速发展，有机电致发光器件(organiclight-emittingdiode，简称oled)和量子点电致发光器件(quantumdotlightemittingdiodes，简称qled)也进展神速。并且，随着消费者消费水平的提升，高分辨率产品成为显示产品的重点发展方向。

qled由于其在宽色域、高寿命等方面的潜在优势，得到了越来越广泛的关注，其研究日益深入，量子效率不断提升，基本达到产业化的水平，进一步采用新的工艺和技术来实现其产业化已成为未来的趋势。

由于量子点材料本身的特性，通常采用喷墨打印的方式形成量子点发光层，以有效提高量子点材料的利用率，并进行大面积制备。为了避免相邻子像素之间信号串扰，在形成量子点发光层之前，需先形成坝(bank)，即，像素界定层；之后，再采用喷墨打印工艺形成量子点发光层，以及位于量子点发光层背离衬底一侧的其他功能层。

然而，用于形成量子点发光层的墨水存在在像素界定层上攀爬的问题，甚至攀爬至像素界定层的顶部平台区域，极大地影响了量子点发光层的形貌及厚度均匀性，对qled器件的性能造成了极大的影响，进而影响qled显示面板的量产。

尤其是对于高分辨率的qled显示面板，此问题更加显著。要制备高分辨率的qled显示面板，相邻子像素之间的间隔较小，像素定义区的像素界定层的尺寸也较小，更容易造成量子点发光层在像素界定层上爬坡的现象，因此，对制备像素界定层的设备的精度以及稳定性有极高的要求，从而对qled显示面板量产的提高也会有极大的限制。

技术实现要素：

本发明的实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，可避免量子点发光层在像素界定层上爬坡，以避免量子点发光层的厚度不均一。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

第一方面，提供一种阵列基板的制备方法，包括：在衬底上各子像素区域，形成第一电极；在各所述子像素区域，且所述第一电极上方形成量子点发光层；在形成有所述第一电极和所述量子点发光层的衬底上，形成像素界定层，所述像素界定层位于任意相邻所述量子点发光层之间；在各所述子像素区域，且所述量子点发光层上方形成第二电极。

可选的，形成所述量子点发光层，包括：利用光刻工艺形成所述量子点发光层。

进一步可选的，利用光刻工艺形成所述量子点发光层，包括：形成量子点薄膜，所述量子点薄膜包括量子点发光材料和感光材料；对所述量子点薄膜进行曝光、显影，得到所述量子点发光层。

进一步可选的，所述感光材料包括烯、炔、巯基、羟基中的至少一种；或者，所述感光材料的长分子链上包括有机金属化合物、羰基、环氧基中的至少一种。

可选的，所述像素界定层，包括：第一子像素界定层和第二子像素界定层，所述第一子像素界定层形成于所述第二像素界定层靠近所述衬底的一侧；所述第一子像素界定层不透明，所述第二子像素界定层为绝缘层；沿所述衬底的厚度方向，所述量子点发光层靠近所述阵列基板的出光侧的表面在所述像素界定层上的正投影，不超出所述第一子像素界定层靠近所述阵列基板的出光侧的边沿。

进一步可选的，所述第一子像素界定层的材料包括金属，所述第二子像素界定层完全覆盖所述第一子像素界定层。

进一步可选的，所述像素界定层还包括第三子像素界定层，所述第三子像素界定层为绝缘层；所述第一子像素界定层完全覆盖所述第三子像素界定层。

可选的，在形成所述第一电极之后、形成所述量子点发光层之前，所述方法还包括：通过光刻工艺形成至少一层第一功能层；在形成所述量子点发光层之后、形成所述第二电极之前，所述方法还包括：通过光刻工艺或蒸镀工艺形成至少一层第二功能层。

可选的，在形成所述第一电极之前，所述方法还包括：在各所述子像素区域，形成薄膜晶体管。

第二方面，提供一种阵列基板，包括：在各子像素区域，依次设置于衬底上的第一电极和量子点发光层，以及设置于任意相邻所述量子点发光层之间的像素界定层，所述量子点发光层包括量子点发光材料和感光材料。

可选的，所述像素界定层，包括：第一子像素界定层和第二子像素界定层，所述第一子像素界定层形成于所述第二像素界定层靠近所述衬底的一侧；所述第一子像素界定层不透明，所述第二子像素界定层为绝缘层；沿所述衬底的厚度方向，所述量子点发光层靠近所述阵列基板的出光侧的表面在所述像素界定层上的正投影，不超出所述第一子像素界定层靠近所述阵列基板的出光侧的边沿。

进一步可选的，所述第一子像素界定层的材料包括金属，所述第二子像素界定层完全覆盖所述第一子像素界定层。

进一步可选的，所述像素界定层还包括第三子像素界定层，所述第三子像素界定层为绝缘层；所述第一子像素界定层完全覆盖所述第三子像素界定层。

可选的，所述像素界定层在所述衬底上的正投影与所述量子点发光层在所述衬底上的正投影具有重叠区域，在所述重叠区域，所述量子点发光层与所述像素界定层直接接触；其中，沿一个所述子像素区域指向与其相邻的所述子像素区域的方向，所述重叠区域的宽度为500～1000nm。

第三方面，提供一种显示面板，包括第二方面所述的阵列基板。

本发明实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，通过先形成量子点发光层，之后，再形成像素界定层，相较于现有技术，可以避免量子点发光层在像素界定层上爬坡，以避免量子点发光层的厚度不均一，进而避免因量子点发光层厚度不均一问题影响qled显示面板的量产；进一步的，即使所述阵列基板应用于高分辨率的qled显示面板，也不会因量子点发光层在像素界定层上爬坡的问题，而导致对制备像素界定层的设备的精度以及稳定性的要求提高，从而影响qled显示面板的量产；在此基础上，由于现有技术是先形成像素界定层，之后，在相邻像素界定层之间采用喷墨打印的方式形成量子点发光层，而本发明实施例则是先形成量子点发光层，之后，在形成有量子点发光层的衬底上形成像素界定层，因此，可先在衬底上形成平铺一整层的量子点薄膜，并且形成量子点薄膜的工艺不局限于现有技术的喷墨打印一种，还可以通过旋涂、喷涂等工艺形成量子点薄膜。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的一种制备阵列基板的流程示意图；

图2为本发明实施例提供的一种制备阵列基板的过程示意图；

图3为本发明实施例提供的一种制备阵列基板的过程示意图；

图4为本发明实施例提供的一种制备阵列基板的过程示意图；

图5为本发明实施例提供的一种制备阵列基板的过程示意图；

图6为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；

图7为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；

图8为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；

图9为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图。

附图标记：

10-衬底；11-第一电极；12-量子点发光层；13-像素界定层；131-第一子像素界定层；132-第二子像素界定层；133-第三子像素界定层；14-第二电极；15-第一功能层；16-第二功能层。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明实施例提供一种阵列基板的制备方法，如图1所示，具体可通过如下步骤实现：

s11、如图2所示，在衬底10上各子像素区域，形成第一电极11。

此处，当第一电极11为阳极时，第一电极11的材料可以是例如氧化铟锡(indiumtinoxide，简称ito)；或者，第一电极11可以包括层叠设置的ito层、银(ag)层、以及ito层。

在此基础上，在衬底10上形成第一电极11后，可采用等离子体处理阵列基板的表面，并对所述阵列基板的表面进行清洗。

需要说明的是，第一电极11可以是阳极，也可以是阴极。

s12、如图3所示，在各子像素区域，且第一电极11上方形成量子点发光层12。

需要说明的是，第一，第一电极11的上方是指：第一电极11背离衬底10一侧。

第二，不对量子点发光层12的材料进行限定，但本领域的技术人员应该知道，量子点发光层12应至少包括量子点发光材料。

此处，对于量子点发光材料，本发明实施例对此不进行限定，例如量子点发光材料包括硒化镉(cdse)纳米晶体。

第三，每个子像素区域可发出一种颜色的光，量子点发光层12中与一个子像素区域对应的部分发出的光可以是红色、绿色、蓝色中的一种；或者，量子点发光层12中与一个子像素区域对应的部分发出的光可以是品红、青色、黄色、白色中的一种。

当然，量子点发光层12还可以发出其他颜色的光，具体的，与实际应用有关，在此不再赘述。

此处，量子点发光层12中用于发出红光、绿光、蓝光的部分的材料可以相同，例如量子点发光层12中用于发出红光、绿光、蓝光的部分的材料均为硒化镉纳米晶体，可根据硒化镉纳米晶体的晶粒尺寸不同，发出不同颜色的光。

第四，量子点发光层12的材料不同，其厚度也不相同。具体的，不同材料的量子点发光层12的厚度可以为20～50nm。例如，量子点发光层12的厚度为20nm、30nm、50nm。

第五，不对形成量子点发光层12的工艺进行限定，可根据材料的不同，通过不同工艺形成量子点发光层12。

s13、如图4所示，在形成有第一电极11和量子点发光层12的衬底10上，形成像素界定层13，像素界定层13位于任意相邻量子点发光层12之间，用于界定所述子像素区域。

需要说明的是，第一，不对像素界定层13的厚度进行限定，本领域的技术人员应该知道，像素界定层13用于防止相邻子像素区域之间串色，因此，像素界定层13的厚度应在不影响阵列基板的厚度的情况下尽可能大，具体的，以实际需求为准。

第二，不对像素界定层13的材料进行限定，本领域的技术人员应该知道，像素界定层13的材料应至少包括绝缘材料。

示例的，像素界定层13的材料包括氧化硅(siox)、氮氧化硅(sion)、氮化硅(sinx)、或者感光绝缘材料。

第三，不对形成像素界定层13的方式进行限定，具体的，在像素界定层13的材料仅包括一层氧化硅或氮氧化硅或氮化硅的情况下，可通过如下步骤实现：

s131、在形成有第一电极11和量子点发光层12的衬底10上，形成像素界定薄膜。

例如，可以采用等离子体增强化学的气相沉积法(plasmaenhancedchemicalvapordeposition，简称pecvd)沉积像素界定薄膜。

s132、在像素界定薄膜背离衬底10一侧形成光刻胶，并对所述光刻胶进行曝光、显影，形成第一光刻胶图案。

s133、对像素界定薄膜进行刻蚀，形成像素界定层13。

例如，可以采用反应离子刻蚀(reactiveionetching，简称rie)或者离子束辅助自由基刻蚀(inductivelycoupledplasma，简称icp)等方法对像素界定薄膜进行刻蚀。

或者，在像素界定层13的材料仅包括一层感光材料的情况下，例如像素界定层13的材料与光刻胶的材料相同，可通过如下步骤实现：

s231、在形成有第一电极11和量子点发光层12的衬底10上，形成光刻胶。

s232、对所述光刻胶进行曝光、显影，形成像素界定层13。

s14、如图5所示，在各子像素区域，且量子点发光层12上方形成第二电极14。

此处，第二电极14可以采用蒸镀工艺形成，其中，当第二电极14为阴极时，第二电极14可以包括层叠设置的氟化锂(lif)层和铝(al)层。

需要说明的是，在第一电极11为阳极的情况下，第二电极14为阴极；在第一电极11为阴极的情况下，第二电极14为阳极。

本发明实施例提供一种阵列基板的制备方法，通过先形成量子点发光层12，之后，再形成像素界定层13，相较于现有技术，可以避免量子点发光层12在像素界定层13上爬坡，以避免量子点发光层12的厚度不均一，进而避免因量子点发光层12厚度不均一问题影响qled显示面板的量产；进一步的，即使所述阵列基板应用于高分辨率的qled显示面板，也不会因量子点发光层12在像素界定层13上爬坡的问题，而导致对制备像素界定层13的设备的精度以及稳定性的要求提高，从而影响qled显示面板的量产；在此基础上，由于现有技术是先形成像素界定层13，之后，在相邻像素界定层13之间采用喷墨打印的方式形成量子点发光层12，而本发明实施例则是先形成量子点发光层12，之后，在形成有量子点发光层12的衬底10上形成像素界定层13，因此，可先在衬底10上形成平铺一整层的量子点薄膜，并且形成量子点薄膜的工艺不局限于现有技术的喷墨打印一种，还可以通过旋涂、喷涂等工艺形成量子点薄膜。

此处，由于有机发光二极管(organiclight-emittingdiode，简称oled)中的发光层通常采用蒸镀工艺形成，即使oled的发光层存在爬坡现象，采用蒸镀工艺形成的发光层也不会存在厚度不均一的问题。

可选的，形成量子点发光层12，包括：利用光刻工艺形成量子点发光层12。

具体的，量子点发光层12的材料不同，可通过不同工艺形成，分为以下两种情况。

第一种情况，s121、形成量子点薄膜，量子点薄膜包括量子点发光材料和感光材料。

需要说明的是，第一，感光材料可以为固化材料，所述固化材料包括烯、炔、巯基、羟基等官能团中的至少一种；或者，感光材料可以为降解材料，所述降解材料的长分子链上包括有机金属化合物、羰基、环氧基中的至少一种。

其中，当感光材料为固化材料时，在光照条件(例如紫外光照条件)下，一种或多种官能团可发生反应，形成交联的网状结构，从而起到材料固定的作用。

示例的，感光材料仅包括烯一种官能团，多个烯之间发生反应，并形成交联的网状结构。感光材料包括烯、炔两种官能团，多个烯以及多个炔之间，互相发生反应，并形成交联的网状结构。

当感光材料为降解材料时，在光照条件(例如紫外光照条件)下，会发生断链或降解反应，无法形成交联的网状结构，不能起到固化作用。

第二，不对形成量子点薄膜的方式进行限定，例如，可以采用喷墨打印、喷涂、旋涂的工艺在衬底10上形成一整层量子点薄膜。

s122、对量子点薄膜进行曝光、显影，得到量子点发光层12。

需要说明的是，第一，当感光材料为固化材料时，经曝光、显影后，量子点薄膜中保留下来的部分即为量子点发光层12，量子点薄膜的其他部分被去除。

其中，可以采用掩模板对量子点薄膜进行曝光，所述掩模板包括完全保留区域和完全去除区域。

对于固化材料，光线(例如紫外光)可照射到量子点薄膜中位于完全保留区域的部分，不能照射到量子点薄膜中位于完全去除区域的部分。之后，在对量子点薄膜进行显影时，由于量子点薄膜中位于完全保留区域的部分在光照条件下固化，因此，不能被显影掉；量子点薄膜中位于完全去除区域的部分未被固化，因此，可被显影掉。

对于降解材料，光线(例如紫外光)可照射到量子点薄膜中位于完全去除区域的部分，不能照射到量子点薄膜中位于完全保留区域的部分。之后，在对量子点薄膜进行显影时，由于量子点薄膜中位于完全去除区域的部分在光照条件下发生断链或降解，因此，可被显影掉；量子点薄膜中位于完全保留区域的部分未发生断链或降解，因此，不能被显影掉。

此处，固化材料和降解材料的显影材料不相同。

在此基础上，在曝光、显影之后，还可采用后烘工艺对量子点发光层12进行定型。

第二种情况，s221、形成量子点薄膜，量子点薄膜包括量子点发光材料。

此处，与第一种情况相比，第二种情况中，量子点薄膜不包括感光材料。

s222、在量子点薄膜上方形成光刻胶，对光刻胶进行曝光、显影，得到第一光刻胶图案。

s223、对量子点薄膜进行刻蚀，形成量子点发光层12。

本发明实施例中，由于先形成量子点发光层12，之后，再形成像素界定层13，因此，可现在衬底10上形成平铺一整层的量子点薄膜，再通过光刻工艺形成量子点发光层12；在此基础上，相较于第二种情况，采用第一种情况的工艺，可简化量子点发光层12的制备工艺。

可选的，如图6所示，像素界定层13包括：第一子像素界定层131和第二子像素界定层132，第一子像素界定层131形成于第二像素界定层132靠近衬底10的一侧；第一子像素界定层131不透明，第二子像素界定层132为绝缘层；沿衬底10的厚度方向，量子点发光层12靠近阵列基板的出光侧的表面在像素界定层13上的正投影，不超出第一子像素界定层131靠近所述阵列基板的出光侧的边沿。

需要说明的是，第一，衬底10的厚度方向，是指：衬底10指向量子点发光层12的方向，和/或，量子点发光层12指向衬底10的方向。

第二，当所述阵列基板应用于显示面板时，阵列基板的出光侧是指显示面板的显示侧，阵列基板可以沿衬底10指向量子点发光层12的方向出光，也可以沿量子点发光层12指向衬底10的方向出光。

第三，沿衬底10的厚度方向，量子点发光层12靠近阵列基板的出光侧的表面，不超出第一子像素界定层131的边沿。

具体的，若沿衬底10指向量子点发光层12的方向为阵列基板的出光方向，则量子点发光层12靠近第二电极14一侧的表面在像素界定层13上的投影，应不超出第一子像素界定层131靠近第二电极14一侧的边沿。

若沿量子点发光层12指向衬底10的方向为阵列基板的出光方向，则量子点发光层12靠近第一电极11一侧的表面在像素界定层13上的投影，应不超出第一子像素界定层131靠近第一电极11一侧的边沿。

第四，第一子像素界定层131用于吸收从各子像素区域的量子点发光层12出射的大角度光线，当阵列基板应用于显示面板时，为不影响显示面板的显示亮度，在阵列基板的出光侧，第一子像素界定层131超出量子点发光层12的部分的厚度应以实际应用为准，不宜过大。

第五，不对第一子像素界定层131的材料进行限定，只要其不透明即可。例如，第一子像素界定层131的材料可以是金属，或者，第一子像素界定层131的材料可以是包含碳的树脂。

本发明实施例中，通过使第一子像素界定层131为不透明材料，并且，沿衬底10的厚度方向，量子点发光层12靠近阵列基板的出光侧的表面在像素界定层13上的正投影，不超出第一子像素界定层131靠近所述阵列基板的出光侧的边沿，可以使从各子像素中的量子点发光层12出射的大角度光线被第一子像素界定层131吸收，从而避免相邻子像素区域之间串色，当阵列基板应用于显示面板时，影响显示面板的显示效果。

进一步可选的，第一子像素界定层131的材料包括金属，第二子像素界定层132完全覆盖第一子像素界定层131。

本发明实施例中，由于金属可以反射光线，从一个子像素区域的量子点发光层12发出的光线照射到第一子像素界定层131上后，经第一子像素界定层131反射，反射后的光线仍然可在该子像素区域内用于显示，从而增加显示画面的亮度；在此基础上，通过使第二子像素界定层132完全覆盖第一子像素界定层131，可以避免各个像素区域内的导电结构通过第一子像素界定层131电连接。

进一步可选的，如图7所示，像素界定层13还包括第三子像素界定层133，第三子像素界定层133为绝缘层；第一子像素界定层131完全覆盖第三子像素界定层133。

需要说明的是，第三子像素界定层133的材料可以与第二子像素界定层132的材料相同，也可以不相同。

本发明实施例中，若像素界定层13仅包括第一子像素界定层131和第二子像素界定层132，则第一子像素界定层131的厚度较大，而由于金属的重量较大，这样一来，在衬底10上形成厚度较大的金属时，可能会导致刚性的衬底10破碎，或者，导致柔性的衬底10变形。基于此，像素界定层13还包括被第一子像素界定层131完全覆盖的第三子像素界定层133，并且，采用重量较轻的绝缘材料作为第三子绝缘层133的材料，以减小第一子绝缘层131的厚度，避免在形成第一子像素界定层131的过程中，对衬底10造成不良影响。

当然，第一子像素界定层131、第二子像素界定层132、以及第三子像素界定层133也可以以其他形式设置，例如，沿一个子像素区域指向与其相邻的子像素区域的方向，第二子像素界定层132、第一子像素界定层131、以及第三子像素界定层133依次排布。

对于上述任一实施例，像素界定层13在衬底10上的正投影与量子点发光层12在衬底10上的正投影具有重叠区域，在重叠区域，量子点发光层12与像素界定层13直接接触；其中，沿一个子像素区域指向与其相邻的子像素区域的方向，所述重叠区域的宽度为500～1000nm。示例的，所述重叠区域的宽度为500nm、800nm、1000nm。

这样一来，可以避免因工艺原因导致第二电极14与第一电极11电连接，从而影响阵列基板正常发光。

可选的，如图8所示，在形成第一电极11之后、形成量子点发光层12之前，所述方法还包括：通过光刻工艺形成至少一层第一功能层15。

在形成量子点发光层12之后、形成第二电极14之前，所述方法还包括：通过光刻工艺或蒸镀工艺形成至少一层第二功能层16。

需要说明的是，第一，如图8所示，当第一电极11为阳极、第二电极14为阴极时，第一功能层15包括空穴传输层152和空穴注入层151中的至少一个，第二功能层16包括电子传输层161和电子注入层162中的至少一个。

当第一电极11为阴极、第二电极14为阳极时，第一功能层15包括电子传输层161和电子注入层162中的至少一个，第二功能层16包括空穴传输层152和空穴注入层151中的至少一个。

其中，阳极、空穴注入层151、空穴传输层152、量子点发光层12、电子传输层161、电子注入层162、阴极依次层叠设置。

第二，不对第一功能层15和第二功能层16的材料进行限定，此处，第一功能层15和第二功能层16可以作为调整阵列基板的发光效率及发光亮度的结构，因此，在不影响第一功能层15和第二功能层16的功能的情况下，为了达到不同的发光要求，可选择合适的材料作为第一功能层15和第二功能层16的材料。示例的，电子传输层的材料可以是zno(氧化锌)纳米离子，其厚度为20～50nm。

第三，不对第二功能层16的形状进行限定，如图8所示，第二功能层16可以包括多个块状图案，且每个所述块状图案均位于子像素区域；或者，第二功能层16可以平铺一整层设置。

第四，不对第一功能层15和第二功能层16的制备方式进行限定。

示例的，采用旋涂工艺或者磁控溅射工艺形成第一薄膜，之后通过曝光、显影、刻蚀形成第一功能层15。

采用光刻工艺或蒸镀工艺形成第二功能层16，此处，优选采用蒸镀工艺形成第二功能层16。

本发明实施例中，通过在第一电极11与量子点发光层12之间形成第一功能层15，在量子点发光层12与第二电极14之间形成第二功能层16，可利用第一功能层15和第二功能层16调整阵列基板的发光效率及发光亮度。

可选的，在此基础上，在步骤s11之前，所述方法还包括：在各个子像素区域，形成薄膜晶体管。

需要说明的是，薄膜晶体管可以是底栅型薄膜晶体管，也可以是顶栅型薄膜晶体管。

在此基础上，在形成薄膜晶体管之后，形成第一电极11之前，所述方法还包括：在衬底10上形成钝化层，以使得包括薄膜晶体管和钝化层的阵列基板的表面平坦，以更好地完成后续工艺。

示例的，如图6所示，形成底栅型薄膜晶体管的步骤具体包括：

s101、在衬底10上形成栅极。

此处，形成栅极的同时，还可形成与栅极电连接的栅线。

需要说明的是，第一，不对栅极的材料进行限定，例如可以是mo(钼)、cu(铜)、al(铝)等金属材料。

第二，不对栅极的厚度进行限定，具体的，以实际需求为准，栅极的厚度范围可以是100～300nm，例如，栅极的厚度为200nm。

s102、在栅极背离衬底10一侧形成栅绝缘层。

需要说明的是，第一，不对栅绝缘层的材料进行限定，例如可以是sio2等绝缘材料。

第二，不对栅绝缘层的厚度进行限定，具体的，以实际需求为准，栅绝缘层的厚度范围可以是75～225nm，例如，栅绝缘层的厚度为150nm。

s103、在栅绝缘层背离衬底10一侧形成有源层。

需要说明的是，第一，不对有源层的材料进行限定，可以是非晶硅、金属氧化物、多晶硅、有机材料等。例如，有源层的材料可以是氧化铟镓锌(indiumgalliumzincoxide，简称igzo)。

第二，不对有源层的厚度进行限定，具体的，以实际需求为准，有源层的厚度范围可以是20～60nm，例如，栅绝缘层的厚度为40nm。

s104、在有源层背离衬底10一侧形成源极和漏极。

此处，在形成源极和漏极的同时，还可以形成与源极电连接的数据线。

需要说明的是，第一，不对源极和漏极的材料进行限定，例如可以是钼(mo)、铜(cu)、铝(al)等金属材料，也可以是例如氧化铟锡、铟锌氧化物(indiumzincoxide，简称izo)等透明导电材料。

第二，不对源极和漏极的厚度进行限定，具体的，以实际需求为准，源极和漏极的厚度范围可以是100～300nm，例如，源极和漏极的厚度为200nm。

本发明实施例通过在衬底10上形成薄膜晶体管，以实现阵列基板的功能。

本发明实施例提供一种阵列基板，包括：在各子像素区域，依次设置于衬底10上的第一电极11和量子点发光层12，以及设置于任意相邻量子点发光层12之间的像素界定层13，量子点发光层12包括量子点发光材料和感光材料。

此处，本发明实施例可先形成量子点发光层12，之后，再形成像素界定13，以使得像素界定层13设置于相邻量子点发光层12之间。

在此基础上，阵列基板还包括设置于量子点发光层12背离所述第一电极11一侧的第二电极14。在第一电极11为阳极的情况下，第二电极14为阴极；在第一电极11为阴极的情况下，第二电极14为阳极。

需要说明的是，第一，不对量子点发光材料的具体材料进行限定，例如量子点发光材料包括硒化镉纳米晶体。

第二，不对感光材料的具体材料进行限定。例如，感光材料可以为固化材料，所述固化材料包括烯、炔、巯基、羟基等官能团中的至少一种；或者，感光材料可以为降解材料，所述降解材料的长分子链上包括有机金属化合物、羰基、环氧基中的至少一种。

对于感光材料分别为固化材料和降解材料时，量子点发光层12的形成方式，与前述一种阵列基板的制备方法中的说明相同，在此不再赘述。

第三，每个子像素区域可发出一种颜色的光，量子点发光层12中与一个子像素区域对应的部分发出的光可以是红色、绿色、蓝色中的一种；或者，量子点发光层12中与一个子像素区域对应的部分发出的光可以是品红、青色、黄色、白色中的一种。

当然，量子点发光层12还可以发出其他颜色的光，具体的，与实际应用有关，在此不再赘述。

此处，量子点发光层12中用于发出红光、绿光、蓝光的部分的材料可以相同，例如量子点发光层12中用于发出红光、绿光、蓝光的部分的材料均为硒化镉纳米晶体，可根据硒化镉纳米晶体的晶粒尺寸不同，发出不同颜色的光。

第四，不对像素界定层13的厚度进行限定，本领域的技术人员应该知道，像素界定层13用于防止相邻子像素区域之间串色，因此，像素界定层13的厚度应在不影响阵列基板的厚度的情况下尽可能大，具体的，以实际需求为准。

第五，不对像素界定层13的材料进行限定，本领域的技术人员应该知道，像素界定层13的材料应至少包括绝缘材料。

示例的，像素界定层13的材料包括氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、或者感光绝缘材料。

本发明实施例提供一种阵列基板，通过使像素界定层13设置于相邻量子点发光层12之间，可避免量子点发光层12在像素界定层13上爬坡，以避免量子点发光层12的厚度不均一，进而避免因量子点发光层12厚度不均一问题影响qled面板的量产，进一步的，即使所述阵列基板应用于高分辨率的qled显示面板，也不会因量子点发光层12在像素界定层13上爬坡的问题，而导致对制备像素界定层13的设备的精度以及稳定性的要求提高，从而影响qled面板的量产，同时，由于量子点发光层12包括量子点发光材料和感光材料，因此，通过曝光、显影，即可使量子点薄膜变为量子点发光层12，相较于仅包括量子点发光材料的量子点薄膜需通过曝光、显影、刻蚀才能变为量子点发光层12，本发明实施例可简化量子点发光层12的制备工艺。

在此基础上，现有技术是先形成像素界定层13，再在相邻像素界定层13之间采用喷墨打印的方式形成量子点发光层12，而本发明实施例则是先形成量子点发光层12，之后，在形成有量子点发光层12的衬底10上形成像素界定层13，因此，可先在衬底10上形成平铺一整层的量子点薄膜，并且形成量子点薄膜的工艺不局限于现有技术的喷墨打印一种，还可以通过旋涂、喷涂等工艺形成量子点薄膜。

可选的，如图6所示，像素界定层13包括：第一子像素界定层131和第二子像素界定层132，第一子像素界定层131形成于第二像素界定层132靠近衬底10的一侧；第一子像素界定层131不透明，第二子像素界定层132为绝缘层；沿衬底10的厚度方向，量子点发光层12靠近阵列基板的出光侧的表面在像素界定层13上的正投影，不超出第一子像素界定层131靠近所述阵列基板的出光侧的边沿。

需要说明的是，第一，衬底10的厚度方向，是指：衬底10指向量子点发光层12的方向，和/或，量子点发光层12指向衬底10的方向。

第二，当所述阵列基板应用于显示面板时，阵列基板的出光侧是指显示面板的显示侧，阵列基板可以沿衬底10指向量子点发光层12的方向出光，也可以沿量子点发光层12指向衬底10的方向出光。

第三，沿衬底10的厚度方向，量子点发光层12靠近阵列基板的出光侧的表面，不超出第一子像素界定层131的边沿。

具体的，若沿衬底10指向量子点发光层12的方向为阵列基板的出光方向，则量子点发光层12靠近第二电极14一侧的表面在像素界定层13上的投影，应不超出第一子像素界定层131靠近第二电极14一侧的边沿。

若沿量子点发光层12指向衬底10的方向为阵列基板的出光方向，则量子点发光层12靠近第一电极11一侧的表面在像素界定层13上的投影，应不超出第一子像素界定层131靠近第一电极11一侧的边沿。

第四，第一子像素界定层131用于吸收从各子像素区域的量子点发光层12出射的大角度光线，当阵列基板应用于显示面板时，为不影响显示面板的显示亮度，在阵列基板的出光侧，第一子像素界定层131超出量子点发光层12的部分的厚度应以实际应用为准，不宜过大。

第五，不对第一子像素界定层131的材料进行限定，只要其不透明即可。例如，第一子像素界定层131的材料可以是金属，或者，第一子像素界定层131的材料可以是包含碳的树脂。

本发明实施例中，通过使第一子像素界定层131为不透明材料，并且，沿衬底10的厚度方向，量子点发光层12靠近阵列基板的出光侧的表面在像素界定层13上的正投影，不超出第一子像素界定层131靠近所述阵列基板的出光侧的边沿，可以使从各子像素中的量子点发光层12出射的大角度光线被第一子像素界定层131吸收，从而避免相邻子像素区域之间串色，当阵列基板应用于显示面板时，影响显示面板的显示效果。

进一步可选的，第一子像素界定层131的材料包括金属，第二子像素界定层132完全覆盖第一子像素界定层131。

本发明实施例中，由于金属可以反射光线，从一个子像素区域的量子点发光层12发出的光线照射到第一子像素界定层131上后，经第一子像素界定层131反射，反射后的光线仍然可在该子像素区域内用于显示，从而增加显示画面的亮度；在此基础上，通过使第二子像素界定层132完全覆盖第一子像素界定层131，可以避免各个像素区域内的导电结构通过第一子像素界定层131电连接。

进一步可选的，如图7所示，像素界定层13还包括第三子像素界定层133，第三子像素界定层133为绝缘层；第一子像素界定层131完全覆盖第三子像素界定层133。

需要说明的是，第三子像素界定层133的材料可以与第二子像素界定层132的材料相同，也可以不相同。

本发明实施例中，若像素界定层13仅包括第一子像素界定层131和第二子像素界定层132，则第一子像素界定层131的厚度较大，而由于金属的重量较大，这样一来，在衬底10上形成厚度较大的金属时，可能会导致刚性的衬底10破碎，或者，导致柔性的衬底10变形。基于此，像素界定层13还包括被第一子像素界定层131完全覆盖的第三子像素界定层133，并且，采用重量较轻的绝缘材料作为第三子绝缘层133的材料，以减小第一子绝缘层131的厚度，避免在形成第一子像素界定层131的过程中，对衬底10造成不良影响。

当然，第一子像素界定层131、第二子像素界定层132、以及第三子像素界定层133也可以以其他形式设置，例如，沿一个子像素区域指向与其相邻的子像素区域的方向，第二子像素界定层132、第一子像素界定层131、以及第三子像素界定层133依次排布。

可选的，如图9所示，像素界定层13在衬底10上的正投影与量子点发光层12在衬底10上的正投影具有重叠区域，在重叠区域，量子点发光层12与像素界定层13直接接触；其中，沿一个子像素区域指向与其相邻的子像素区域的方向，重叠区域的宽度为500～1000nm。

示例的，所述重叠区域的宽度为500nm、800nm、1000nm。

本发明实施例中，通过使像素界定层13在衬底10上的正投影与量子点发光层12在衬底10上的正投影具有重叠区域，并且在重叠区域，量子点发光层12与像素界定层13直接接触，可以避免因工艺原因导致第二电极14与第一电极11电连接，从而影响阵列基板正常发光。

本发明实施例提供一种显示面板，包括前述任一实施例提供的阵列基板。

此处，在制备显示面板的过程中，通常是先制备显示面板母板，之后，再对显示面板母板进行切割，形成多个所述显示面板。

在此基础上，所述显示面板还包括覆盖第一电极11、量子点发光层12、以及第二电极14的封装盖板。

本发明实施例提供一种显示面板，具有与前述阵列基板相同的技术效果，在此不再赘述。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。