本发明属于半导体制造领域领域，尤其是涉及一种降低硅片背面金属的清洗方法。
背景技术：
在硅片制造领域，酸腐后的产品表面洁净程度在后续的加工品质中扮演着重要的角色，有些产品的酸腐面将直接保留到最后的产品出货。现有的酸腐后清洗工艺主要通过sc-1清洗液和sc-2清洗液进行清洗。但是酸腐后的硅片一般会进行热处理，硅片表面的金属、异物没有有效去除会在热处理的过程中发生沾污，并且带到后道工序，更加难以去除。减少硅片表金属含量和表面沾污能直接影响产品的最终质量和合格情况。由此可见,有效地去除酸腐后硅片表金属及异物具有非常重要的工艺价值。
技术实现要素：
有鉴于此，本发明旨在提出一种降低硅片背面金属的清洗方法，通过调整清洗药液类型和配比，可以有效控制硅片表金属含量和异物沾污。
为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：
一种降低硅片背面金属的清洗方法，包括如下清洗步骤：
1)nh4oh与h2o2混合溶液清洗；
2)hf与hcl混合溶液清洗；
3)酸溶液清洗。
优选的，所述的清洗步骤3)中的酸溶液为hf溶液或hcl溶液。
优选的，所述的清洗步骤3)中的酸溶液的浓度为5wt％-10wt％。
优选的，所述的清洗步骤3)中的酸溶液的浓度为8wt％。
优选的，所述清洗步骤1)中hf与hcl混合溶液中hf的浓度为3wt％-8wt％；hcl的浓度为3wt％-8wt％；hf与hcl混合溶液中hf与质量浓度比1：(0.8-1.2)。
优选的，所述清洗步骤1)中hf与hcl混合溶液中hf的浓度为5wt％；hcl的浓度为5wt％；hf与hcl混合溶液中hf与质量浓度比1：1。
优选的，所述清洗步骤1)至清洗步骤2)任一清洗时间为200-300秒，优选250秒。
优选的，所述清洗步骤1)中清洗温度为75℃-85℃，优选80℃。
优选的，所述清洗步骤1)中清洗温度为80℃。
优选的，所述清洗步骤1)至清洗步骤3)任一清洗步骤前均用去离子水清洗。
优选的，所述清洗步骤3)结束后用去离子水清洗。
所述的清洗方法在清洗硅片中的应用。
相对于现有技术，本发明所述的一种降低硅片背面金属的清洗方法能够有效降低硅片背面金属含量，降低了硅片的沾污。
具体实施方式
除有定义外，以下实施例中所用的技术术语具有与本发明创造所属领域技术人员普遍理解的相同含义。以下实施例中所用的试验试剂，如无特殊说明，均为常规生化试剂；所述实验方法，如无特殊说明，均为常规方法。
下面结合实施例来详细说明本发明。
实施例1
(1)配制清洗液：配制5wt％的hf和5wt％hcl混合溶液备用；配制8wt％的nh4oh和16wt％h2o2混合溶液备用；配制5wt％的hf溶液备用；取18mω去离子水备用。
(2)将50片8寸减薄片放入清洗机内，调节工艺参数如表一，开始自动清洗。
表一
(2)检测：使用icp-ms金属测试仪测量硅片表面金属含量(原子个数/平方厘米)，结果如表二中实施例1一栏所示，硅片表金属除了al金属含量达到了1.06e11，na、mg、k、ca、cr、mn、fe、ni、co、cu、zn、mo、ba、pb金属含量满足＜1.0e+11。相对于对比例1(没有使用hf的工艺方法)除ni含量没有降低外，其他金属含量均显著降低。
表二
对比例1
(1)配制清洗液：配制5wt％的hf和5wt％hcl混合溶液备用；配制8wt％的nh4oh和16wt％h2o2混合溶液备用；配制5wt％的hf溶液备用；取18mω去离子水备用。
(2)将50片8寸减薄片放入清洗机内，调节工艺参数如表三，开始自动清洗。
表三
(1)检测：使用icp-ms金属测试仪测量硅片表面金属含量(原子个数/平方厘米)，结果如表二对比例1一栏所示，硅片表金属除了al金属含量达到了1.06e11，na、mg、k、ca、cr、mn、fe、ni、co、cu、zn、mo、ba、pb金属含量满足＜1.0e+11，相对与实施例1来说金属含量增加明显。
所述的清洗机为韩国ase厂商的grindingcleaner1.0清洗机。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。