1.一种防栅极漏电流的MOS-HEMT，其特征在于，包括从下至上依次层叠设置的衬底、缓冲层、GaN层、AlGaN层，所述AlGaN层的上表面从左到右有依次设置有源极、介电层以及漏极，所述AlGaN层分别与所述漏极和所述源极形成欧姆接触，所述介电层上方设置有栅极，所述介电层为High-k材料。
2.根据权利要求1所述的防栅极漏电流的MOS-HEMT，其特征在于，所述介电层使用原子层沉积形成。
3.根据权利要求1或2所述的防栅极漏电流的MOS-HEMT，其特征在于，所述介电层的材料为HfO2、MgO、TiO2、Ga2O3、旋涂式介电材料、拓扑绝缘体中的任意一种。
4.根据权利要求3所述的防栅极漏电流的MOS-HEMT，其特征在于，所述缓冲层的材料为AlN或低温GaN。
5.根据权利要求3所述的防栅极漏电流的MOS-HEMT，其特征在于，所述AlGaN层的厚度小于25nm。