可实现集束晶圆级老化的芯片、晶圆的制作方法

本实用新型涉及芯片测试领域，具体涉及一种可实现集束晶圆级老化的芯片、晶圆。

背景技术：

晶圆级老化处理是基于温度加速法筛选早期失效芯片的有效方法。

晶圆级老化处理的方法应该满足如下要求：1)不应该毁坏芯片本身；2)应用方便。

现有的晶圆级老化处理方法是：在高温下，如165度下通电90分钟后，再测试芯片的基本参数，将失效的芯片剔除出去，该方法加速模拟芯片澡盆形状早期失效的环境，因此可以减小产品的现场失效机会。

图1所示是现有技术中一个典型的晶圆级老化处理：在一个晶圆上，每颗芯片的电源端Vdd都需要一个探针，用于提供电源，另外，在每一个芯片的Vss端也需要一个探针。这样，在老化时，就会有2N个探针作用在晶圆上，导致如下缺陷：

1)探针过多，导致成本过高；

2)可靠性变差。过多的探针接触所有芯片的可靠性变差，有可能导致有的芯片漏掉老化处理；

3)每一个芯片电源和地的打线端上都会产生探针印，会影响后续打线的可靠性，从而影响产品的可靠性。

技术实现要素：

为克服上述现有技术中存在的不足，本实用新型提出一种可实现集束晶圆级老化的芯片，该芯片可实现集束晶圆级老化处理，免除了芯片Vdd和Vss上出现探针孔的现象，提高了芯片打线的可靠性。

本实用新型还提出一种可实现集束晶圆级老化的晶圆，晶圆在实现集束晶圆级老化处理时可明显减少探针数量，减小成本，并且可以提高老化处理的可靠性。

本实用新型还公开了一种可实现集束晶圆级老化的处理方法，该方法可有效提高芯片老化处理的可靠性，同时提高芯片的质量。

本实用新型解决上述问题的技术方案是：

一种可实现集束晶圆级老化的芯片，包括芯片，其特殊之处在于：

还包含两根引线，所述两根引线分别从芯片的Vdd端和Vss端引出至芯片边缘。

本实用新型还提出一种可实现集束晶圆级老化的晶圆，包括晶圆本体和阵列在晶圆本体上的多个上述芯片，其特殊之处在于：

所述晶圆本体上还设有测试区；测试区包括Vdd端和Vss端；

所有芯片还包含两根引线，两根引线分别从芯片的Vdd端和Vss端引出至芯片边缘；所有芯片的Vdd端通过引线与测试区的Vdd端连接，所有芯片的Vss端通过引线与测试区的Vss端连接。

进一步地，上述晶圆本体上设有划片槽，所有引线布置在划片槽内。

进一步地，上述晶圆本体划分有多个芯片集束群，每个芯片集束群包括多个芯片；每个芯片集束群对应一个测试区，或多个芯片集束群对应一个测试区，或所有芯片集束群对应一个测试区。

进一步地，上述测试区设有1～4个Vdd端口以及相应数量的Vss端口。

进一步地，上述测试区设有2个或4个Vdd端口。

另外，本实用新型还公开了一种可实现集束晶圆级老化的处理方法，其特殊之处在于，包括以下步骤：

步骤1)在晶圆本体上设置多个芯片、至少一个测试区，芯片间设有划片槽，所有芯片的Vdd端通过引线与测试区的Vdd端连接，所有芯片的Vss端通过引线与测试区的Vss端连接，引线布置在划片槽内；

步骤2)用Vdd探针和Vss探针与测试区的Vdd端和Vss端接触进行老化处理；

步骤3)对晶圆本体按照划片槽进行切割，划片槽内的引线被切割掉，形成独立的芯片，芯片Vdd端和Vss端的引线保留。

进一步地，上述步骤1)中晶圆本体划分为多个芯片集束群，每个芯片集束群包括多个芯片；每个芯片集束群对应一个测试区，或多个芯片集束群对应一个测试区，或所有芯片集束群对应一个测试区。

本实用新型的优点：

1、本实用新型可实现集束晶圆级老化的晶圆，该晶圆在实现集束晶圆级老化处理时可明显减少探针数量，减小成本，并且可以提高老化处理的可靠性。

2、本实用新型可实现集束晶圆级老化的晶圆，该晶圆在实现集束晶圆级老化处理时可明显大量减少探针数量，减小成本，并且可以提高老化处理的可靠性。

3、本实用新型可实现集束晶圆级老化的处理方法，该方法可有效提高芯片老化处理的可靠性，同时提高了芯片的质量。

附图说明

图1是现有技术晶圆级老化处理的示意图；

图2是本实用新型可实现集束晶圆级老化的芯片；

图3是本实用新型可实现集束晶圆级老化的晶圆测试区有1个Vdd端口的示意图；

图4是本实用新型可实现集束晶圆级老化的晶圆测试区有2个Vdd端口的示意图；

图5是本实用新型可实现集束晶圆级老化的晶圆测试区有4个Vdd端口的示意图。

其中，1-芯片；2-引线；3-晶圆本体；4-测试区；5-划片槽；6-芯片集束群。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

参见图2，一种可实现集束晶圆级老化的芯片，包括芯片1和引线2，引线2的数量为两根，两根引线2分别从芯片1的Vdd端和Vss端引出。

参见图2-图5，一种可实现集束晶圆级老化的晶圆，包括晶圆本体3和阵列在晶圆本体3上的多个芯片1，晶圆本体3上还设有测试区4，测试区4包括Vdd端和Vss端；所有芯片1还包含两根引线2，两根引线2分别从芯片1的Vdd端和Vss端引出至芯片边缘；所有芯片的Vdd端通过引线与测试区的Vdd端连接，所有芯片的Vss端通过引线与测试区的Vss端连接。晶圆本体3上设有划片槽5，所有引线2布置在划片槽5内。

若芯片1本身电流消耗过大，也可以几十个芯片1形成一个芯片集束群6，在晶圆本体3上形成多个芯片集束群6；每个芯片集束群6包括多个芯片1，每个芯片集束群6对应一个测试区4。一个芯片所需测试电流为1～10MA,根据电流的大小，可以选择Vdd端探针个数。

测试区4设有1～4个Vdd端口，优选2个或4个Vdd端口。Vss端口的数量与Vdd端口的数量相同。

图4为本实用新型可实现集束晶圆级老化的晶圆测试区有2个Vdd端口的示意图，其中，连接Vdd端的引线、连接Vss地线的引线均采用金属线，其中一种金属线位于地层，另一种位于上层，中间绝缘，这样，两条金属线分流在不同层就不会导致短路，且节省空间。这里第一套Vdd和Vss老化左半部芯片，第二套Vdd和Vss老化右半部芯片。这样就不会因为每一集束的芯片过多，导致电流过大，使得金属线过载烧毁。

图5是本实用新型可实现集束晶圆级老化的晶圆测试区有4个Vdd端口的示意图，此处wafer的芯片比较多，或者单颗芯片电流比较大时，将整个晶圆本体3分为4个区。每个区由一对Vdd和Vss供电老化，为节省wafer的空间，集束晶圆级老化区的中间部分可以放些参数测量原件用于wafer制作的评估。

一种可实现集束晶圆级老化的处理方法，包括以下步骤：

步骤1)晶圆本体3上阵列多个芯片，晶圆本体3上还设有测试区4，晶圆本体3上还设有划片槽5，所有芯片的Vdd端通过引线与测试区4的Vdd端连接，所有芯片的Vss端通过引线与测试区4的Vss端连接，引线布置在划片槽5内；

步骤2)用Vdd探针和Vss探针与测试区4的Vdd端和Vss端接触进行测试；

步骤3)剔除失效的芯片；

步骤4)对晶圆本体3按照划片槽5进行切割，划片槽5内的引线被切割掉，形成独立的芯片，芯片Vdd端和Vss端的引线2保留。

其中，步骤1)中晶圆本体3上的芯片形成多个芯片集束群6，每个芯片集束群6包括多个芯片；每个芯片集束群6对应一个测试区4，或多个芯片集束群6对应一个测试区4，或所有芯片集束群6对应一个测试区4。