技术特征：
技术总结
本发明的等离子体处理装置提高等离子体处理装置的合格率。具备：处理室；样品台，设置在该处理室内部，对被处理物进行载置；真空排气部，将处理室内部排气成真空；和等离子体产生部，在处理室内部产生等离子体，在处理室内部载置被处理物的样品台，具备：第1金属制基材，在内部形成有冷媒的流路；第2金属制基材，处于该第1金属制基材上部且热传导率比第1金属制基材小；和多个升降销钉，使被处理物相对于样品台上下地移动，在第1金属制基材和第2金属制基材形成穿过多个升降销钉的多个贯通孔，在多个贯通孔各自的内部构成为使升降销钉和第1金属制基材以及第2金属制基材电绝缘，且将由热传导率比第2金属制基材高的绝缘构件形成的凸台插入。
技术研发人员：丹藤匠;一野贵雅;横川贤悦
受保护的技术使用者：株式会社日立高新技术
技术研发日：2019.01.22
技术公布日：2019.08.13