技术总结
本实用新型属柔性器件技术领域，为提出可以在不同的弯曲程度之下工作晶体管技术方案，为此，本实用新型采用的技术方案是，硅纳米膜柔性平面栅双沟道薄膜晶体管，聚对苯二甲酸乙二醇酯PET柔性衬底上方依次为氧化铟锡ITO中间导电层、铌铋镁BMN栅介电层、硅薄膜，硅薄膜内间隔设置有掺杂区，两端的掺杂区上方分别设有金属漏电极，中间的掺杂区上方金属源电极，在穿透硅薄膜和BMN栅介电层的通孔内沉积金属直至在通孔上方形成有金属栅电极，所述金属栅电极通过所述通孔内的沉积金属直接接触ITO中间导电层，并进一步连接金属漏电极。本实用新型主要应用于柔性器件的设计制造。
技术研发人员：秦国轩;裴智慧
受保护的技术使用者：天津大学
技术研发日：2018.05.04
技术公布日：2019.01.11