技术特征：
技术总结
本发明公开了一种高电子迁移率晶体管外延片及其制备方法，属于高电子迁移率晶体管领域。所述高电子迁移率晶体管外延片包括：衬底和顺次层叠在所述衬底上的缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、以及GaN帽层，所述缓冲层包括第一低温AlN层和应力释放层，所述应力释放层位于所述第一低温AlN层与所述GaN沟道层之间，所述应力释放层包括若干层叠的复合层，所述复合层包括AlN子层、AlGaN子层和GaN子层，所述AlGaN子层位于所述AlN子层和所述GaN子层之间，同一所述复合层中，所述AlN子层比所述GaN子层更靠近所述第一低温AlN层。
技术研发人员：洪威威;王倩;周飚;胡加辉
受保护的技术使用者：华灿光电（苏州）有限公司
技术研发日：2019.02.28
技术公布日：2019.07.19