技术特征：
技术总结
提供了一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：在基底上形成半导体图案，使得半导体图案彼此竖直间隔开；以及形成金属逸出功图案以填充半导体图案之间的空间，其中，形成金属逸出功图案的步骤包括执行原子层沉积(ALD)工艺以形成合金层，并且ALD工艺包括在基底上提供包含有机铝化合物的第一前驱体以及在基底上提供包含钒‑卤素化合物的第二前驱体。
技术研发人员：朴圭熙;朴阳仙;林载顺;曹仑廷
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2019.03.11
技术公布日：2019.10.18