技术特征：
技术总结
化合物半导体基板具备：SiC(碳化硅)层；在SiC层上形成的AlN(氮化铝)缓冲层；在AlN缓冲层上形成的Al(铝)氮化物半导体层；在Al氮化物半导体层上形成的复合层；在复合层上形成的作为电子渡越层的GaN(氮化镓)层；以及在GaN层上形成的作为阻挡层的Al氮化物半导体层。复合层包括：在上下方向上层叠的多个C‑GaN层；以及在多个C‑GaN层之间形成的AlN层。
技术研发人员：生川满久;大内澄人;铃木悠宜;川村启介
受保护的技术使用者：爱沃特株式会社
技术研发日：2018.03.07
技术公布日：2019.11.01