1.一种阵列式n极通孔叉指电极正装LED芯片，自下而上依次包括衬底、n型半导体层、发光层和p型半导体层，其特征在于，在p型半导体层上设有与p型半导体层电性连接的电流扩展层，在电流扩展层上设有与电流扩展层绝缘连接的绝缘隔离层，在绝缘隔离层上设有呈矩形阵列分布的n极通孔,所述n极通孔自上而下延伸至n型半导体层，在n极通孔内壁上设有绝缘隔离壁；在绝缘隔离层上并排设有多列p极通孔或者p极通槽，所述p极通孔或者p极通槽自上而下延伸至电流扩展层，沿左右方向一列p极通孔或者p极通槽与一列n极通孔交替布置而形成叉指结构；在n极通孔内设有n极导电柱，同列n极导电柱电性连接后，每列n极导电柱在一端再进行电性连接而形成n电极，在p极通孔或者p极通槽内设有p极导电柱或者p极导电块，同列p极导电柱或者p极导电块电性连接后，每列p极导电柱或者p极导电块在另一端再进行电性连接而形成p电极。
2.根据权利要求1所述的阵列式n极通孔叉指电极正装LED芯片，其特征在于，所述绝缘隔离层与绝缘隔离壁为一体成型。
3.根据权利要求1所述的阵列式n极通孔叉指电极正装LED芯片，其特征在于，所述电流扩展层材质为透明导电材料。
4.根据权利要求1至3任一项所述的阵列式n极通孔叉指电极正装LED芯片，其特征在于，所述绝缘隔离层材质为二氧化硅或者氮化硅。