1.一种陶瓷电子部件的制造方法，其特征在于，具备：
准备含有包含钛的金属氧化物的陶瓷坯体的工序；
向所述陶瓷坯体的表层部的一部分照射脉冲激光，对所述金属氧化物进行改质而形成低电阻部的工序；以及
在所述低电阻部上通过电解电镀处理而形成电极的工序，
以峰值功率密度1×106W/cm2～1×109W/cm2、频率500kHz以下照射所述脉冲激光。
2.根据权利要求1所述的陶瓷电子部件的制造方法，其中，
在所述低电阻部，所述金属氧化物进行n型半导体化。
3.根据权利要求1或2所述的陶瓷电子部件的制造方法，
以峰值功率密度1×106W/cm2～1×108W/cm2、频率10kHz～100kHz照射所述脉冲激光。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的陶瓷电子部件的制造方法，其中，
所述陶瓷坯体含有BaTiO3。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的陶瓷电子部件的制造方法，其特征在于，
所述陶瓷电子部件为层叠陶瓷电容器，
多个内部电极的端部在所述陶瓷电子部件的两端面露出，
在与所述陶瓷电子部件的两端面邻接的至少一个侧面且与所述两端面的附近部分形成所述低电阻部，
所述电极在所述陶瓷电子部件的两端面和所述低电阻部上连续地形成。
6.一种陶瓷电子部件，其特征在于，具备：
陶瓷坯体，其含有包含钛的金属氧化物；
低电阻部，其形成在所述陶瓷坯体的表层部的一部分，且将所述金属氧化物改质而成；以及
由电镀金属构成的电极，该电极形成在所述低电阻部上，
在所述低电阻部，金属氧化物进行n型半导体化。
7.根据权利要求6所述的陶瓷电子部件，其中，
所述陶瓷坯体含有BaTiO3。
8.根据权利要求6或7所述的陶瓷电子部件，其中，
所述陶瓷电子部件为层叠陶瓷电容器，
多个内部电极的端部在所述陶瓷电子部件的两端面露出，
在与所述陶瓷电子部件的两端面邻接的至少一个侧面且与所述两端面的附近部分形成所述低电阻部，
由所述电镀金属构成的电极在所述陶瓷电子部件的两端面和所述低电阻部上连续地形成。