技术特征：
技术总结
提供了一种三维(3D)存储器结构及其制造方法。该方法包括以下步骤。在衬底的第一区域上形成3D存储器单元。在衬底的第一区域和第二区域上形成第一绝缘层。对第一绝缘层执行第一平坦化工艺。在第一平坦化工艺之后，第一区域上的第一绝缘层的顶面和第二区域上的第一绝缘层的顶面是共面的。在第一平坦化工艺之后，在第二区域上形成外围电路。可以避免形成3D存储器单元的过程对外围电路的影响。因此可以增强3D存储器结构的制造产量、电性能和可靠性。
技术研发人员：霍宗亮;余德钦;周文斌;高永辉
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2018.09.21
技术公布日：2019.10.01