1.一种透明导电膜，成膜于基底上，包含
氧化锡、
1.5wt％以上且2.5wt％以下的氧化钽、以及
0.3wt％以上且0.7wt％以下的氧化铌。
2.根据权利要求1所述的透明导电膜，其中，
所述透明导电膜具有1000nm以下的厚度。
3.根据权利要求1或2所述的透明导电膜，其中，
所述透明导电膜具有100ω/sq.以下的方块电阻。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的透明导电膜，其中，
所述透明导电膜具有3500μω·cm以下的电阻率。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的透明导电膜，其中，
所述透明导电膜具有1000kgf/mm2以上的维氏硬度。