显示面板及其制造方法、显示装置与流程

本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板及其制造方法、显示装置。

背景技术：

随着显示技术的发展，有机发光二极管(英文：organiclightemittingdiode；简称：oled)显示面板因其所具有的亮度高、色域宽、分辨率高和功耗低等特点而越来越多地被应用于高性能显示产品当中。

oled显示面板具有发光器件，发光器件包括发光层以及用于驱动发光层发光的电极(例如阳极和阴极)，oled显示面板通过发光层发光实现显示。在oled显示面板所处环境中，以一定角度照射至发光器件的环境光线会在发光器件的电极上发生反射产生反射光线，反射光线会对oled显示面板发出的光线(也即是发光器件发出且从oled显示面板射出的光线)产生干扰。目前，通常在oled显示面板的出光面上贴附偏光片来对环境光线进行阻挡，以减少照射至发光器件的环境光线，从而减小环境光线对oled显示面板发出的光线的干扰。

但是，偏光片在阻挡环境光线的同时，也会阻挡发光器件发出的光线，导致发光器件发出的光线中，从oled显示面板射出的光线较少，影响oled显示面板的出光效率。

技术实现要素：

本申请提供了一种显示面板及其制造方法、显示装置，能够减小环境光线对显示面板发出的光线的干扰，且能够保证显示面板的出光效率。本申请的技术方案如下：

第一方面，提供了一种显示面板，所述显示面板包括：

衬底基板以及依次设置在所述衬底基板上的发光器件和封装结构；

所述封装结构包括至少一个第一封装膜层，所述第一封装膜层包括层叠设置的至少两个无机层，所述至少两个无机层的折射率沿靠近所述发光器件的方向依次增大，所述第一封装膜层被配置为调整射入至所述发光器件的环境光线的角度，以减少从所述显示面板反射出的环境光线。

可选地，所述封装结构还包括：与所述第一封装膜层叠加设置的第二封装膜层，所述第二封装膜层中掺杂有吸光颗粒，所述吸光颗粒被配置为吸收射入所述第二封装膜层的环境光线。

可选地，所述第二封装膜层为有机层，所述吸光颗粒为无机颗粒。

可选地，所述吸光颗粒为二氧化硅颗粒。

可选地，所述封装结构包括交替叠加的所述第一封装膜层和所述第二封装膜层。

可选地，所述封装结构包括沿远离所述衬底基板方向叠加设置的所述第一封装膜层、所述第二封装膜层和所述第一封装膜层，所述第一封装膜层包括层叠设置的三个无机层。

可选地，所述显示面板还包括：位于所述衬底基板与所述发光器件之间的薄膜晶体管tft。

可选地，所述显示面板还包括：位于所述封装结构远离所述发光器件的一侧的光电器件，所述光电器件具有透光区域，所述发光器件在所述衬底基板上的正投影区域位于所述透光区域在所述衬底基板上的正投影区域内。

可选地，所述光电器件还具有非透光区域，所述光电器件包括半导体结构层，所述半导体结构层包括位于所述透光区域的半导体薄膜和位于所述非透光区域的pin结构，所述半导体薄膜的厚度小于所述pin结构的厚度。

可选地，所述半导体薄膜的厚度为50纳米至70纳米，所述pin结构的厚度为2微米至3微米。

可选地，所述光电器件还包括位于所述半导体结构层靠近所述封装结构一侧的第一电极，以及，位于所述半导体结构层远离所述封装结构一侧的第二电极，所述第一电极、所述半导体结构层和所述第二电极依次叠加。

可选地，所述光电器件为透明器件，所述光电器件的厚度为150纳米至240纳米。

可选地，所述光电器件包括：沿远离所述封装结构的方向依次叠加的第一电极、pin结构和第二电极。

可选地，所述显示面板还包括：位于所述光电器件远离所述封装结构的一侧的柔性衬底，以及，位于所述光电器件与所述封装结构之间的粘接层。

第二方面，提供了一种显示面板的制造方法，所述方法包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上形成发光器件；

在所述发光器件远离所述衬底基板的一侧形成封装结构，所述封装结构包括至少一个第一封装膜层，所述第一封装膜层包括层叠设置的至少两个无机层，所述至少两个无机层的折射率沿靠近所述发光器件的方向依次增大，所述第一封装膜层被配置为调整射入至所述发光器件的环境光线的角度，以减少从所述显示面板反射出的环境光线。

可选地，在所述发光器件远离所述衬底基板的一侧形成封装结构，包括：

在所述发光器件远离所述衬底基板的一侧形成层叠设置的至少两个无机层，得到所述第一封装膜层；

在所述第一封装膜层远离所述发光器件的一侧形成第二封装膜层，所述第二封装膜层中掺杂有吸光颗粒，所述吸光颗粒被配置为吸收射入所述第二封装膜层的环境光线。

可选地，在所述衬底基板上形成发光器件之前，所述方法还包括：在所述衬底基板上形成tft；

在所述衬底基板上形成发光器件，包括：在所述tft远离所述衬底基板的一侧形成发光器件。

可选地，在所述发光器件远离所述衬底基板的一侧形成封装结构之后，所述方法还包括：

在所述封装结构远离所述发光器件的一侧形成光电器件，所述光电器件具有透光区域，所述发光器件在所述衬底基板上的正投影区域位于所述透光区域在所述衬底基板上的正投影区域内。

可选地，在所述封装结构远离所述发光器件的一侧形成光电器件，包括：

提供一刚性衬底基板；

在所述刚性衬底基板上形成柔性衬底；

在所述柔性衬底远离所述刚性衬底基板的一侧依次形成第二电极、半导体结构层和第一电极，得到光电器件，所述半导体结构层包括位于所述透光区域的半导体薄膜和位于所述非透光区域的pin结构，所述半导体薄膜的厚度小于所述pin结构的厚度；

在所述光电器件远离所述柔性衬底的一侧形成粘接层；

通过所述粘接层将所述光电器件与所述封装结构粘接；

剥离所述刚性衬底基板。

可选地，在所述封装结构远离所述发光器件的一侧形成光电器件，包括：在所述封装结构远离所述发光器件的一侧依次形成第一电极、pin结构和第二电极。

第三方面，提供了一种显示装置，包括第一方面或第一方面的任一可选方式所述的显示面板，以及，依次设置在所述显示面板的出光面的触摸面板和保护膜。

本申请提供的技术方案带来的有益效果是：

本申请提供的显示面板及其制造方法、显示装置，显示面板的封装结构包括第一封装膜层，第一封装膜层包括至少两个无机层，该至少两个有机层的折射率沿靠近发光器件的方向依次增大，第一封装膜层可以通过该两个无机层对环境光线的折射和反射来调整环境光线的角度，以减少从显示面板反射出的环境光线，从而降低环境光线对显示面板发出的光线的干扰。由于无需设置偏光片即能减小环境光线对显示面板发出的光线的干扰，因此保证了显示面板的出光效率且能够实现显示面板的薄型化。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本申请。

附图说明

为了更清楚地说明本申请的实施例，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图；

图2是本申请实施例提供的一种环境光线在第一封装膜层中的传播示意图；

图3是本申请实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；

图4是本申请实施例提供的再一种显示面板的结构示意图；

图5是本申请实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；

图6是本申请实施例提供的一种显示面板的制造方法的方法流程图；

图7是本申请实施例提供的另一种显示面板的制造方法的方法流程图；

图8是本申请实施例提供的一种在衬底基板上形成tft后的示意图；

图9是本申请实施例提供的一种在tft远离衬底基板的一侧形成发光器件后的示意图；

图10是本申请实施例提供的一种在发光器件远离衬底基板的一侧形成第一封装膜层后的示意图；

图11是本申请实施例提供的一种在第一封装膜层远离发光器件的一侧形成第二封装膜层后的示意图；

图12是本申请实施例提供的一种在第二封装膜层远离发光器件的一侧形成第一封装膜层后的示意图；

图13是本申请实施例提供的一种在封装结构远离发光器件的一侧形成光电器件的方法流程图；

图14是本申请实施例提供的一种在柔性衬底远离刚性衬底基板的一侧形成光电器件后的示意图；

图15是本申请实施例提供的一种在光电器件远离柔性衬底的一侧形成粘接层后的示意图；

图16是本申请实施例提供的一种通过粘接层将光电器件与封装结构粘接后的示意图；

图17是本申请实施例提供的一种显示装置的结构示意图。

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部份实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。

在显示行业中，通常在oled显示面板的出光面上贴附偏光片来减小环境光线对oled显示面板发出的光线的干扰。但是，偏光片的厚度较大，导致偏光片对oled显示面板的出光效率的影响较大，此外，还会导致显示面板的厚度较大，难以实现显示面板的薄型化。

本申请实施例提供了一种显示面板及其制造方法、显示装置，无需设置偏光片即能减小环境光线对显示面板发出的光线的干扰，保证了显示面板的出光效率，且能够实现显示面板的薄型化。本申请的细节方案请参考下述实施例。

请参考图1，其示出了本申请实施例提供的一种显示面板1的结构示意图，该显示面板1包括：衬底基板10以及依次设置在衬底基板10上的发光器件11和封装结构12。封装结构12包括至少一个第一封装膜层120(图1示出了1个)，第一封装膜层120包括层叠设置的至少两个无机层(图1示出了3个)，该至少两个无机层的折射率沿靠近发光器件11的方向依次增大。例如，如图1所示，第一封装膜层120包括层叠设置的第一无机层1201、第二无机层1202和第三无机层1203，第三无机层1203、第二无机层1202和第一无机层1201沿靠近发光器件11的方向叠加，因此第三无机层1203、第二无机层1202和第一无机层1201的折射率沿靠近发光器件11的方向依次增大，也即是，第一无机层1201的折射率大于第二无机层1202的折射率，第二无机层1202的折射率大于第三无机层1203的折射率。

其中，第一封装膜层120被配置为调整射入至发光器件11的环境光线的角度，以减少从显示面板1反射出的环境光线。由于第一封装膜层120包括层叠设置的至少两个无机层，该至少两个无机层的折射率沿靠近发光器件11的方向依次增大，因此环境光线在经过第一封装膜层120时，会在每相邻的两个无机层的交界面反生折射和反射，使射入至发光器件11的环境光线的角度改变，因此第一封装膜层120可以调整射入至发光器件11的环境光线的角度。

示例地，请参考图2，其示出了环境光线在第一封装膜层120中的传播示意图，参见图2，环境光线a在第一封装膜层120中传播的过程中，以入射角b1从第三无机层1203射入第二无机层1202时，在第三无机层1203与第二无机层1202的交界面反生折射和反射，之后，折射光线以入射角b2射入第一无机层1201，并在第二无机层1202与第一无机层1201的交界面反生折射和反射。由于第三无机层1203的折射率小于第二无机层1202的折射率，且第二无机层1202的折射率小于第一无机层1201的折射率，因此入射角b2小于入射角b1。因此环境光线a在第一封装膜层120中传播的过程中，第一封装膜层120可以调整环境光线a的角度，使得射向发光器件11的环境光线与发光器件11的表面垂直(也即是射向发光器件11的环境光线与法线平行)，避免射向发光器件11的环境光线从发光器件11反射出，从而减少从显示面板1反射出的环境光线。

综上所述，本申请实施例提供的显示面板中，封装结构包括第一封装膜层，第一封装膜层包括至少两个无机层，该至少两个有机层的折射率沿靠近发光器件的方向依次增大，第一封装膜层可以通过该两个无机层对环境光线的折射和反射来调整环境光线的角度，以减少从显示面板反射出的环境光线，从而降低环境光线对显示面板发出的光线的干扰。由于无需设置偏光片即能减小环境光线对显示面板发出的光线的干扰，因此保证了显示面板的出光效率且能够实现显示面板的薄型化。

可选地，第一无机层1201的厚度可以为200nm(中文：纳米)至300nm，折射率可以为1.9至2.2；例如，该第一无机层1201的厚度可以为200nm、248nm、260nm或者300nm，折射率可以为1.9、2.0、2.1或者2.2。第二无机层1202的厚度可以为300nm至400nm，折射率可以为1.5至1.7；例如，该第二无机层1202的厚度可以为300nm、348nm、360nm或者400nm，折射率可以为1.5、1.55、1.6或者1.7。第三无机层1203的厚度可以为500nm至600nm，折射率可以为1.1至1.2；例如，该第三无机层1203的厚度可以为500nm、548nm、560nm或者600nm，折射率可以为1.12、1.14、1.17或者1.2。可选地，第一无机层1201的材料可以为氮化硅(英文：sinx)，第二无机层1202的材料可以为氮氧化硅(英文：sion)，第三无机层1203的材料可以为二氧化硅(英文：sio2)。

进一步地，请参考图3，其示出了本申请实施例提供的另一种显示面板1的结构示意图，参见图3，在图1的基础上，该封装结构12还包括：与第一封装膜层120叠加设置的第二封装膜层121，第二封装膜层121中掺杂有吸光颗粒1211，吸光颗粒1211被配置为吸收射入第二封装膜层121的环境光线。可选地，第二封装膜层121可以为有机层，吸光颗粒1211可以为无机颗粒。示例地，该吸光颗粒1211可以为sio2颗粒。其中，第二封装膜层121的厚度可以为8μm(中文：微米)至12μm，吸光颗粒1211的直径可以为1μm至2μm。吸光颗粒1211可以吸收射入第二封装膜层120的环境光线，减少到达发光器件11的环境光线。

可选地，在本申请实施例中，封装结构包括交替叠加的第一封装膜层和第二封装膜层。示例地，如图3所示，封装结构12包括沿远离衬底基板10方向叠加设置的第一封装膜层120、第二封装膜层121和第一封装膜层120，每个第一封装膜层120包括层叠设置的三个无机层，该三个无机层分别为沿远离发光器件11的方向依次设置的第一无机层1201、第二无机层1202和第三无机层1203，第三无机层1203、第二无机层1202和第一无机层1201的折射率沿靠近发光器件11的方向依次增大。

进一步地，请继续参考图3，该显示面板1还包括位于衬底基板10与发光器件11之间的薄膜晶体管(英文：thinfilmtransistor；简称：tft)13以及位于封装结构12远离发光器件11的一侧的光电器件14。其中，该tft13可以包括栅极、栅绝缘层、有源层、层间介质层、源极和漏极(图3中均未示出)。该tft13可以为非晶硅(英文：amorphoussilicon；简称：a-si)tft、氧化物(英文：oxide)tft或者低温多晶硅(英文：lowtemperaturepoly-silicon；简称：ltps)tft。光电器件14具有透光区域(图3中未示出)，发光器件11在衬底基板10上的正投影区域位于透光区域在衬底基板10上的正投影区域内，这样一来，可以避免光电器件14对发光器件11发出的光线进行遮挡。

在本申请实施例中，光电器件14可以具有透光区域和非透光区域，或者，光电器件14为透明器件，使得光电器件14具有透光区域。下面以两种实现方式对光电器件14进行说明。

第一种实现方式：光电器件14具有透光区域和非透光区域。

请参考图4，其示出了本申请实施例提供的再一种显示面板1的结构示意图，参见图4，光电器件14具有透光区域(图4中未示出)和非透光区域(图4中未示出)，该光电器件14包括半导体结构层140，位于半导体结构层140靠近封装结构12一侧的第一电极141，以及，位于半导体结构层140远离封装结构12一侧的第二电极142。第一电极141和第二电极142均可以为氧化铟锡(英文：indiumtinoxide；简称：ito)电极，第一电极141的厚度和第二电极142的厚度均可以为80nm至100nm，例如，该第一电极141的厚度为82nm、88nm、95nm或者99nm，第二电极142的厚度为80nm、90nm、95nm或者100nm。

可选地，半导体结构层140包括位于光电器件14的透光区域的半导体薄膜1400和位于光电器件14的非透光区域的pin结构1401，半导体薄膜1400的厚度小于pin结构1401的厚度。pin结构1401可以包括依次叠加的p型半导体层、本征半导体层和n型半导体层(图4中均未示出)。半导体薄膜1400可以是对pin结构进行减薄处理得到的，容易理解，该半导体薄膜1400可以包括p型半导体层、n型半导体层和/或本征半导体层。其中，p型半导体层可以为p型掺杂的a-si薄膜，本征半导体层可以为a-si薄膜，n型半导体层可以为n型掺杂的a-si薄膜。示例地，p型半导体层可以掺杂有硼(b)离子，n型半导体层可以掺杂有磷(p)离子。可选地，该半导体薄膜1400的厚度可以为50nm至70nm，例如，该半导体薄膜1400的厚度可以为50nm、60nm、65nm或70nm，该pin结构1401的厚度可以为2μm至3μm，例如，该pin结构1401的厚度可以为2μm、2.4μm、2.8μm或者3μm。需要说明的是，该光电器件14用于通过pin结构1401将环境光线的光信号转换为电信号，半导体薄膜1400在光电器件14进行光电转换的过程中可以不作为功能层使用。

在本申请实施例中，半导体薄膜1400能够透光，假设半导体薄膜1400的透光率为c，该显示面板1的开口率(发光区域的面积与显示区域的面积的比值)为d，则该显示面板1的非发光区域的面积与显示区域的面积的比值为1－d。通常情况下，非发光区域对环境光线的反射率为5％，发光器件11对环境光线的反射率不小于90％，由于发光器件11在衬底基板10上的正投影区域位于光电器件14的透光区域(也即是半导体薄膜1400)在衬底基板10上的正投影区域内，因此，环境光线可以经过该透光区域(也即是半导体薄膜1400)照射至发光器件11并在发光器件11发生反射，反射光线再经过光电器件14的透光区域从显示面板1的出光面射出。假设发光器件11对环境光线的反射率为90％，则该显示面板1对环境光线的反射率为：(1－d)×5％+d×c×90％×c。在本申请实施例中，当半导体薄膜1400的厚度为50nm至70nm时，该半导体薄膜1400的透光率为40％至45％。假设半导体薄膜1400的透光率为45％(c＝45％)，发光器件11对环境光线的反射率为90％，显示面板1的开口率为20％(d＝20％)，显示面板1的非发光区域的面积与显示区域的面积的比值为80％，则显示面板1对环境光线的反射率可以为80％×5％+20％×45％×90％×45％≈7％。由此可知，本申请实施例提供的方案无需设置偏光片即能将显示面板对环境光线的反射率降低至7％。

可选地，请继续参考图4，该显示面板1还包括：位于光电器件14远离封装结构12的一侧的柔性衬底15，以及，位于光电器件14与封装结构12之间的粘接层16。其中，柔性衬底15可以为采用聚酰亚胺(英文：polyimide；简称：pi)等柔性透明材料制成的柔性基底，柔性衬底15的厚度可以为10μm。粘接层16的材料可以为光学透明胶(英文：opticalclearadhesive；简称：oca)或者紫外光(英文：ultravioletrays；简称：uv)固化胶。

需要说明的是，在该第一种实现方式中，粘接层16用于将光电器件14与封装结构12粘接，柔性衬底15用于作为光电器件14的衬底。本领域技术人员容易理解，显示面板1也可以不具有柔性衬底15和粘接层16，而直接在封装结构12上制备光电器件14，本申请实施例对此不做限定。

第二种实现方式：光电器件14为透明器件，使得光电器件14具有透光区域。

请参考图5，其示出了本申请实施例提供的又一种显示面板1的结构示意图，参见图5，光电器件14包括沿远离封装结构12的方向依次叠加的第一电极143、pin结构144和第二电极145。第一电极143和第二电极145的厚度均可以为50nm至70nm，例如，第一电极143的厚度为50nm、55nm、60nm或者70nm，第二电极145的厚度为50nm、54nm、65nm或者70nm。该pin结构144的厚度可以为50nm至100nm，例如，该pin结构144的厚度为50nm、60nm、70nm或者100nm。其中，pin结构144的相关描述可以参考前述第一种实现方式，本申请实施例在此不做赘述。

需要说明的是，在该第二种实现方式中，显示面板1还可以包括位于光电器件14远离封装结构12的一侧的柔性衬底，以及，位于光电器件14与封装结构12之间的粘接层，柔性衬底与粘接层的相关描述可以参考上述第一种实现方式。容易理解，显示面板1也可以不包括柔性衬底和粘接层，本申请实施例对此不做限定。

在本申请实施例中，上述衬底基板10可以为采用玻璃、石英或透明树脂等具有一定坚固性的导光且非金属材料制成的硬质基板；或者，衬底基板10可以为采用pi等柔性材料制成的柔性基板。当衬底基板10为柔性基板时，显示面板1可以为柔性显示面板，相应的，发光器件11和光电器件14均为柔性器件。可选地，显示面板1可以为电致发光(英文：electroluminescence；简称：el)显示面板，相应地，上述发光器件11可以为电致发光(英文：electroluminescence；简称：el)器件。例如，显示面板1可以为oled显示面板或(英文：quantumdotlightemittingdiodes；简称：qled)显示面板，发光器件11可以为oled器件或者qled器件。其中，oled显示面板可以为有源矩阵有机电致发光二极管(英文：activematrixorganiclightemittingdiode；简称：amoled)显示面板或者无源矩阵有机电致发光二极管(英文：passivematrixorganiclightemittingdiode；简称：pmoled)显示面板，发光器件11可以包括电致发光层以及用于驱动电致发光层发光的阳极和阴极。

需要说明的是，光电器件14可以进行光电转换以将环境光线的光信号转换为电信号，因此，可以将该光电器件14作为显示面板1的太阳能电池，向显示面板1供电。此外，在本申请实施例中，任一结构的厚度指的是该结构在垂直于衬底基板的板面的方向上的尺寸，例如，第一无机层1201的厚度为第一无机层1201在垂直于衬底基板10的板面的方向上的尺寸，又例如，pin结构1401的厚度为pin结构1401在垂直于衬底基板10的板面的方向上的尺寸，本申请实施例在此不再赘述。

综上所述，本申请实施例提供的显示面板中，封装结构包括第一封装膜层，第一封装膜层包括至少两个无机层，该至少两个有机层的折射率沿靠近发光器件的方向依次增大，第一封装膜层可以通过该两个无机层对环境光线的折射和反射来调整环境光线的角度，以减少从显示面板反射出的环境光线，从而降低环境光线对显示面板发出的光线的干扰。由于无需设置偏光片即能减小环境光线对显示面板发出的光线的干扰，因此保证了显示面板的出光效率且能够实现显示面板的薄型化。进一步地，光电器件能够将环境光线的光信号转换为电信号向显示面板供电，因此光电器件可以作为显示面板的电池使用。

本申请实施例提供的显示面板可以应用于下文的方法，本申请实施例中显示面板的制造方法和制造原理可以参见下文各实施例中的描述。

请参考图6，其示出了本申请实施例提供的一种显示面板的制造方法的方法流程图，该显示面板的制造方法可以用于制造图1至图5任一所示的显示面板1，参见图6，该显示面板的制造方法包括如下步骤：

步骤601、提供一衬底基板。

步骤602、在衬底基板上形成发光器件。

步骤603、在发光器件远离衬底基板的一侧形成封装结构，封装结构包括至少一个第一封装膜层，第一封装膜层包括层叠设置的至少两个无机层，该至少两个无机层的折射率沿靠近发光器件的方向依次增大。

其中，该第一封装膜层被配置为调整射入至发光器件的环境光线的角度，以减少从显示面板反射出的环境光线。

综上所述，本申请实施例提供的显示面板的制造方法，该方法制造的显示面板中，封装结构包括第一封装膜层，第一封装膜层包括至少两个无机层，该至少两个有机层的折射率沿靠近发光器件的方向依次增大，第一封装膜层可以通过该两个无机层对环境光线的折射和反射来调整环境光线的角度，以减少从显示面板反射出的环境光线，从而降低环境光线对显示面板发出的光线的干扰。由于无需设置偏光片即能减小环境光线对显示面板发出的光线的干扰，因此保证了显示面板的出光效率且能够实现显示面板的薄型化。

可选地，步骤603包括：

在发光器件远离衬底基板的一侧形成层叠设置的至少两个无机层，得到第一封装膜层。

在第一封装膜层远离发光器件的一侧形成第二封装膜层，第二封装膜层中掺杂有吸光颗粒，吸光颗粒被配置为吸收射入第二封装膜层的环境光线。

可选地，在步骤602之前，该方法还包括：在衬底基板上形成tft。

相应地，步骤602包括：在tft远离衬底基板的一侧形成发光器件。

可选地，在步骤603之后，该方法还包括：在封装结构远离发光器件的一侧形成光电器件，该光电器件具有透光区域，发光器件在衬底基板上的正投影区域位于透光区域在衬底基板上的正投影区域内。

可选地，在封装结构远离发光器件的一侧形成光电器件，包括：

提供一刚性衬底基板；

在刚性衬底基板上形成柔性衬底；

在柔性衬底远离刚性衬底基板的一侧依次形成第二电极、半导体结构层和第一电极，得到光电器件，半导体结构层包括位于透光区域的半导体薄膜和位于非透光区域的pin结构，半导体薄膜的厚度小于pin结构的厚度。

在光电器件远离柔性衬底的一侧形成粘接层；

通过粘接层将光电器件与封装结构粘接；

剥离刚性衬底基板。

可选地，在封装结构远离发光器件的一侧形成光电器件，包括：在封装结构远离发光器件的一侧依次形成第一电极、pin结构和第二电极。

上述所有可选技术方案，可以采用任意结合形成本申请的可选实施例，在此不再一一赘述。

请参考图7，其示出了本申请实施例提供的另一种显示面板的制造方法的方法流程图，本申请实施例以制造图4和图5所示的显示面板1为例进行说明。参见图7，该显示面板的制造方法包括如下步骤：

步骤701、提供一衬底基板。

其中，衬底基板可以是刚性衬底基板或柔性衬底基板，刚性衬底基板可以为采用玻璃、石英或者透明树脂等具有一定坚固性的导光且非金属材料制成的透明基板，柔性衬底基板可以为采用pi等柔性材料制成的柔性基板。

当衬底基板是刚性衬底基板时，可以直接提供该衬底基板；当衬底基板是柔性衬底基板时，可以先提供一刚性衬底基板，然后在刚性衬底基板上形成柔性衬底作为柔性衬底基板，并通过刚性衬底基板提供柔性衬底基板。

可选地，当衬底基板是柔性衬底基板时，可以先对刚性衬底基板进行清洗，然后在该刚性衬底基板上涂覆一层pi溶液，并对涂覆的pi溶液进行干燥处理，以形成柔性衬底基板。例如，可以在该刚性衬底基板上涂覆一层厚度为10μm的pi溶液，然后在300℃至400℃的温度下对涂覆的pi溶液进行干燥处理，以形成厚度为10μm的柔性衬底基板。

步骤702、在衬底基板上形成tft。

请参考图8，其示出了本申请实施例提供的一种在衬底基板10上形成tft13后的示意图，tft13可以包括栅极、栅绝缘层、有源层、层间介质层、源极和漏极(图8中均未示出)，源极和漏极可以位于同一层。则在衬底基板10上形成tft13可以包括：在衬底基板10上依次形成栅极、栅绝缘层、有源层、层间介质层和源漏极层，源漏极层包括源极和漏极。

步骤703、在tft远离衬底基板的一侧形成发光器件。

请参考图9，其示出了本申请实施例提供的一种在tft13远离衬底基板10的一侧形成发光器件11后的示意图，tft13可以为el器件，其可以包括电致发光层以及用于驱动电致发光层发光的阳极和阴极，则在tft13远离衬底基板10的一侧形成发光器件11可以包括：在tft13远离衬底基板10的一侧依次形成阳极、电致发光层和阴极，阳极、电致发光层和阴极依次叠加。

步骤704、在发光器件远离衬底基板的一侧形成第一封装膜层。

其中，第一封装膜层包括层叠设置的至少两个无机层。

请参考图10，其示出了本申请实施例提供的一种在发光器件11远离衬底基板10的一侧形成第一封装膜层120后的示意图，参见图10，第一封装膜层120包括层叠设置的第一无机层1201、第二无机层1202和第三无机层1203，第一无机层1201、第二无机层1202和第三无机层1203沿远离发光器件11的方向依次叠加，且第三无机层1203、第二无机层1202和第一无机层1201的折射率沿靠近发光器件11的方向依次增大。其中，第一无机层1201的厚度可以为200nm至300nm，第一无机层1201的折射率可以为1.9至2.2，例如，第一无机层1201是厚度为200nm至300nm的sinx膜层。第二无机层1202的厚度可以为300nm至400nm，第二无机层1202的折射率可以为1.5至1.7，例如，第二无机层1202是厚度为300nm至400nm的sion膜层。第三无机层1203的厚度可以为500nm至600nm，第三无机层1203的折射率可以为1.1至1.2，例如，第三无机层1203可以是厚度为500nm至600nm的sio2膜层。示例地，在发光器件11远离衬底基板10的一侧形成第一封装膜层120可以包括以下步骤：

步骤(1)、通过化学气相沉积(chemicalvapordeposition，cvd)、涂敷或者溅射等方式在发光器件11远离衬底基板10的一侧形成sinx材质层，通过一次构图工艺对sinx材质层进行处理得到第一无机层1201。

步骤(2)、通过cvd、涂敷或者溅射等方式在第一无机层1201远离衬底基板10的一侧形成sion材质层，通过一次构图工艺对sion材质层进行处理得到第二无机层1202。

步骤(3)、通过cvd、涂敷或者溅射等方式在第二无机层1202远离衬底基板10的一侧形成sio2材质层，通过一次构图工艺对sio2材质层进行处理得到第三无机层1203。

步骤705、在第一封装膜层远离发光器件的一侧形成第二封装膜层，第二封装膜层中掺杂有吸光颗粒。

请参考图11，其示出了本申请实施例提供的一种在第一封装膜层120远离发光器件11的一侧形成第二封装膜层121后的示意图，参见图11，第二封装膜层121中掺杂有吸光颗粒1211，吸光颗粒1211被配置为吸收射入第二封装膜层120的环境光线。可选地，第二封装膜层121可以为有机层，吸光颗粒1211可以为无机颗粒。示例地，该吸光颗粒1211可以为sio2颗粒。

示例地，在第一封装膜层120远离发光器件11的一侧形成第二封装膜层121可以包括：首先将有机材料与sio2颗粒混合得到混合材料，然后通过喷墨打印(英文：ink-jetprinting；简称：ijp)工艺在第一封装膜层120远离发光器件11的一侧打印一层该混合材料并进行干燥处理，得到第二封装膜层121。

步骤706、在第二封装膜层远离发光器件的一侧形成第一封装膜层，得到封装结构。

其中，第一封装膜层包括层叠设置的至少两个无机层。

请参考图12，其示出了本申请实施例提供的一种在第二封装膜层121远离发光器件11的一侧形成第一封装膜层120后的示意图，参见图12，第一封装膜层120包括层叠设置的第一无机层1201、第二无机层1202和第三无机层1203，第一无机层1201、第二无机层1202和第三无机层1203沿远离发光器件11的方向依次叠加，且第三无机层1203、第二无机层1202和第一无机层1201的折射率沿靠近发光器件11的方向依次增大。其中，该步骤706形成第一封装膜层120的过程可以参考前述步骤704，本申请实施例在此不做赘述。

需要说明的是，图12是以封装结构12包括沿远离衬底基板10方向依次叠加的第一封装膜层120、第二封装膜层121和第一封装膜层120为例进行说明的，容易理解，该封装结构12可以包括交替叠加的第一封装膜层120和第二封装膜层121，每个封装膜层120的形成过程可以参考步骤704，每个第二封装膜层121的形成过程可以参考步骤705，本申请实施例在此不做赘述。

步骤707、在封装结构远离发光器件的一侧形成光电器件，该光电器件具有透光区域，发光器件在衬底基板上的正投影区域位于透光区域在衬底基板上的正投影区域内。

在本申请实施例中，可以先制备光电器件，然后将光电器件粘接在封装结构远离发光器件的一侧，或者，可以在封装结构远离发光器件的一侧制备光电器件。下面以两种实现方式对光电器件的形成过程进行说明。

第一种实现方式：先制备光电器件，然后将光电器件粘接在封装结构远离发光器件的一侧。则请参考图13，其示出了本申请实施例提供的一种在封装结构远离发光器件的一侧形成光电器件的方法流程图，图13以在封装结构12远离发光器件11的一侧形成图4中的光电器件14为例进行说明，参见图13，该方法包括如下步骤：

子步骤7071、提供一刚性衬底基板。

该刚性衬底基板可以为采用玻璃、石英或者透明树脂等具有一定坚固性的导光且非金属材料制成的硬质基板。

子步骤7072、在刚性衬底基板上形成柔性衬底。

其中，柔性衬底的材料可以为pi等柔性材料，柔性衬底的厚度可以为10μm。可选地，可以在刚性衬底基板上涂覆一层pi溶液，并对涂覆的pi溶液进行干燥处理，以形成柔性衬底。例如，可以在刚性衬底基板上涂覆一层厚度为10μm的pi溶液，然后在300℃至400℃的温度下对涂覆的pi溶液进行干燥处理，以形成厚度为10μm的柔性衬底。

子步骤7073、在柔性衬底远离刚性衬底基板的一侧依次形成第二电极、半导体结构层和第一电极，得到光电器件。

请参考图14，其示出了本申请实施例提供的一种在柔性衬底15远离刚性衬底基板(图14中未标出)的一侧依次形成第二电极142、半导体结构层140和第一电极141后的示意图，参见图14，该光电器件14具有透光区域(图14中未示出)和非透光区域(图14中未示出)，半导体结构层140包括位于透光区域的半导体薄膜1400和位于非透光区域的pin结构1401，半导体薄膜1400的厚度小于pin结构1401的厚度。其中，pin结构1401可以包括依次叠加的p型半导体层、本征半导体层和n型半导体层。半导体薄膜1400可以是对pin结构进行减薄处理得到的，容易理解，该半导体薄膜1400可以包括p型半导体层、n型半导体层和/或本征半导体层。可选地，半导体薄膜1400的厚度可以为50nm至70nm，pin结构1401的厚度可以为2μm至3μm，第一电极141和第二电极142均可以为ito电极。

示例地，在柔性衬底15远离刚性衬底基板的一侧依次形成第二电极142、半导体结构层140和第一电极141可以包括以下步骤：

步骤(1)、通过cvd、涂敷或者溅射等方式在柔性衬底15远离刚性衬底基板的一侧形成ito材质层，通过一次构图工艺对ito材质层进行处理得到第二电极142。

步骤(2)、通过cvd、涂敷或者溅射等方式在第二电极142远离柔性衬底15的一侧依次形成p型半导体材质层、本征半导体材质层和n型半导体材质层，然后通过一次构图工艺对p型半导体材质层、本征半导体材质层和n型半导体材质层进行处理得到p型半导体层、本征半导体层和n型半导体层，也即是得到pin结构层。其中，形成p型半导体材质层可以包括通过cvd、涂敷或者溅射等方式形成本征半导体材质层，然后对本征半导体材质层进行p型掺杂得到p型半导体材质层；形成n型半导体材质层可以包括通过cvd、涂敷或者溅射等方式形成本征半导体材质层，然后对本征半导体材质层进行n型掺杂得到n型半导体材质层。示例地，该p型半导体材质层的材料可以为p型a-si，本征半导体材质层的材料可以为本征a-si，n型半导体材质层的材料可以为n型a-si。

需要说明的是，本申请实施例是以同时形成p型半导体层、本征半导体层和n型半导体层为例进行说明的，实际应用中，可以在每形成一半导体材质层(例如p型半导体材质层)后，就通过一次构图工艺对该半导体材质层进行处理得到相应的半导体层(例如p型半导体层)。

步骤(3)、通过一次构图工艺对pin结构层的部分区域进行减薄处理，得到半导体薄膜1400和pin结构1401，从而得到半导体结构层140，半导体薄膜1400为pin结构层中被减薄的部分，pin结构1401为pin结构层中未被减薄的部分。

步骤(4)、通过cvd、涂敷或者溅射等方式在半导体结构层140远离第二电极142的一侧形成ito材质层，通过一次构图工艺对ito材质层进行处理得到第一电极141。

子步骤7074、在光电器件远离柔性衬底的一侧形成粘接层。

请参考图15，其示出了本申请实施例提供的一种在光电器件14远离柔性衬底15的一侧形成粘接层16后的示意图，该粘接层16的材料可以为oca或者uv固化胶。示例地，可以在光电器件14远离柔性衬底15的一侧涂覆一层oca作为粘接层16。

子步骤7075、通过粘接层将光电器件与封装结构粘接。

请参考图16，其示出了本申请实施例提供的一种通过粘接层16将光电器件14与封装结构12粘接后的示意图。可选地，可以先将光电器件14与封装结构12贴合，然后向光电器件14施加压力，使光电器件14与封装结构12粘接。

子步骤7076、剥离刚性衬底基板。

剥离刚性衬底基板后的示意图可以参见图4，示例地，可以通过激光剥离(英文：laserliftoff；简称：llo)工艺剥离刚性衬底基板。

第二种实现方式：在封装结构远离发光器件的一侧制备光电器件。

参见图5，光电器件14包括沿远离封装结构12的方向依次叠加的第一电极143、pin结构144和第二电极145。其中，该第一电极143和第二电极145均可以为ito电极，第一电极143和第二电极145的厚度均可以为50nm至70nm，pin结构144的厚度可以为50nm至100nm。则该步骤707可以包括：在封装结构12远离发光器件11的一侧依次形成第一电极143、pin结构144和第二电极145。形成第一电极143的过程可以参考前述子步骤7073中的步骤(1)，形成pin结构144的过程可以参考前述子步骤7073中的步骤(2)，形成第二电极145的过程可以参考前述子步骤7073中的步骤(4)，在此不做赘述。

需要说明的是，本申请实施例提供的显示面板的制造方法中，所涉及的cvd方式可以为等离子体增强化学气相沉积法(英文：plasmaenhancedchemicalvapordeposition；简称：pecvd)，溅射方式可以为磁控溅镀(英文：sputter)，所涉及的一次构图工艺包括光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离，通过一次构图工艺对材质层(例如sio2材质层)进行处理得到相应的结构(例如第三无机层1203)包括：在材质层(例如sio2材质层)上涂覆一层光刻胶形成光刻胶层，采用掩膜版对光刻胶层进行曝光，使得光刻胶层形成完全曝光区和非曝光区，之后采用显影工艺处理，使完全曝光区的光刻胶被完全去除，非曝光区的光刻胶全部保留，采用刻蚀工艺对材质层(例如sio2材质层)上完全曝光区对应的区域进行刻蚀，最后剥离非曝光区的光刻胶得到相应的结构(例如第三无机层1203)。这里是以光刻胶为正性光刻胶为例进行说明的，当光刻胶为负性光刻胶时，一次构图工艺的过程可以参考本段的描述，在此不再赘述。

还需要说明的是，本申请实施例提供的显示面板的制造方法步骤的先后顺序可以进行适当调整，步骤也可以根据情况进行相应增减，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化的方法，都应涵盖在本申请的保护范围之内，因此不再赘述。

综上所述，本申请实施例提供的显示面板的制造方法，该方法制造的显示面板中，封装结构包括第一封装膜层，第一封装膜层包括至少两个无机层，该至少两个有机层的折射率沿靠近发光器件的方向依次增大，第一封装膜层可以通过该两个无机层对环境光线的折射和反射来调整环境光线的角度，以减少从显示面板反射出的环境光线，从而降低环境光线对显示面板发出的光线的干扰。由于无需设置偏光片即能减小环境光线对显示面板发出的光线的干扰，因此保证了显示面板的出光效率且能够实现显示面板的薄型化。进一步地，光电器件能够将环境光线的光信号转换为电信号向显示面板供电，因此光电器件可以作为显示面板的电池使用。

本申请实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括显示面板，以及，依次设置在显示面板的出光面的触摸面板和保护膜，该显示面板可以为图1至图5任一所述的显示面板1。

示例地，请参考图17，其示出了本申请实施例提供的一种显示装置的结构示意图，图17以该显示面板1为图5所示的显示面板1为例进行说明，参见图17，该显示装置包括显示面板1以及设置在显示面板1的出光面的触摸面板2和保护膜3。示例地，该触摸面板2可以为电容式触摸面板，该保护膜3可以为有机材料制成的保护膜，例如，该保护膜可以为pi制成的保护膜。

可选地，该显示装置可以为电致发光显示装置，且可以是柔性显示装置，例如，该显示装置可以为触摸显示屏、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪、可穿戴设备或虚拟显示设备等任何具有显示功能的产品或部件。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的申请后，将容易想到本申请的其它实施方案。本申请旨在涵盖本申请的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本申请的一般性原理并包括本申请未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本申请的真正范围和精神由权利要求指出。

应当理解的是，本申请并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本申请的范围仅由所附的权利要求来限制。