技术总结
本实用新型公开了一种阵列式n极通孔叉指电极正装LED芯片，属于半导体发光器件技术领域，自下而上依次包括衬底、n型半导体层、发光层和p型半导体层，在p型半导体层上设有电流扩展层，在电流扩展层上设有绝缘隔离层，在绝缘隔离层上设有呈矩形阵列分布的n极通孔；在绝缘隔离层上并排设有多列p极通孔或者p极通槽，所述p极通孔或者p极通槽自上而下延伸至电流扩展层，沿左右方向一列p极通孔或者p极通槽与一列n极通孔交替布置而形成叉指结构；实现了p极导电柱或者p极导电块连续性电性连接而形成p电极，n电极与p电极呈叉指电极结构形式；从而在不影响电流扩展性能的前提下，减小了LED有效发光面积的损失，提升了LED亮度。
技术研发人员：吕家将;吴毅;刘赣华;夏志平;王文超
受保护的技术使用者：九江职业技术学院
技术研发日：2018.12.04
技术公布日：2019.06.04