显示面板及其制备方法与流程

文档序号:17750188发布日期:2019-05-24 20:54阅读:204来源:国知局
显示面板及其制备方法与流程

本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种显示面板及其制备方法。



背景技术:

随着半导体显示器件的发展,以及消费者日益增长的消费需求,目前柔性显示器件或者可折叠显示器件已经开始被大量的推向市场,逐步广泛应用于手机、智能穿戴、车载等领域。

但是,目前柔性显示器件还有很多问题亟待克服,例如,柔性显示器件(如柔性液晶显示面板)一般使用的透明柔性pi(polyimide,聚酰亚胺)薄膜,pi薄膜涂敷在玻璃基底上,为了防止pi薄膜吸水,所以在pi薄膜上制作氮化硅缓冲保护层后,再制备薄膜晶体管等相关结构。但是,实际工艺中湿法工艺步骤较多,即使使用氮化硅缓冲层进行保护,也难以达到完全的隔水目的,pi薄膜吸水后容易在后续高温工序中释放水汽,造成其上的薄膜晶体管器件剥离。



技术实现要素:

本发明针对现有技术中存在的上述不足,提供一种显示面板及其制备方法,用以至少部分解决柔性显示器件隔水效果差的问题。

本发明为解决上述技术问题,采用如下技术方案:

本发明提供一种显示面板,包括柔性基底和形成在所述柔性基底上的保护层,其特征在于,还包括隔水层,所述隔水层位于所述柔性基底和所述保护层之间,且所述隔水层的材料为疏水材料。

优选的,所述柔性基底邻近所述保护层的表面为粗糙表面。

优选的,所述隔水层的材料为碳氟聚合物材料。

优选的,所述隔水层的厚度为10-100nm。

本发明还提供一种显示面板的制备方法,用于制备如前所述的显示面板,所述方法包括以下步骤:

在衬底基板上涂覆聚酰亚胺溶液并固化成膜,以形成柔性基底;

在所述柔性基底上制备隔水层,所述隔水层的材料为疏水材料;

采用pecvd工艺在所述隔水层上制备保护层。

进一步的,在衬底基板上制备柔性基底之后、在所述柔性基底上制备隔水层之前,所述方法还包括:

对所述柔性基底远离所述衬底基板的表面进行粗糙化处理。

优选的,所述对所述柔性基底远离所述衬底基板的表面进行粗糙化处理,具体包括:

利用反应气体,以预设的第一反应条件,对所述柔性基底进行刻蚀,以使所述柔性基底远离所述衬底基板的表面形成粗糙表面。

优选的,所述反应气体包括氧气;

所述第一反应条件包括:反应温度为50-200℃,氧气的流量为20-1000cm3/min,工作气压为50pa,放电功率为150w,刻蚀时间小于5分钟。

附图说明

图1为本发明实施例1提供的显示面板的结构示意图;

图2为本发明实施例3提供的制备实施例1的显示面板的步骤示意图。

图例说明:

1、衬底基板2、柔性基底3、隔水层

4、保护层5、栅极6、栅绝缘层

7、有源层8、层间介质层9、源极

10、漏极

具体实施方式

下面将结合本发明中的附图,对本发明中的技术方案进行清楚、完整的描述,显然,所描述的实施例是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。

实施例1

本发明实施例1提供一种显示面板,如图1所示,所述显示面板包括:柔性基底2和形成在柔性基底2上的保护层4,还包括隔水层3,隔水层3位于柔性基底2和保护层4之间,且隔水层3的材料为疏水材料。

需要说明的是,本发明实施例1提供的显示面板为柔性显示面板,柔性显示面板需要在衬底基板1上制备各膜层结构,最后再将衬底基板1剥离。因此,如图1所示,柔性基底2成在衬底基板1上。

柔性基底2的材料为聚酰亚胺,保护层4的材料可以为氮化硅。

本发明实施例1提供的显示面板,通过在柔性基底2和保护层4之间设置隔水层3,隔水层3由疏水材料制备,在保护层4上采用湿法制备薄膜晶体管的过程中,即使会产生水汽,水汽也会被隔水层3阻隔,不会被柔性基底2吸收,相应的也不会在后续高温工序中释放水汽,从而解决薄膜晶体管器件剥离的问题,提高显示面板的良率。

为了进一步提高显示面板的隔水性能,优选的,柔性基底2邻近保护层4的表面为粗糙表面。

优选的,隔水层3的材料可以为碳氟聚合物材料,碳氟聚合物材料是一种含氟的碳聚合物材料,由于其中含有氟,所以表面能很低,适合用于构建超疏水表面。

粗糙的柔性基底2表面与碳氟聚合物材料的隔水层3共同作用,隔水效果更佳,可以将水汽隔绝在柔性基底2的外部,防止柔性基底2吸收水汽。

需要说明的是,隔水层3的材料也可以为其他疏水材料,例如,硅烷偶联剂类材料,诸如γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(mptms)、n-甲基全氟辛基磺酰基胺基丙烯酸乙酯(mpsaea),但是这些疏水材料都需要溶液相的反应氛围。

优选的,隔水层3的厚度为10-100nm。

进一步的,如图1所示,所述显示面板还可以包括薄膜晶体管,薄膜晶体管设置在保护层4上,薄膜晶体管可以包括:栅极5、栅绝缘层6、有源层7、层间介质层8、源极9和漏极10。图1以底栅型薄膜晶体管为例示意,当然,顶栅型薄膜晶体管也在本发明的保护范围之内。

优选的,所述显示面板可以为液晶显示面板或oled显示面板,其中,液晶显示面板中液晶层的具体结构以及oled显示面板的oled器件的具体结构属于现有技术在此不再赘述。

实施例2

本发明实施例2提供一种显示面板,所述显示面板与实施例1的显示面板的区别在于:在柔性基底2和保护层4之间不设置隔水层3,仅通过在柔性基底2邻近保护层4的表面形成粗糙表面实现阻隔水汽的作用。

当然,本领域技术人员可知,实施例2提供的显示面板的阻隔水汽的效果不及实施例1提供的显示面板的阻隔水汽的效果。

实施例3

本发明实施例3提供一种显示面板的制备方法,用于制备实施例1所述的显示面板,以下结合图2,对所述显示面板的制备方法进行详细说明。所述显示面板的制备方法包括以下步骤:

步骤101,在衬底基板上涂覆聚酰亚胺溶液并固化成膜,以形成柔性基底。

具体的,如图2所示,提供一种衬底基板1,通常衬底基板1为玻璃基板。在衬底基板1上涂覆pi溶液,经过固化工艺后,形成pi膜,pi膜作为显示面板的柔性基底2。

步骤102,在所述柔性基底上制备隔水层。

具体的,利用含氟气体和甲烷的混合气体,或者含氟气体和氦气的混合气体,在预设的第二反应条件下,在柔性基底2上沉积形成碳氟聚合物膜层作为隔水层3。

所述第二反应条件包括:含氟气体的流量为10-40cm3/min,优选为20cm3/min,甲烷或氦气的流量为20-80cm3/min,优选为50cm3/min,工作气压为133pa,放电功率为120w,沉积时间为10-100秒。

具体的,对反应腔室本底抽真空,使得反应腔室内压力小于1.5pa,将含氟气体和甲烷或者氩气的混合气体通入反应腔室进行碳氟薄膜的沉积,含氟气体包括以下其中之一或任意组合:cf4、chf3、c2f4、c3f6、c4f8、cf2cl2。

优选的,沉积形成碳氟聚合物膜层(即隔水层3)的厚度为10-100nm。

步骤103,采用pecvd工艺在所述隔水层上制备保护层。

为了实现表面的平坦化,便于后续薄膜晶体管制作,同时保护隔水层3,减少水汽和离子对柔性基底2的影响,需要在隔水层3上再制备一层保护层4,以隔绝水汽及各种离子。

在本发明实施例中,保护层4的材料为sinx,具体可以通过pecvd(plasmaenhancedchemicalvapordeposition)工艺在隔水层3上制备保护层4。

优选的,保护层4的厚度可以为50nm-500nm。

通过步骤101-103可以看出,通过在柔性基底2和保护层4之间设置隔水层3,隔水层3由疏水材料制备,在保护层4上采用湿法制备薄膜晶体管的过程中,即使会产生水汽,水汽也会被隔水层3阻隔,不会被柔性基底2吸收,相应的也不会在后续高温工序中释放水汽,从而解决薄膜晶体管器件剥离的问题,提高显示面板的良率。

进一步的,在衬底基板上制备柔性基底(即步骤101)之后、在所述柔性基底上制备隔水层(即步骤102)之前,所述方法还包括以下步骤:

步骤101’,对所述柔性基底远离所述衬底基板的表面进行粗糙化处理。

具体的,利用反应气体,以预设的第一反应条件,对柔性基底2进行刻蚀,以使柔性基底2远离衬底基板1的表面形成粗糙表面。

在本发明实施例中,反应气体为氧气,第一反应条件包括:反应温度为50-200℃,氧气的流量为20-1000cm3/min,工作气压为50pa,放电功率为150w,刻蚀时间小于5分钟。

具体的,将形成有柔性基底2的衬底基板1放置在等离子体装置的反应腔室内,并位于上、下极板之间,并将下极板加热至50-200℃,优选为110℃,保持温度恒定。对所述反应腔室本底抽真空,真空度在1.5pa以下,然后以20-1000cm3/min的流量向反应腔室内通入氧气,使得反应腔室内的工作气压保持在50pa,在放电功率为150w条件下,对柔性基底2远离衬底基板1的表面持续刻蚀不超过5分钟,从而使柔性基底2远离衬底基板1的表面粗糙化。

利用上述粗糙表面的碳氟聚合物的隔水特性可以防止底部的pi薄膜在阵列基板相关的湿法制程中不会出现吸收水汽的现象,继而减少了后续由于高温释放水汽造成pi薄膜变形和其上薄膜晶体管膜层的剥离问题。

步骤101、101’、102、103完成之后,显示面板的基底结构就制备完成了,其包括衬底基板1、可用于激光剥离的透明柔性基底2(柔性基底2具有粗糙表面)、疏水化的隔水层3以及用于隔绝水汽及各种离子的sinx保护层4。需要说明的是,还需要在所述基底结构上进一步制备阵列基板、显示器件等结构。在本发明实施例中,如图2所示,以ltps(lowtemperaturepoly-silicon,低温多晶硅)模式的阵列基板为例,在所述基底结构上制备薄膜晶体管结构,具体的,依次制备栅极5、栅极绝缘层6、有源层7、层间介质层8、源极9、漏极10等。

需要说明的是,在基底结构上制备完成显示器件等结构后,还需要剥离衬底基板1,从而形成柔性显示面板。

可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式,然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本发明的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

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