1.一种基于钙钛矿材料的阻变存储器，其特征在于：所述存储器从上至下依次包括顶电极、卤化物钙钛矿层、二氧化钛薄膜层、底电极和玻璃基底，其中：所述卤化物钙钛矿材料中掺杂有Zr元素。
2.根据权利要求1所述的基于钙钛矿材料的阻变存储器，其特征在于：所述的顶电极的厚度为50nm～300nm。
3.根据权利要求1或2所述的基于钙钛矿材料的阻变存储器，其特征在于：所述顶电极的形状为圆形或者矩形，直径或边长为50nm～1mm。
4.根据权利要求1所述的基于钙钛矿材料的阻变存储器，其特征在于：所述卤化物钙钛矿层的厚度50nm～1μm。
5.根据权利要求1所述的基于钙钛矿材料的阻变存储器，其特征在于：所述卤化物钙钛矿层的形状为圆形或者矩形，直径或边长为50nm～2cm。
6.根据权利要求1所述的基于钙钛矿材料的阻变存储器，其特征在于：所述二氧化钛薄膜层的厚度为50nm～1μm，直径或边长为50nm～2cm。
7.根据权利要求1所述的基于钙钛矿材料的阻变存储器，其特征在于：所述的底电极的厚度为50nm～300nm。
8.根据权利要求1所述的基于钙钛矿材料的阻变存储器，其特征在于：所述底电极的形状为圆形或者矩形，直径或边长为50nm～2cm。
9.根据权利要求1所述的基于钙钛矿材料的阻变存储器，其特征在于：所述的卤化物钙钛矿层材料的分子通式为ABX3，其中：A＝CH3NH3或Cs；B＝Pb；X＝Cl，Br或I。
10.根据权利要求1所述的基于钙钛矿材料的阻变存储器，其特征在于：所述的顶电极材料为Pt、Au或W中的任一种；所述的底电极材料为FTO、ITO、ZTO或AZO中的任一种。