薄膜表面处理方法及薄膜表面处理设备与流程

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种薄膜表面处理方法及薄膜表面处理设备。

背景技术：

低温多晶硅薄膜晶体管(lowtemperaturepoly-siliconthinfilmtransistor，ltpstft)工艺中，通常会涉及将非晶硅(amorphoussilicon，a-si)经过准分子激光退火(excimerlaserannealing，ela)工艺转变成多晶硅(polycrystallinesilicon，p-si)的过程。为了提高ela工艺效果，一般在进行ela工艺之前需要对非晶硅薄膜表面进行预处理，以使非晶硅薄膜表面生成一层氧化硅薄膜。然而，在进行预处理过程中，会使得非晶硅薄膜表面出现不同程度的不均匀的痕迹(即mura)现象。该mura的存在会导致生成的氧化硅薄膜的均匀性不佳，从而影响ela工艺效果，进而对薄膜晶体管的性能造成不利影响。

技术实现要素：

本发明实施例提供一种薄膜表面处理方法及薄膜表面处理设备，用以解决现有技术中由于mura的存在导致氧化硅薄膜的均匀性不佳的问题。

因此，本发明实施例提供了一种薄膜表面处理方法，包括：

采用氢氟酸对所述薄膜表面进行刻蚀处理；

采用清洗溶液对经过所述刻蚀处理后的薄膜表面的氢氟酸进行清洗处理；

采用臭氧水对经过所述清洗处理后的薄膜表面进行氧化处理，使所述薄膜表面形成氧化层。

可选地，在本发明实施例中，在进行刻蚀处理之后，且进行清洗处理之前，还包括：采用化学性质不活泼的气体对经过所述刻蚀处理后的薄膜表面进行干燥处理；和/或，

在进行清洗处理后，且进行氧化处理之前，还包括：采用化学性质不活泼的气体对经过所述清洗处理后的薄膜表面进行干燥处理。

可选地，在本发明实施例中，所述清洗溶液包括水溶液。

可选地，在本发明实施例中，在所述采用氢氟酸对所述薄膜表面进行刻蚀处理之前，还包括：

采用所述臭氧水对所述薄膜表面的杂质进行去除处理。

相应地，本发明实施例还提供了一种薄膜表面处理设备，包括：氢氟酸刻蚀腔室、氢氟酸清洗腔室、臭氧氧化腔室以及承载基台；其中，所述氢氟酸刻蚀腔室的出口与所述氢氟酸清洗腔室的入口连接，所述氢氟酸清洗腔室的出口与所述臭氧氧化腔室的入口连接，所述承载基台贯穿所述氢氟酸刻蚀腔室及其出口、贯穿所述氢氟酸清洗腔室及其入口和出口，以及贯穿所述臭氧氧化腔室及其入口；

所述承载基台用于承载形成有所述薄膜的衬底基板；

所述氢氟酸刻蚀腔室用于采用氢氟酸对所述薄膜表面进行刻蚀处理；

所述氢氟酸清洗腔室用于采用清洗溶液对经过所述刻蚀处理后的薄膜表面的氢氟酸进行清洗处理；

所述臭氧氧化腔室用于采用臭氧水对经过所述清洗处理后的薄膜表面进行氧化处理，使所述薄膜表面形成氧化层。

可选地，在本发明实施例中，所述氢氟酸刻蚀腔室的出口与所述氢氟酸清洗腔室的入口通过第一气刀和第一挡板连接；其中，所述第一气刀位于所述承载基台设置所述薄膜的一侧，所述第一挡板位于所述承载基台背离所述薄膜的一侧；

所述第一气刀用于吹出第一预设压力的化学性质不活泼的气体，将所述氢氟酸刻蚀腔室和所述氢氟酸清洗腔室分隔开，以及对经过所述氢氟酸刻蚀处理后的薄膜表面进行干燥处理。

可选地，在本发明实施例中，所述第一气刀吹出的气体的方向与垂直于所述承载基台的方向之间具有第一预设夹角，以使所述第一气刀吹出的气体向所述氢氟酸刻蚀腔室倾斜。

可选地，在本发明实施例中，所述氢氟酸清洗腔室的出口与所述臭氧氧化腔室的入口通过第二气刀和第二挡板连接；其中，所述第二气刀位于所述承载基台设置所述薄膜的一侧，所述第二挡板位于所述承载基台背离所述薄膜的一侧；

所述第二气刀用于吹出第二预设压力的化学性质不活泼的气体，将所述氢氟酸清洗腔室与所述臭氧氧化腔室分隔开，以及对经过清洗处理后的薄膜表面进行干燥处理。

可选地，在本发明实施例中，所述第二气刀包括：相互独立的第一子气刀和第二子气刀；

所述第一子气刀靠近所述氢氟酸清洗腔室的出口设置，所述第二子气刀靠近所述臭氧氧化腔室的入口设置。

可选地，在本发明实施例中，所述第一子气刀吹出的气体的方向与垂直于所述承载基台的方向之间具有第二预设夹角，以使所述第一子气刀吹出的气体向所述氢氟酸清洗腔室倾斜；和/或，

所述第二子气刀吹出的气体的方向与垂直于所述承载基台的方向之间具有第三预设夹角，以使所述第二子气刀吹出的气体向所述臭氧氧化腔室倾斜。

本发明有益效果如下：

本发明实施例提供的薄膜表面处理方法及薄膜表面处理设备，通过采用氢氟酸对薄膜表面进行刻蚀处理，可以将薄膜表面具有的物质刻蚀掉。采用清洗溶液对经过刻蚀处理后的薄膜表面的氢氟酸进行清洗处理，以去除薄膜表面残留的氢氟酸，可以避免残留的氢氟酸导致薄膜过度刻蚀的情况。这样采用臭氧水对经过清洗处理后的薄膜表面进行氧化处理，可以使薄膜表面形成致密且均匀的氧化层。从而在进行ela工艺时，可以提高ela工艺效果。

附图说明

图1为本发明实施例提供的薄膜表面处理方法的流程图；

图2为本发明实施例提供的薄膜表面处理设备的结构示意图之一；

图3为本发明实施例提供的薄膜表面处理设备的结构示意图之二。

具体实施方式

为了使本发明的目的，技术方案和优点更加清楚，下面结合附图，对本发明实施例提供的薄膜表面处理方法及薄膜表面处理设备的具体实施方式进行详细地说明。应当理解，下面所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。并且在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。

在ltpstft工艺中，一般是在衬底基板上制备ltpstft。其中，在制备ltpstft中的有源层时，通常会涉及将非晶硅经过ela工艺转变成多晶硅的过程。然而，在衬底基板上制备非晶硅薄膜后，一般在进行ela工艺之前需要对非晶硅薄膜表面进行预处理，以使非晶硅薄膜表面生成一层致密且均匀的氧化硅薄膜。该氧化硅薄膜可以在ela工艺中有效吸收激光能量，充分熔融a-si，以及在ela工艺中充当非晶硅在熔融状态时的保温层，以使非晶硅形成具有一定晶粒尺寸且均一性较好的多晶硅。

一般对非晶硅薄膜表面进行预处理方法可以包括如下步骤：(1)采用臭氧水对非晶硅薄膜表面的杂质进行去除处理，以去除非晶硅薄膜表面上可能残留的有机物。该步骤中可能还会使非晶硅薄膜表面形成不均匀的氧化硅层。(2)(2)采用氢氟酸对非晶硅薄膜表面进行刻蚀处理，以去除非晶硅薄膜表面形成的氧化硅层。(3)采用臭氧水对非晶硅薄膜表面进行氧化处理，使非晶硅薄膜表面形成致密且均匀的氧化硅层。然而，在步骤(2)完成至步骤(3)开始的时间段内，由于干燥能力有限，因此可能会使非晶硅薄膜表面残留有氢氟酸。该残留的氢氟酸可能会导致非晶硅过度刻蚀的情况，从而导致非晶硅薄膜表面出现mura现象。该mura现象的存在会导致生成的氧化硅薄膜的均匀性不佳，从而影响ela工艺效果，进而对薄膜晶体管的性能造成不利影响。

基于此，本发明实施例提供了一种薄膜表面处理方法，用于避免非晶硅薄膜表面出现mura现象。

结合图1所示，本发明实施例提供的薄膜表面处理方法，可以包括如下步骤：

s101、采用氢氟酸对薄膜表面进行刻蚀处理；

s102、采用清洗溶液对经过刻蚀处理后的薄膜表面的氢氟酸进行清洗处理；

s103、采用臭氧水对经过清洗处理后的薄膜表面进行氧化处理，使薄膜表面形成氧化层。

本发明实施例提供的薄膜表面处理方法，通过采用氢氟酸对薄膜表面进行刻蚀处理，可以将薄膜表面具有的物质刻蚀掉。采用清洗溶液对经过刻蚀处理后的薄膜表面的氢氟酸进行清洗处理，以去除薄膜表面残留的氢氟酸，可以避免残留的氢氟酸导致薄膜过度刻蚀的情况。这样采用臭氧水对经过清洗处理后的薄膜表面进行氧化处理，可以使薄膜表面形成致密且均匀的氧化层。从而在进行ela工艺时，可以提高ela工艺效果。

在具体实施时，在本发明实施例中，薄膜可以为非晶硅薄膜。这样通过采用氢氟酸对非晶硅薄膜表面进行刻蚀处理，可以将非晶硅薄膜表面具有的物质刻蚀掉，例如将不均匀的氧化硅薄膜刻蚀掉，以将非晶硅裸露出来。采用清洗溶液对经过刻蚀处理后的非晶硅薄膜表面的氢氟酸进行清洗处理，以去除非晶硅薄膜表面残留的氢氟酸，可以避免残留的氢氟酸导致非晶硅过度刻蚀的情况。这样采用臭氧水对经过清洗处理后的非晶硅薄膜表面进行氧化处理，可以使非晶硅薄膜表面形成致密且均匀的氧化硅层。从而在进行ela工艺时，可以提高ela工艺效果，进而提高制备成的薄膜晶体管的性能。一般，在进行氧化处理之后，会采用ela工艺将非晶硅薄膜转变为多晶硅薄膜。在形成多晶硅薄膜之后，还会在多晶硅薄膜上形成栅绝缘层。为了优化形成的多晶硅薄膜的表面，一般在形成多晶硅薄膜之后，且在形成栅绝缘层之前，还可以对多晶硅薄膜的表面进行预处理。在具体实施时，在本发明实施例中，薄膜也可以为采用非晶硅薄膜转变为的多晶硅薄膜。这样通过采用氢氟酸对多晶硅薄膜表面进行刻蚀处理，可以将多晶硅薄膜表面具有的物质刻蚀掉，以将多晶硅裸露出来。采用清洗溶液对经过刻蚀处理后的多晶硅薄膜表面的氢氟酸进行清洗处理，以去除多晶硅薄膜表面残留的氢氟酸，可以避免残留的氢氟酸导致多晶硅过度刻蚀的情况。这样采用臭氧水对经过清洗处理后的多晶硅薄膜表面进行氧化处理，可以使多晶硅薄膜表面形成致密且均匀的氧化硅层，从而可以提高制备成的薄膜晶体管的性能。下面均以薄膜可以为非晶硅薄膜为例，进行说明。

在具体实施时，清洗溶液用于清洗氢氟酸，例如可以为水溶液。这样不仅可以达到清洗效果，并且还可以降低成本。进一步地，水溶液可以为超纯水。当然，在实际应用中，清洗溶液可以根据实际应用环境来设计确定，在此不作限定。

进一步地，在具体实施时，在本发明实施例中，在进行刻蚀处理之后，且进行清洗处理之前，还可以包括：采用化学性质不活泼的气体对经过刻蚀处理后的薄膜表面进行干燥处理。这样可以进一步去除残留的氢氟酸，进一步可以避免残留的氢氟酸导致非晶硅薄膜过度刻蚀的情况。并且，由于采用化学性质不活泼的气体，这样还可以避免刻蚀处理之后的薄膜与空气接触而造成氧化的情况。

进一步地，在具体实施时，在本发明实施例中，在进行清洗处理后，且进行氧化处理之前，还可以包括：采用化学性质不活泼的气体对经过清洗处理后的薄膜表面进行干燥处理。这样可以去除清洗溶液，以及还可以避免刻蚀处理之后的非晶硅薄膜与空气接触而造成氧化的情况。

进一步地，在具体实施时，化学性质不活泼的气体可以包括惰性气体和氮气中的至少一种。

在制备过程中，薄膜表面上可能残留有例如有机物等杂质。在具体实施时，在本发明实施例中，在采用氢氟酸对薄膜表面进行刻蚀处理之前，还可以包括：采用臭氧水对薄膜表面的杂质进行去除处理。这样可以去除非晶硅薄膜表面上可能残留的杂质(例如有机物)。当然，残留的杂质还可以为其他物质，这需要根据实际应用环境来设计确定，在此不作限定。

下面通过一具体实施例列举本发明实施例提供的薄膜表面处理方法，但读者应知，其具体过程不局限于此。其中，以薄膜为非晶硅薄膜，以及化学性质不活泼的气体为氮气为例进行说明。

本发明实施例提供的薄膜表面处理方法可以包括如下步骤：

(1)采用臭氧水对非晶硅薄膜表面的有机物进行去除处理，以将非晶硅薄膜表面上可能残留的有机物去除掉。该步骤中可能还会使非晶硅薄膜表面形成不均匀的氧化硅层。

(2)采用氢氟酸对非晶硅薄膜表面进行刻蚀处理，以将非晶硅薄膜表面的氧化硅层刻蚀掉。

(3)采用氮气对经过刻蚀处理后的非晶硅薄膜表面进行干燥处理，以去除可能残留的氢氟酸。并且，这样还可以避免空气对非晶硅薄膜表面氧化。

(4)采用水溶液对经过步骤(3)中的干燥处理后的非晶硅薄膜表面的氢氟酸进行清洗处理，以去除非晶硅薄膜表面残留的氢氟酸，可以避免残留的氢氟酸导致非晶硅过度刻蚀的情况。并且还可以使非晶硅薄膜表面具有一层水膜，从而可以进一步保证工艺的纯净性。

(5)采用氮气对经过清洗处理后的非晶硅薄膜表面进行干燥处理，以去除残留的水溶液。

(6)采用臭氧水对经过步骤(5)中的干燥处理后的非晶硅薄膜表面进行氧化处理，可以使非晶硅薄膜表面形成致密且均匀的氧化硅层。从而在进行ela工艺时，可以提高ela工艺效果，进而提高制备成的薄膜晶体管的性能。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种薄膜表面处理设备，如图2所示，可以包括：氢氟酸刻蚀腔室100、氢氟酸清洗腔室200、臭氧氧化腔室300以及承载基台400；其中，氢氟酸刻蚀腔室100的出口110与氢氟酸清洗腔室200的入口210连接，氢氟酸清洗腔室200的出口220与臭氧氧化腔室300的入口310连接，承载基台400贯穿氢氟酸刻蚀腔室100及其出口110、贯穿氢氟酸清洗腔室200及其入口210和出口220，以及贯穿臭氧氧化腔室300及其入口310；其中，承载基台400用于承载形成有薄膜的衬底基板。

氢氟酸刻蚀腔室100采用氢氟酸对薄膜表面进行刻蚀处理。

氢氟酸清洗腔室200用于采用清洗溶液对经过刻蚀处理后的薄膜表面的氢氟酸进行清洗处理。

臭氧氧化腔室300用于采用臭氧水对经过清洗处理后的薄膜表面进行氧化处理，使薄膜表面形成氧化层。

本发明实施例提供的薄膜表面处理设备，通过将形成有上述薄膜的衬底基板设置于承载基台上，并依次将该衬底基板经过氢氟酸刻蚀腔室、氢氟酸清洗腔室以及臭氧氧化腔室；其中，在衬底基板处于氢氟酸刻蚀腔室中时，可以采用氢氟酸对薄膜表面进行刻蚀处理。将薄膜表面具有的物质刻蚀掉。在衬底基板处于氢氟酸清洗腔室中时，可以采用清洗溶液对经过刻蚀处理后的薄膜表面的氢氟酸进行清洗处理，以去除薄膜表面残留的氢氟酸，可以避免残留的氢氟酸导致薄膜过度刻蚀的情况。在衬底基板处于臭氧氧化腔室中时，可以采用臭氧水对经过清洗处理后的薄膜表面进行氧化处理，可以使薄膜表面形成致密且均匀的氧化层。从而在进行ela工艺时，可以提高ela工艺效果。

一般，气刀是一种专门设计用来吹出强劲高速的气流以吹除灰尘、吹干水渍、降温冷却的设备。并且气刀吹出的气流可以由高强度，均匀层流气流组成。在具体实施时，在本发明实施例中，如图2所示，氢氟酸刻蚀腔室100的出口110与氢氟酸清洗腔室200的入口210通过第一气刀510和第一挡板610连接。其中，第一气刀510位于承载基台400设置薄膜的一侧，第一挡板610位于承载基台400背离薄膜的一侧，以将氢氟酸刻蚀腔室100和氢氟酸清洗腔室200隔断开。其中，第一气刀510用于吹出第一预设压力的化学性质不活泼的气体，将氢氟酸刻蚀腔室100和氢氟酸清洗腔室200分隔开，以及对经过氢氟酸刻蚀处理后的薄膜表面进行干燥处理。具体地，第一气刀的结构可以与现有技术中的结构基本相同，为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。

在具体实施时，第一气刀吹出的气体用于作为承载基台设置薄膜一侧的氢氟酸刻蚀腔室100和氢氟酸清洗腔室200之间的挡墙，以将氢氟酸刻蚀腔室100中的氢氟酸和氢氟酸清洗腔室200中的清洗溶液分隔开。并且，可以避免氢氟酸刻蚀腔室100和氢氟酸清洗腔室200中进入空气，从而可以避免非晶硅薄膜从氢氟酸刻蚀腔室100进入氢氟酸清洗腔室200的过程中被空气氧化。并且，第一气刀吹出的气体还可以使氢氟酸清洗腔室200中具有化学性质不活泼的气体，从而在对氢氟酸清洗过程中，可以避免非晶硅被空气氧化。在实际应用中，由于不同应用环境对第一气刀吹出的气体的压力的需求不同，因此第一预设压力可以根据实际应用环境来设计确定，在此不作限定。

进一步地，为了避免氢氟酸刻蚀腔室100中的氢氟酸进入氢氟酸清洗腔室200，在具体实施时，如图2所示，第一气刀510吹出的气体的方向与垂直于承载基台的方向之间具有第一预设夹角β，以使第一气刀510吹出的气体向氢氟酸刻蚀腔室100倾斜。这样可以进一步避免氢氟酸刻蚀腔室100中的氢氟酸进入氢氟酸清洗腔室200。在实际应用中，由于不同应用环境对第一预设夹角β的需求不同，因此第一预设夹角β可以根据实际应用环境来设计确定，在此不作限定。

在具体实施时，在本发明实施例中，如图2所示，氢氟酸清洗腔室200的出口220与臭氧氧化腔室300的入口310通过第二气刀520和第二挡板620连接；其中，第二气刀520位于承载基台400设置薄膜的一侧，第二挡板620位于承载基台400背离薄膜的一侧，以将臭氧氧化腔室300和氢氟酸清洗腔室200隔断开。其中，第二气刀520用于吹出第二预设压力的化学性质不活泼的气体，将承载基台设置薄膜一侧的氢氟酸清洗腔室200与臭氧氧化腔室300分隔开，以及对经过清洗处理后的薄膜表面进行干燥处理。进一步地，第二气刀520可以包括：相互独立的第一子气刀521和第二子气刀522；其中，第一子气刀521靠近氢氟酸清洗腔室200的出口220设置，第二子气刀522靠近臭氧氧化腔室300的入口310设置。

在具体实施时，第一子气刀521和第二子气刀522吹出的气体用于作为承载基台设置薄膜一侧的氢氟酸清洗腔室200和臭氧氧化腔室300之间的挡墙，以将氢氟酸清洗腔室200中的清洗溶液和臭氧氧化腔室300中的臭氧水分隔开。并且，可以避免避免臭氧氧化腔室300和氢氟酸清洗腔室200中进入空气，从而可以避免非晶硅薄膜从氢氟酸清洗腔室200进入臭氧氧化腔室300的过程中被空气氧化。并且，第一子气刀521和第二子气刀522吹出的气体还可以使氢氟酸清洗腔室200中具有化学性质不活泼的气体，从而在对氢氟酸清洗过程中，可以避免非晶硅被空气氧化。在实际应用中，由于不同应用环境对第一子气刀521和第二子气刀522吹出的气体的压力的需求不同，因此第二预设压力可以根据实际应用环境来设计确定，在此不作限定。并且，第一子气刀521和第二子气刀522的结构可以与现有技术中的结构基本相同，为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。

进一步地，为了避免氢氟酸清洗腔室200中的清洗溶液进入臭氧氧化腔室300，在具体实施时，如图2所示，第一子气刀521吹出的气体的方向与垂直于承载基台400的方向之间具有第二预设夹角γ，以使第一子气刀521吹出的气体向氢氟酸清洗腔室200倾斜。这样可以进一步避免氟酸清洗腔室200中的清洗溶液进入臭氧氧化腔室300。在实际应用中，由于不同应用环境对第二预设夹角γ的需求不同，因此第二预设夹角γ可以根据实际应用环境来设计确定，在此不作限定。

进一步地，为了避免臭氧氧化腔室300中的臭氧水进入氢氟酸清洗腔室200，在具体实施时，如图2所示，第二子气刀522吹出的气体的方向与垂直于承载基台400的方向之间具有第三预设夹角θ，以使第二子气刀522吹出的气体向臭氧氧化腔室300倾斜。这样可以进一步避免避免臭氧氧化腔室300中的臭氧水进入氢氟酸清洗腔室200。在实际应用中，由于不同应用环境对第三预设夹角θ的需求不同，因此第三预设夹角θ可以根据实际应用环境来设计确定，在此不作限定。

进一步地，可以使第一子气刀521和第二子气刀522紧密排列，以将氢氟酸清洗腔室200和臭氧氧化腔室300间隔开。

进一步地，在具体实施时，如图3所示，薄膜表面处理设备还可以包括：臭氧清洗腔室700。该臭氧清洗腔室700的出口710与氢氟酸刻蚀腔室100的入口120连接。该臭氧清洗腔室700用于采用臭氧水对薄膜表面的杂质进行去除处理。进一步地，该臭氧清洗腔室700的出口710与氢氟酸刻蚀腔室100的入口120通过第三气刀530和第三挡板630连接。其中，第三气刀530位于承载基台400设置薄膜的一侧，第三挡板630位于承载基台400背离薄膜的一侧，以将氢氟酸刻蚀腔室100和臭氧清洗腔室700隔断开。其中，第三气刀530用于吹出第四预设压力的化学性质不活泼的气体，将氢氟酸刻蚀腔室100和臭氧清洗腔室700分隔开。具体地，第三气刀的结构可以与现有技术中的结构基本相同，为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。在实际应用中，由于不同应用环境对第三气刀吹出的气体的压力的需求不同，因此第四预设压力可以根据实际应用环境来设计确定，在此不作限定。

下面通过一具体实施例列举采用本发明实施例提供的薄膜表面处理设备的工作过程，但读者应知，其具体过程不局限于此。其中，以薄膜为非晶硅薄膜，以及化学性质不活泼的气体为氮气为例进行说明。

本发明实施例提供的薄膜表面处理设备的工作过程可以包括如下步骤：

(1)将形成有非晶硅薄膜的衬底基板设置于臭氧清洗腔室700的承载基台400上，臭氧清洗腔室700中产生臭氧水，以采用臭氧水对非晶硅薄膜表面的有机物进行去除处理，以将非晶硅薄膜表面上可能残留的有机物去除掉。该步骤中可能还会使非晶硅薄膜表面形成不均匀的氧化硅层。

(2)将经过步骤(1)的衬底基板经过第三气刀530。由于第三气刀530可以吹出第四预设压力的氮气，从而可以对衬底基板上的非晶硅薄膜进行干燥处理。

(3)将经过步骤(2)的衬底基板设置于氢氟酸刻蚀腔室100的承载基台400上，氢氟酸刻蚀腔室100中产生氢氟酸，以采用氢氟酸对非晶硅薄膜表面进行刻蚀处理，以将非晶硅薄膜表面的氧化硅层刻蚀掉。

(4)将经过步骤(3)的衬底基板经过第一气刀510。由于第一气刀510可以吹出第一预设压力的氮气，以采用氮气对经过刻蚀处理后的非晶硅薄膜表面进行干燥处理，以去除可能残留的氢氟酸。并且，这样还可以避免空气对非晶硅薄膜表面氧化。

(5)将经过步骤(4)的衬底基板设置于氢氟酸清洗腔室200的承载基台400上，氢氟酸清洗腔室200中产生水溶液，以采用水溶液对经过步骤(4)中的干燥处理后的非晶硅薄膜表面的氢氟酸进行清洗处理，以去除非晶硅薄膜表面残留的氢氟酸，可以避免残留的氢氟酸导致非晶硅过度刻蚀的情况。并且还可以使非晶硅薄膜表面具有一层水膜，从而可以进一步保证工艺的纯净性。

(6)将经过步骤(5)的衬底基板依次经过第一子气刀521和第二子气刀522。由于第一子气刀521可以吹出第二预设压力的氮气和第二子气刀522可以吹出第三预设压力的氮气，以采用氮气对经过清洗处理后的非晶硅薄膜表面进行干燥处理，以去除残留的水溶液。

(7)采用臭氧水对经过步骤(6)中的干燥处理后的非晶硅薄膜表面进行氧化处理，可以使非晶硅薄膜表面形成致密且均匀的氧化硅层。从而在进行ela工艺时，可以提高ela工艺效果，进而提高制备成的薄膜晶体管的性能。

需要说明的是，承载基台可以为自动转动的基台，或者也可以为手动转动的基台，在此不作限定。

本发明实施例提供的薄膜表面处理方法及薄膜表面处理设备，通过采用氢氟酸对薄膜表面进行刻蚀处理，可以将薄膜表面具有的物质刻蚀掉。采用清洗溶液对经过刻蚀处理后的薄膜表面的氢氟酸进行清洗处理，以去除薄膜表面残留的氢氟酸，可以避免残留的氢氟酸导致薄膜过度刻蚀的情况。这样采用臭氧水对经过清洗处理后的薄膜表面进行氧化处理，可以使薄膜表面形成致密且均匀的氧化层。从而在进行ela工艺时，可以提高ela工艺效果。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。