技术总结
本实用新型公开了一种基于钙钛矿材料的阻变存储器，属于功能器件技术领域。本实用新型的阻变存储器从上至下依次包括顶电极、卤化物钙钛矿层、二氧化钛薄膜层、底电极和玻璃基底，所述卤化物钙钛矿材料中掺杂有Zr元素，所述的卤化物钙钛矿材料的分子通式为ABX3，其中：A＝CH3NH3或Cs；B＝Pb；X＝Cl，Br或I。本实用新型仅通过在底电极与钙钛矿薄膜层之间添加一层二氧化钛薄膜，同时在钙钛矿薄膜中掺入Zr元素，使本实用新型制得的阻变存储器的开关比和稳定性明显提高，器件功耗显著减低。另外，由于本实用新型的阻变存储器制备成本低，制备工艺简单，有利于产业化应用，具有良好的市场应用前景。
技术研发人员：周潇文;王浩;何玉立;蔡恒梅;马国坤
受保护的技术使用者：湖北大学
技术研发日：2018.07.24
技术公布日：2019.01.29