一种自旋光电子器件的制作方法

本实用新型涉及半导体光电子技术领域，特别涉及一种自旋光电子器件。

背景技术：

利用电-光子转换效应制成的各种功能器件，光电子器件的设计原理是依据外场对导波光传播方式的改变，它也有别于早期人们袭用的光电器件，光电子器件是光电子技术的关键和核心部件，是现代光电技术与微电子技术的前沿研究领域，是信息技术的重要组成部分。

目前市场上的自旋光电子器件大多容易因磁性金属与半导体之间电率失配而引起自旋注入效率较低的问题，使用起来效率较低，很不方便。

技术实现要素：

针对现有技术的不足，本实用新型提供了一种自旋光电子器件，解决了目前市场上的自旋光电子器件大多容易因磁性金属与半导体之间电率失配而引起自旋注入效率较低的问题。

为实现上述目的，本实用新型采取的技术方案为：一种自旋光电子器件，包括固定座，所述固定座的一侧面固定连接有阻隔垫，所述阻隔垫远离固定座的一侧面固定连接有连接垫，所述连接垫远离阻隔垫的一侧面固定连接有量子点，所述量子点远离连接垫的一侧固定连接有量子阱，所述量子阱远离量子点的一侧面固定连接有氧化垫，所述氧化垫远离量子阱的一侧面固定连接有电子层，所述电子层远离氧化垫的一侧面固定连接有保护壳，所述保护壳远离电子层的一侧面固定连接有电极块。

进一步的，所述氧化垫采用三氧化二锰材质制成。

进一步的，所述电子层采用氟化锂材质制成。

进一步的，所述保护壳采用钯合金材质制成。

与现有技术相比，本实用新型具有如下有益效果：该自旋光电子器件，通过设置电子层、氧化垫、量子阱和量子点，电子层和氧化垫形成的自旋注入结构将电子层中产生的自旋极化电子传输到量子阱和量子点，从而达到了避免因磁性金属与半导体之间电率失配而引起自旋注入效率较低的效果，实现了提高使用效率的目标，从而使用起来更加方便。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图。

图中：1、固定座；2、阻隔垫；3、连接垫；4、量子点；5、量子阱；6、氧化垫；7、电子层；8、保护壳；9、电极块。

具体实施方式

为使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本实用新型。

如图1所示，一种自旋光电子器件，包括固定座1，固定座1的一侧面固定连接有阻隔垫2，阻隔垫2远离固定座1的一侧面固定连接有连接垫3，连接垫3远离阻隔垫2的一侧面固定连接有量子点4，量子点4远离连接垫3的一侧固定连接有量子阱5，量子阱5远离量子点4的一侧面固定连接有氧化垫6，氧化垫6采用三氧化二锰材质制成，氧化垫6远离量子阱5的一侧面固定连接有电子层7，电子层7采用氟化锂材质制成，电子层7远离氧化垫6的一侧面固定连接有保护壳8，保护壳8采用钯合金材质制成，保护壳8远离电子层7的一侧面固定连接有电极块9，通过设置电子层7、氧化垫6、量子阱5和量子点4，电子层7和氧化垫6形成的自旋注入结构将电子层7中产生的自旋极化电子传输到量子阱5和量子点4，从而达到了避免因磁性金属与半导体之间电率失配而引起自旋注入效率较低的效果，实现了提高使用效率的目标，从而使用起来更加方便。

综上所述，该自旋光电子器件，通过设置电子层7、氧化垫6、量子阱5和量子点4，电子层7和氧化垫6形成的自旋注入结构将电子层7中产生的自旋极化电子传输到量子阱5和量子点4，从而达到了避免因磁性金属与半导体之间电率失配而引起自旋注入效率较低的效果，实现了提高使用效率的目标，从而使用起来更加方便，解决了目前市场上的自旋光电子器件大多容易因磁性金属与半导体之间电率失配而引起自旋注入效率较低的问题。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。