1.一种浅沟槽隔离结构，其特征在于，包括：
衬底；
第一沟槽，位于所述衬底内；
侧壁保护层，位于所述第一沟槽的侧壁上，且自所述第一沟槽的底部延伸至所述衬底之上；
第二沟槽，部分位于所述衬底内，且位于所述侧壁保护层的内侧；
第三沟槽，位于所述衬底内，且位于所述第二沟槽的底部，与所述第二沟槽相连通；
衬底氧化层，位于所述第三沟槽的侧壁及底部；
隔离介质层，位于所述第二沟槽及所述第三沟槽内，填满所述第二沟槽及所述第三沟槽，且所述隔离介质层的上表面与所述侧壁保护层的上表面相平齐。
2.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构，其特征在于：所述侧壁保护层包括氮化硅层。
3.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构，其特征在于：所述侧壁保护层包括氮氧化硅层。
4.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构，其特征在于：所述侧壁保护层的横向尺寸介于4～6nm之间。
5.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构，其特征在于：所述第一沟槽的深度介于20～50nm之间；所述第三沟槽的深度介于150～400nm之间。
6.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构，其特征在于：所述衬底氧化层的厚度介于5～10nm之间。
7.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构，其特征在于：所述第三沟槽的横截面呈倒梯形。
8.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构，其特征在于：所述侧壁保护层位于所述衬底内的高度与所述侧壁保护层的总高度之比介于1:5～1:2之间。