技术总结
本实用新型提供一种浅沟槽隔离结构，包括衬底、第一沟槽、侧壁保护层、第二沟槽、第三沟槽、衬底氧化层及隔离介质层；第一沟槽位于衬底内；侧壁保护层位于第一沟槽的侧壁上，且自第一沟槽的底部延伸至衬底之上；第二沟槽部分位于衬底内，且位于侧壁保护层的内侧；第三沟槽位于衬底内；衬底氧化层位于第三沟槽的侧壁及底部；隔离介质层位于第二沟槽及所述第三沟槽内，填满第二沟槽及第三沟槽，且隔离介质层的上表面与侧壁保护层的上表面相平齐。本实用新型的浅沟槽隔离结构，能够起到良好的隔离效果，提升器件性能。
技术研发人员：宛伟
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2018.09.14
技术公布日：2019.06.25