本实用新型涉及涌流抑制器和正温度系数热敏电阻。
背景技术：
热敏电阻是敏感元件的一类，按照温度系数不同分为正温度系数热敏电阻(PTC)和负温度系数热敏电阻(NTC)。热敏电阻的典型特点是对温度敏感，不同的温度下表现出不同的电阻值。正温度系数热敏电阻(PTC)在温度越高时电阻值越大，负温度系数热敏电阻(NTC)在温度越高时电阻值越低，它们同属于半导体器件。
涌流抑制器，顾名思义就是抑制励磁涌流的仪器。我们在空投变压器或者电容器组的时候，由于系统电压的相角都是随机的，所以常常会产生很大的励磁涌流，不仅会对运行设备造成危害，而且会导致保护装置误动，严重威胁系统运行的安全、可靠、稳定性。传统的做法是保护装置采用谐波制动、放大动作电流定值等方法躲过励磁涌流，治标不治本。而涌流抑制器是运用精确的相位控制技术，用二次设备控制一次设备，从根本上实现励磁涌流的有效抑制。
目前某些涌流抑制器采用正温度系数热敏电阻，但是目前的正温度系数热敏电阻由于裸露在外面，与空气接触，导致正温度系数热敏电阻的性能会随着时间的变化降低性能，减小使用寿命，从而导致采用正温度系数热敏电阻的涌流抑制器也会随着时间的变化降低性能，减小使用寿命。
技术实现要素：
基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种正温度系数热敏电阻和采用该正温度系数热敏电阻的涌流抑制器，避免随着时间的变化降低性能，提高使用寿命。
一种涌流抑制器，包括正温度系数热敏电阻；所述正温度系数热敏电阻包括：
圆柱状ptc芯片；
圆柱状密封盒，所述圆柱状密封盒包括圆柱状外框、圆片状上封盖和圆片状下封盖；所述圆柱状外框内设有ptc芯片容纳通孔；所述ptc芯片容纳通孔放置ptc芯片；所述所述圆片状上封盖封住所述ptc芯片的上表面；所述圆片状下封盖封住所述ptc芯片的下表面；
上圆片状铜箔，所述上圆片状铜箔设置在所述圆片状上封盖上表面；
下圆片状铜箔，所述下圆片状铜箔设置在所述圆片状下封盖下表面；
上引脚，所述上引脚与上圆片状铜箔的上表面固定连接；以及
下引脚，所述下引脚与下圆片状铜箔的下表面固定连接；
其中，所述上圆片状铜箔内设有上第一通孔，所述圆片状上封盖内设有上第二通孔，所述上圆片状铜箔与所述圆柱状ptc芯片的上表面通过第一铜柱电连接，所述第一铜柱填充所述上第一通孔和所述上第二通孔的空间；以及，
其中，所述下圆片状铜箔内设有下第一通孔，所述圆片状下封盖内设有下第二通孔，所述下圆片状铜箔与所述圆柱状ptc芯片的下表面通过第二铜柱电连接，所述第二铜柱填充所述下第一通孔和所述下第二通孔的空间。
在另外的一个实施例中，所述圆柱状ptc芯片是半导体圆柱状ptc芯片、金属圆柱状ptc芯片或者合金圆柱状ptc芯片。
在另外的一个实施例中，所述上引脚与所述下引脚关于所述圆柱状密封盒镜像对称分布。
在另外的一个实施例中，所述上引脚与所述下引脚关于所述圆柱状密封盒的中心中心对称分布。
在另外的一个实施例中，所述上引脚是铜制条状导电片。
在另外的一个实施例中，所述下引脚是铜制条状导电片。
一种正温度系数热敏电阻，包括：
圆柱状ptc芯片；
圆柱状密封盒，所述圆柱状密封盒包括圆柱状外框、圆片状上封盖和圆片状下封盖；所述圆柱状外框内设有ptc芯片容纳通孔；所述ptc芯片容纳通孔放置ptc芯片；所述所述圆片状上封盖封住所述ptc芯片的上表面；所述圆片状下封盖封住所述ptc芯片的下表面；
上圆片状铜箔，所述上圆片状铜箔设置在所述圆片状上封盖上表面；
下圆片状铜箔，所述下圆片状铜箔设置在所述圆片状下封盖下表面；
上引脚，所述上引脚与上圆片状铜箔的上表面固定连接；以及
下引脚，所述下引脚与下圆片状铜箔的下表面固定连接；
其中，所述上圆片状铜箔内设有上第一通孔，所述圆片状上封盖内设有上第二通孔，所述上圆片状铜箔与所述圆柱状ptc芯片的上表面通过第一铜柱电连接，所述第一铜柱填充所述上第一通孔和所述上第二通孔的空间；以及，
其中，所述下圆片状铜箔内设有下第一通孔，所述圆片状下封盖内设有下第二通孔，所述下圆片状铜箔与所述圆柱状ptc芯片的下表面通过第二铜柱电连接，所述第二铜柱填充所述下第一通孔和所述下第二通孔的空间。
在另外的一个实施例中，所述圆柱状ptc芯片是半导体圆柱状ptc芯片、金属圆柱状ptc芯片或者合金圆柱状ptc芯片。
在另外的一个实施例中，所述上引脚与所述下引脚关于所述圆柱状密封盒镜像对称分布。
在另外的一个实施例中，所述上引脚与所述下引脚关于所述圆柱状密封盒的中心中心对称分布。
在另外的一个实施例中，所述上引脚是铜制条状导电片。
在另外的一个实施例中，所述下引脚是铜制条状导电片。
一种正温度系数热敏电阻，包括：
圆柱状ptc芯片；
圆柱状密封盒，所述圆柱状密封盒包括圆柱状外框、圆片状上封盖和圆片状下封盖；所述圆柱状外框内设有ptc芯片容纳通孔；所述ptc芯片容纳通孔放置ptc芯片；所述所述圆片状上封盖封住所述ptc芯片的上表面；所述圆片状下封盖封住所述ptc芯片的下表面；
上圆片状银箔，所述上圆片状银箔设置在所述圆片状上封盖上表面；
下圆片状银箔，所述下圆片状银箔设置在所述圆片状下封盖下表面；
上引脚，所述上引脚与上圆片状银箔的上表面固定连接；以及
下引脚，所述下引脚与下圆片状银箔的下表面固定连接；
其中，所述上圆片状银箔内设有上第一通孔，所述圆片状上封盖内设有上第二通孔，所述上圆片状银箔与所述圆柱状ptc芯片的上表面通过第一铜柱电连接，所述第一铜柱填充所述上第一通孔和所述上第二通孔的空间；以及，
其中，所述下圆片状银箔内设有下第一通孔，所述圆片状下封盖内设有下第二通孔，所述下圆片状银箔与所述圆柱状ptc芯片的下表面通过第二铜柱电连接，所述第二铜柱填充所述下第一通孔和所述下第二通孔的空间。
在另外的一个实施例中，所述圆柱状ptc芯片是半导体圆柱状ptc芯片、金属圆柱状ptc芯片或者合金圆柱状ptc芯片。
在另外的一个实施例中，所述上引脚与所述下引脚关于所述圆柱状密封盒镜像对称分布。
在另外的一个实施例中，所述上引脚与所述下引脚关于所述圆柱状密封盒的中心中心对称分布。
在另外的一个实施例中，所述上引脚是铜制条状导电片。
在另外的一个实施例中，所述下引脚是铜制条状导电片。
上述正温度系数热敏电阻和采用该正温度系数热敏电阻的涌流抑制器，避免了现有的产品随着时间的变化降低性能，提高了使用寿命。
附图说明
图1为本申请实施例提供的一种正温度系数热敏电阻的爆炸示意图。
图2为本申请实施例提供的一种正温度系数热敏电阻的轴测剖视图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
一种涌流抑制器，包括正温度系数热敏电阻；所述正温度系数热敏电阻包括：
圆柱状ptc芯片；
圆柱状密封盒，所述圆柱状密封盒包括圆柱状外框、圆片状上封盖和圆片状下封盖；所述圆柱状外框内设有ptc芯片容纳通孔；所述ptc芯片容纳通孔放置ptc芯片；所述所述圆片状上封盖封住所述ptc芯片的上表面；所述圆片状下封盖封住所述ptc芯片的下表面；
上圆片状铜箔，所述上圆片状铜箔设置在所述圆片状上封盖上表面；
下圆片状铜箔，所述下圆片状铜箔设置在所述圆片状下封盖下表面；
上引脚，所述上引脚与上圆片状铜箔的上表面固定连接；以及
下引脚，所述下引脚与下圆片状铜箔的下表面固定连接；
其中，所述上圆片状铜箔内设有上第一通孔，所述圆片状上封盖内设有上第二通孔，所述上圆片状铜箔与所述圆柱状ptc芯片的上表面通过第一铜柱电连接，所述第一铜柱填充所述上第一通孔和所述上第二通孔的空间；以及，
其中，所述下圆片状铜箔内设有下第一通孔，所述圆片状下封盖内设有下第二通孔，所述下圆片状铜箔与所述圆柱状ptc芯片的下表面通过第二铜柱电连接，所述第二铜柱填充所述下第一通孔和所述下第二通孔的空间。
可以理解，“所述圆片状上封盖封住所述ptc芯片的上表面”只要所述圆片状上封盖的面积大于所述ptc芯片的上表面的面积，同时所述圆片状上封盖可以遮住所述ptc芯片的上表面露出的部分即可。较优地，所述圆片状上封盖的直径与所述圆柱状外框的直径相同，同时所述圆片状上封盖的边缘与所述圆柱状外框的边缘重合。
可以理解，“所述圆片状下封盖封住所述ptc芯片的下表面”只要所述圆片状下封盖的面积大于所述ptc芯片的下表面的面积，同时所述圆片状下封盖可以遮住所述ptc芯片的下表面露出的部分即可。较优地，所述圆片状下封盖的直径与所述圆柱状外框的直径相同，同时所述圆片状下封盖的边缘与所述圆柱状外框的边缘重合。
在另外的一个实施例中，所述圆柱状ptc芯片是半导体圆柱状ptc芯片、金属圆柱状ptc芯片或者合金圆柱状ptc芯片。也就是说，本申请不限制圆柱状ptc芯片的类型。
在另外的一个实施例中，所述上引脚与所述下引脚关于所述圆柱状密封盒镜像对称分布。
在另外的一个实施例中，所述上引脚与所述下引脚关于所述圆柱状密封盒的中心中心对称分布。也就是说，所述上引脚与所述下引脚反向镜像对称。需要注意的，本申请的附图只给出所述上引脚与所述下引脚关于所述圆柱状密封盒镜像对称分布的示意图。
可以理解，本申请不限制所述上引脚与所述下引脚的位置关系，本申请镜像对称和反向镜像对称只是给出了可能的两个示例。
在另外的一个实施例中，所述上引脚是铜制条状导电片。
在另外的一个实施例中，所述下引脚是铜制条状导电片。
可以理解，所述上引脚与所述下引脚可以采用同样的导电材料，也可以采用不同的导电材料。在另外的一个实施例中，所述上引脚和所述下引脚都是铜制条状导电片。当然，也可以采用其他材料制成的导电片。
参阅图1和图2，一种正温度系数热敏电阻，包括：圆柱状ptc芯片100；圆柱状密封盒，所述圆柱状密封盒包括圆柱状外框210、圆片状上封盖220和圆片状下封盖230；所述圆柱状外框内设有ptc芯片容纳通孔211；所述ptc芯片容纳通孔放置ptc芯片；所述所述圆片状上封盖封住所述ptc芯片的上表面；所述圆片状下封盖封住所述ptc芯片的下表面；上圆片状铜箔300，所述上圆片状铜箔设置在所述圆片状上封盖上表面；下圆片状铜箔400，所述下圆片状铜箔设置在所述圆片状下封盖下表面；上引脚500，所述上引脚与上圆片状铜箔的上表面固定连接；以及下引脚600，所述下引脚与下圆片状铜箔的下表面固定连接；其中，所述上圆片状铜箔内设有上第一通孔310，所述圆片状上封盖内设有上第二通孔221，所述上圆片状铜箔与所述圆柱状ptc芯片的上表面通过第一铜柱700电连接，所述第一铜柱填充所述上第一通孔和所述上第二通孔的空间；以及，其中，所述下圆片状铜箔内设有下第一通孔410，所述圆片状下封盖内设有下第二通孔231，所述下圆片状铜箔与所述圆柱状ptc芯片的下表面通过第二铜柱800电连接，所述第二铜柱填充所述下第一通孔和所述下第二通孔的空间。
可以理解，“所述圆片状上封盖封住所述ptc芯片的上表面”只要所述圆片状上封盖的面积大于所述ptc芯片的上表面的面积，同时所述圆片状上封盖可以遮住所述ptc芯片的上表面露出的部分即可。较优地，所述圆片状上封盖的直径与所述圆柱状外框的直径相同，同时所述圆片状上封盖的边缘与所述圆柱状外框的边缘重合。
可以理解，“所述圆片状下封盖封住所述ptc芯片的下表面”只要所述圆片状下封盖的面积大于所述ptc芯片的下表面的面积，同时所述圆片状下封盖可以遮住所述ptc芯片的下表面露出的部分即可。较优地，所述圆片状下封盖的直径与所述圆柱状外框的直径相同，同时所述圆片状下封盖的边缘与所述圆柱状外框的边缘重合。
在另外的一个实施例中，所述圆柱状ptc芯片是半导体圆柱状ptc芯片、金属圆柱状ptc芯片或者合金圆柱状ptc芯片。也就是说，本申请不限制圆柱状ptc芯片的类型。
在另外的一个实施例中，所述上引脚与所述下引脚关于所述圆柱状密封盒镜像对称分布。
在另外的一个实施例中，所述上引脚与所述下引脚关于所述圆柱状密封盒的中心中心对称分布。也就是说，所述上引脚与所述下引脚反向镜像对称。需要注意的，本申请的附图只给出所述上引脚与所述下引脚关于所述圆柱状密封盒镜像对称分布的示意图。
可以理解，本申请不限制所述上引脚与所述下引脚的位置关系，本申请镜像对称和反向镜像对称只是给出了可能的两个示例。
在另外的一个实施例中，所述上引脚是铜制条状导电片。
在另外的一个实施例中，所述下引脚是铜制条状导电片。
可以理解，所述上引脚与所述下引脚可以采用同样的导电材料，也可以采用不同的导电材料。在另外的一个实施例中，所述上引脚和所述下引脚都是铜制条状导电片。当然，也可以采用其他材料制成的导电片。
一种正温度系数热敏电阻，包括：
圆柱状ptc芯片；
圆柱状密封盒，所述圆柱状密封盒包括圆柱状外框、圆片状上封盖和圆片状下封盖；所述圆柱状外框内设有ptc芯片容纳通孔；所述ptc芯片容纳通孔放置ptc芯片；所述所述圆片状上封盖封住所述ptc芯片的上表面；所述圆片状下封盖封住所述ptc芯片的下表面；
上圆片状银箔，所述上圆片状银箔设置在所述圆片状上封盖上表面；
下圆片状银箔，所述下圆片状银箔设置在所述圆片状下封盖下表面；
上引脚，所述上引脚与上圆片状银箔的上表面固定连接；以及
下引脚，所述下引脚与下圆片状银箔的下表面固定连接；
其中，所述上圆片状银箔内设有上第一通孔，所述圆片状上封盖内设有上第二通孔，所述上圆片状银箔与所述圆柱状ptc芯片的上表面通过第一铜柱电连接，所述第一铜柱填充所述上第一通孔和所述上第二通孔的空间；以及，
其中，所述下圆片状银箔内设有下第一通孔，所述圆片状下封盖内设有下第二通孔，所述下圆片状银箔与所述圆柱状ptc芯片的下表面通过第二铜柱电连接，所述第二铜柱填充所述下第一通孔和所述下第二通孔的空间。
需要注意的是，该实施例，跟上述技术方案的区别是上圆片状银箔替换了上圆片状铜箔，以及下圆片状银箔替换了下圆片状铜箔。
可以理解，“所述圆片状上封盖封住所述ptc芯片的上表面”只要所述圆片状上封盖的面积大于所述ptc芯片的上表面的面积，同时所述圆片状上封盖可以遮住所述ptc芯片的上表面露出的部分即可。较优地，所述圆片状上封盖的直径与所述圆柱状外框的直径相同，同时所述圆片状上封盖的边缘与所述圆柱状外框的边缘重合。
可以理解，“所述圆片状下封盖封住所述ptc芯片的下表面”只要所述圆片状下封盖的面积大于所述ptc芯片的下表面的面积，同时所述圆片状下封盖可以遮住所述ptc芯片的下表面露出的部分即可。较优地，所述圆片状下封盖的直径与所述圆柱状外框的直径相同，同时所述圆片状下封盖的边缘与所述圆柱状外框的边缘重合。
在另外的一个实施例中，所述圆柱状ptc芯片是半导体圆柱状ptc芯片、金属圆柱状ptc芯片或者合金圆柱状ptc芯片。也就是说，本申请不限制圆柱状ptc芯片的类型。
在另外的一个实施例中，所述上引脚与所述下引脚关于所述圆柱状密封盒镜像对称分布。
在另外的一个实施例中，所述上引脚与所述下引脚关于所述圆柱状密封盒的中心中心对称分布。也就是说，所述上引脚与所述下引脚反向镜像对称。需要注意的，本申请的附图只给出所述上引脚与所述下引脚关于所述圆柱状密封盒镜像对称分布的示意图。
可以理解，本申请不限制所述上引脚与所述下引脚的位置关系，本申请镜像对称和反向镜像对称只是给出了可能的两个示例。
在另外的一个实施例中，所述上引脚是铜制条状导电片。
在另外的一个实施例中，所述下引脚是铜制条状导电片。
可以理解，所述上引脚与所述下引脚可以采用同样的导电材料，也可以采用不同的导电材料。在另外的一个实施例中，所述上引脚和所述下引脚都是铜制条状导电片。当然，也可以采用其他材料制成的导电片。
上述正温度系数热敏电阻和采用该正温度系数热敏电阻的涌流抑制器，避免了现有的产品随着时间的变化降低性能，提高了使用寿命。具体地，圆柱状ptc芯片通过圆柱状密封盒进行密封，接触外界空气的概率大大降低，提高了使用寿命。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。