用于有机发光器件的光提取结构及包括其的有机发光器件的制作方法

本发明涉及一种用于有机发光器件的光提取结构以及包括该光提取结构的有机发光器件及其制备方法。
背景技术：
：有机发光器件(oled)比起发展较早的无机发光器件而言，具有材料选择范围宽、可实现全彩色显示、驱动电压低、发光亮度和发光效率高、视角宽、响应速度快、制作过程相对简单、费用低，并可实现柔性显示等诸多优点。同时，由于oled具有可大面积成膜、功耗低以及其它优良特性，还是一种理想的平面光源，在未来的节能环保型照明领域也具有广泛的应用前景。oled的发光原理是，当施加正向直流电压于两电极时，电子和空穴分别从阴极和阳极注入有机薄膜，在电场的作用下，载流子在有机半导体材料中相向迁移，相遇后产生激子，激子在发光区域复合发光，发出的光随机向各个方向射出，在传播过程中由于全反射的作用，形成了外部模式(光从基底表面射出)、基底波导模式和ito/有机层波导模式。根据经典的射线光学理论，由于玻璃基底以及ito/有机材料在折射率等方面的差异，导致产生的光只有少部分能从基底出射，而其余的大部分光或以波导模式陷于玻璃基底和器件中，或从器件的边缘出射。根据经典射线光学理论计算，传统经典器件中外部模式、基底波导模式以及ito/有机层波导模式的比例分别为20％，30％和50％。从基底表面发出的光(外部模式)仅有20％，这远远无法满足照明以及显示应用的需要，从计算结果可以看出，激子复合产生的光大部分无法从基底出射成了限制oled发光效率最主要的因素，因此，探索提高光取出效率的方法就显得尤为必要。一般光提取方法可以分为两类：外部光提取法和内部光提取法。外部光提取法应用在器件的外部，简单易行，可以和器件的制备过程分别进行，成本低且易于大规模生产，但只能将困在玻璃基底中的光提取出来，限制了增光效率。内部光提取结构建造在器件内部，可以将器件中在光波导模式中损耗的光提取出来。因此，内部光提取法改善光提取效率的能力可以高于外部光提取法改善光提取效率的能力。然而，使用内部光提取法来改善光提取效率的效果相对于向外发散的光的量仍然是不明显的。因此，需要积极研究进一步改善光提取效率的方法或技术。技术实现要素：本发明提供了一种用于有机发光器件的光提取结构，其特征在于，所述的光提取结构包括基底及光提取层，所述基底的一侧具有粗化结构表面；所述光提取层形成于基底粗化结构表面上，包括全氢聚硅氮烷固化形成的基质和散布其中的高折射率纳米颗粒。本发明另一方面提供了一种有机发光器件，其特征在于，所述有机发光器件内部包含上述的光提取结构，其还包括第一电极、第二电极和有机发光部分，其中在光提取结构的光提取层上依次设置第一电极、有机发光部分和第二电极。本发明又一方面提供了所述的光提取结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将基底一侧的表面进行粗糙化处理；(2)将高折射率纳米颗粒与全氢聚硅氮烷溶液进行混合来制备混合液；(3)将含有高折射率纳米颗粒的全氢聚硅氮烷混合液涂覆于基底粗糙化表面；(4)对涂覆了的混合液进行干燥；(5)对已干燥的混合液进行固化形成光提取层；(6)任选地，在涂层固化后，重复步骤(3)至(5)依次或多次。本发明还提供了所述的有机发光器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将基底一侧的表面进行粗糙化处理；(2)将高折射率纳米颗粒与全氢聚硅氮烷溶液进行混合来制备混合液；(3)将含有高折射率纳米颗粒的全氢聚硅氮烷混合液涂覆于基底粗糙化表面；(4)对涂覆了的混合液进行干燥；(5)对已干燥的混合液进行固化形成光提取层；(6)任选地，在涂层固化后，重复步骤(3)至(5)一次或多次；(7)在所形成的光提取结构的光提取层上，依次构筑第一电极、有机发光部分和第二电极。相比现有技术，本发明具有如下有益效果：本发明方法制备的高折射率纳米颗粒均匀分散于sio2基质的光提取层透光率高，将其应用于有机发光器件中会较大程度地提升光取出效率，其还具有致密度均一良好、抗热缩胀、化学稳定性好以及耐磨性良好的特点。本发明利用表面粗糙化的基底及具有高折射率的光提取层制备有机发光器件，通过消除光波导模式来提高有机发光器件的光取出效率，其结构简单，易于实行。附图说明图1是示出本发明一个实施例的有机发光器件的截面的示意图。图2是示出本发明一个实施例的光提取结构的截面的示意图。图中：1-基底，11-基底表面粗糙结构；2-平坦化层，21-平坦化层基质，22-高折射率纳米颗粒；3-第一电极；4-有机发光部分；5第二电极。图3是示出本发明一个实施例的有机发光器件的制造过程的示意图。具体实施方式以下通过特定的具体实施例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。以下结合说明书和附图说明对本申请发明的具体实施过程进行详细的分解说明。需要注意的是，自始至终同类或类似的标号表示相同或类似的元件或具有类似功能的元件。以下通过参考附图所描述的实施例为示例内容，仅用于描述本发明，而不能理解为对本发明申请的限制条件。本发明提供了一种用于有机发光器件的光提取结构，其特征在于，所述的光提取结构包括基底及光提取层，所述基底的一侧具有粗化结构表面；所述光提取层形成于基底粗化结构表面上，包括全氢聚硅氮烷固化形成的基质和散布其中的高折射率纳米颗粒。在本发明的一个优选的实施方案中，所述基底为柔性基底，其选自聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚酰亚胺(pi)、聚碳酸酯(pc)、聚醚砜树脂(pes)以及环烯烃共聚物(coc)中的任意一种材料；所述基底的表面平均粗糙度ra为10～1000nm，优选为50～800nm，更优选200～600nm。本发明中，表面平均粗糙度是指粗糙化处理之后的基底表面具有的微小峰谷的不平度，其代表微小峰谷的高低程度和相邻两波峰或波谷之间间距状况；由轮廓算术平均偏差ra表示。本发明中，表面平均粗糙度的表征采用原子力显微镜(atm)。所述基底的单表面进行粗糙化处理，处理方式可采用本领域技术人员所公知的方法，例如等离子体处理、激光干涉刻蚀、高能离子辐照、电子束刻蚀等。对该表面进行处理，实现表面粗化的效果，以增强光提取以及光提取层基质的附着力。本发明中的粗化处理的目的为使基底表面变得不平整，略有凹凸起伏结构，防止取出光在基底的光滑表面产生较多的镜面反射，同时在取出光入射在不平整(例如锯齿状或不规则形状)表面时，会增大其入射范围(即取出光入射角范围增大)并能减少全发射的几率。在本发明一个优选的实施方案中，所述光提取层采用先驱体衍生法制备，所述先驱体为含有高折射率纳米颗粒的全氢聚硅氮烷混合液。即，全氢聚硅氮烷混合液为含有高折射率纳米颗粒的全氢聚硅氮烷溶液。在本发明一个优选的实施方案中，所述全氢聚硅氮烷的数均分子量为300-3000，优选500-2500，其以溶液的形式使用。所述全氢聚硅氮烷数均分子量的测定采用凝胶渗透色谱(gpc)法，按照《中华人民共和国国家标准gb/t21863-2008》测定(等同于德国标准din55672-1:2007《凝胶渗透色谱法(gpc)第1部分：用四氢呋喃(thf)作洗脱溶剂》)。所述全氢聚硅氮烷溶液的溶剂选自甲苯、二氯甲烷、四氢呋喃、二甲苯、正己烷、正戊烷、酯类或醚类。在本发明一个优选的实施方案中，基于全氢聚硅氮烷溶液总重量计，所述全氢聚硅氮烷的用量为10-50wt％，优选20-40wt％，更优选20-30wt％。在本发明一个优选的实施方案中，在全氢聚硅氮烷混合液中，基于所用的全氢聚硅氮烷溶液固含量重量计，即所含的全氢聚硅氮烷固含量计，所述高折射率纳米颗粒的用量为5-70wt％，优选10-60wt％，更优选15-50wt％。发明人已发现，全氢聚硅氮烷涂层处理后得到的sio2涂层具有良好的耐磨性和透光性，并且能够使内部纳米颗粒固定于基质层中。本发明中，对于纳米颗粒要求高折射率的原因为：具有更高的折射率的纳米颗粒与所述二氧化硅基质形成的光提取层为混合光密介质层，因此减少光在电极处的全反射。所以纳米颗粒折射率为2.2以上，例如2.2-2.5。在本发明中，所述的高折射率纳米颗粒的粒径为1-20nm，优选1-15nm。本发明中的粒度采用购自英国马尔文仪器公司的型号为malvernzetasizernano-zs的纳米激光粒度仪测定。所述的高折射率颗粒选自氧化锆、氧化铟、氧化铟锡、氧化铈、氧化镉、氧化铝、二氧化锰、氧化锌、二氧化钛、五氧化二铌、五氧化二钽、氧化铬、氧化镍、氧化铅、氧化锡、氧化铜、氧化钼、硅、氧化铪、氧化锰、碳酸钙、钛酸钡、碳化硅、氮化硅、氮化铝、硫化银、硫化锌、硫化钡、硫化钙、硫化镉、钛酸锆、铬酸铅或聚合物颗粒中的一种以上。在本发明中，在所述经粗化处理的基底表面，涂覆分散有高折射率纳米颗粒的全氢聚硅氮烷分散液，固化形成sio2基质的涂层。所述全氢聚硅氮烷混合液的涂覆方式可采用本领域技术人员所公知的方法，例如旋涂，浸涂，线性驱动力刮涂或喷涂。在本发明一个优选的实施方案中，所述光提取层的厚度为200-1000nm，优选300-800nm，更优选400-700nm。不囿于任何理论，发明人已发现，采用粗糙化处理的基底结合特定厚度的光提取层的光提取结构，可在提升发光器件的外量子效率的同时延长发光器件寿命，其中所述基底的表面平均粗糙度ra为10-1000nm，优选为50-800nm，更优选200至600nm；光提取层厚度为200-1200nm，优选300-800nm，更优选400-700nm；特别优选还符合以下关系式(1)的光提取结构：0.15≤ra/(l1+ra)≤0.6，(1)优选0.22≤ra/(l1+ra)≤0.45，其中，l1为光提取层厚度；或者特别优选还符合以下关系式(2)的光提取结构：0.6≤ra/(l1-ra)≤1.7，(2)优选0.9≤ra/(l1-ra)≤1.2其中，l1为光提取层厚度且l1＞ra，且优选l1比ra大200nm以上，更优选大280nm以上。本发明还特别优选同时符合上述关系式(1)和(2)的光提取结构件。本发明另一方面提供了一种有机发光器件，其特征在于，所述有机发光器件内部包含上述的光提取结构，其还包括第一电极、第二电极和有机发光部分，其中在光提取结构的光提取层上依次设置第一电极、有机发光部分和第二电极。本发明又一方面提供了所述的光提取结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将基底一侧的表面进行粗糙化处理；(2)将高折射率纳米颗粒与全氢聚硅氮烷溶液进行混合来制备混合液；(3)将含有高折射率纳米颗粒的全氢聚硅氮烷混合液涂覆于基底粗糙化表面；(4)对涂覆了的混合液进行干燥；(5)对已干燥的混合液进行固化形成光提取层；(6)任选地，在涂层固化后，重复步骤(2)至(4)一次或多次。在本发明的一个优选实施方案中，步骤(2)至(4)重复1-3次，即形成具有2-4层的光提取层，以获得所需的光提取层总厚度。在本发明的一个优选实施方案中，仅涂覆一次全氢聚硅氮烷混合液至粗化结构表面，形成具有所需的厚度的单层光提取层的光提取结构。本发明又一方面提供了所述的有机发光器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将基底一侧的表面进行粗糙化处理；(2)将高折射率纳米颗粒与全氢聚硅氮烷溶液进行混合来制备混合液；(3)将含有高折射率纳米颗粒的全氢聚硅氮烷混合液涂覆于基底粗糙化表面；(4)对涂覆了的混合液进行干燥；(5)对已干燥的混合液进行固化形成光提取层；(6)在上述的光提取结构的光提取层上，依次构筑第一电极、有机发光部分和第二电极。本发明中，第一电极为透明电极，其在光提取层上形成，第一电极与第二电极可彼此相对。第一电极可以是阳极。第一电极可以是透射电极、半透射电极或者反射电极。当第一电极是透射电极时，第一电极可使用透明金属氧化物来形成，例如铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物(izo)、氧化锌(zno)或铟锡锌氧化物(itzo)等。当第一电极是半透射电极或反射电极时，第一电极可包括ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr或金属混合物。若第一电极为铟锡氧化物，则一般为成品图案化结构，也可通过溅射的方式形成。上述第一电极可通过溅射法、离子电镀法、真空蒸镀法、旋涂法、电子束蒸镀法或化学气相沉积(cvd)等方法形成，优选通过溅射法形成。第一电极优选透明金属氧化物，例如ito，其透光率良好，其折射率为1.8-2.0范围。第一电极的厚度为100-200纳米，优选120-200纳米。第二电极可为阴极，其可为透明或非透明材质，例如为非透明金属电极。作为第二电极的金属电极可为al或混合mgag、alag金属电极，或是具有较高透过率的其它导电材质。第二电极的厚度为50-200纳米，优选60-150纳米。在本发明的一个实施方案中，本发明的有机发光器件为底部发射型器件，第一电极优选透明金属氧化物ito，第二电极为非透明金属电极。在本发明的一个实施方案中，在基底上制成作为阳极的第一电极层，基底可以为柔性材质或刚性材质。基底可选自本领域中常规使用的任何材料，对此并没有限制，例如选自聚乙烯醇、聚乙烯、聚氯乙烯、聚四氟乙稀、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯二甲酸乙二醇酯、聚氨酯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚酰胺酯、或聚醚酰亚胺。在本发明中，有机发光部分包含多层有机层，例如空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、电子传输层、以及电子注入层。发光功能层部分的各层均选自本领域中常规使用的相应功能层，对此没有任何限制。发光层的材料是一种通过分别接收来自空穴传输层和电子传输层的空穴和电子，并将所接收的空穴和电子结合而能发出可见光的材料，优选对荧光和磷光具有高的量子效率的材料。根据其发光颜色，发光材料分为蓝色、绿色和红色发光材料，此外为了实现更多自然色的需要，另外分为黄色和橙色发光材料。其具体的实例包括羟基喹啉衍生物的金属络合物、各种金属络合物、蒽衍生物、双苯乙烯苯衍生物、芘衍生物、噁唑衍生物和聚对苯乙烯衍生物等，但不限于此。此外，发光层可以包含主体材料和客体材料。作为本发明有机电致发光器件发光层的主体材料和客体材料，均可以使用现有技术中公知的用于有机电致发光器件的发光层材料，所述主体材料可为例如噻唑衍生物、苯并咪唑衍生物、聚二烷基芴衍生物或4,4'-双(9-咔唑基)联苯(cbp)；所述客体材料可为例如喹吖啶酮、香豆素、红荧烯、苝及其衍生物、苯并吡喃衍生物、罗丹明衍生物或氨基苯乙烯衍生物、ir(ppy)3、bh-1与mqab的掺杂材料(95:5)。在本发明的发光层中，所使用的主体材料与客体材料的比例为95:5-70:30，优选90:10-75:25，基于质量计。此外，为了改进荧光或磷光特性，发光材料还可包括磷光或荧光材料。磷光材料的具体实例包括铱、铂等的金属络合物的磷光材料。例如，可以使用ir(ppy)3[fac-三(2-苯基吡啶)铱]等绿色磷光材料，firpic、fir6等蓝色磷光材料和btp2ir(acac)等红色磷光材料。对于荧光材料，可使用本领域中已知的那些。此外，除了上述所使用的荧光或磷光主客体材料之外，还可以使用本领域中公知的用于有机电致发光器件中发光层的非主客体掺杂体系材料、具有热活化延迟荧光(tadf)功能的主客体材料，以及tadf功能材料和上述荧光、磷光材料相互组合搭配的形式。本发明的发光层的厚度可以为20-60nm，优选30-60nm。在本发明的一个实施方案中，发光层为主客体搭配结构，其中主客体结构为本领域中常规选用的任何结构，优选为单主体+客体，例如主体材料cbp与客体掺杂材料ir(pq)2acac(重量比为95:5)，或主体材料cbp与客体掺杂材料gd19(重量比为95:5)。在本发明中，空穴阻挡层为阻挡从阳极注入的空穴穿过发光层而进入阴极，由此延长器件的寿命并提高器件的效能的层。本发明的空穴阻挡层可设置在发光层之上。作为本发明有机电致发光器件的空穴阻挡层材料，可以使用现有技术中公共知的具有空穴阻挡作用的化合物，例如，浴铜灵(称为bcp)等菲咯啉衍生物、铝(iii)双(2-甲基-8-喹啉)-4-苯基酚盐(balq)等羟基喹啉衍生物的金属络合物、各种稀土类络合物、噁唑衍生物、三唑衍生物、三嗪衍生物等。本发明的空穴阻挡层的厚度可为2-200nm。电子传输层材料是一种容易接收阴极的电子并将接收的电子转移至发光层的材料。优选具有高的电子迁移率的材料。作为本发明有机电致发光器件的电子传输层，可以使用现有技术中公知的用于有机电致发光器件的电子传输层材料，例如，tpbi、以三(8-羟基喹啉)铝(alq3)、2-甲基-8-羟基喹啉对羟基联苯合铝(balq)为代表的羟基喹啉衍生物的金属络合物、各种金属络合物、三唑衍生物、三嗪衍生物、噁二唑衍生物、噻二唑衍生物、碳化二亚胺衍生物、喹喔啉衍生物、菲咯啉衍生物、硅基化合物衍生物等。本发明的电子传输层的厚度可以为20-80nm，优选30-60nm。电子注入层材料通常是优选具有低功函数的材料，使得电子容易地注入有机功能材料层中。作为本发明有机电致发光器件的电子注入层材料，可以使用现有技术中公知的用于有机电致发光器件的电子注入层材料，例如，氟化锂(lif)、氟化铯等碱金属盐、氟化镁等碱土金属盐、氧化铝等金属氧化物等。本发明的电子注入层的厚度可以是0.1-5nm，优选1-5nm。电子传输层材料例如为tpbi。电子传输层材料和电子注入层材料也可以一层的形式实现，例如将特定材料混合形成电子传输注入层，如tpbi和liq两种材料混合，例如按照1:1的质量比混合蒸镀实现。本发明中，空穴传输区域包括空穴传输层、电子阻挡层和空穴注入层，但不限于此。通常，具有p型性质的有机材料——其易被氧化且当其被氧化时电化学稳定——主要用作空穴注入材料或空穴传输材料。同时，具有n型性质的有机材料——其易被还原且当被还原时电化学稳定——用作电子注入材料或电子传输材料。作为发光层材料，优选既具有p型性质又具有n型性质的材料，当其被氧化和还原时均稳定，还优选当形成激子时具有较高的用于将激子转化为光的发光效率的材料。空穴注入层的材料通常是优选具有高功函数的材料，使得空穴容易地注入有机材料层中。空穴注入层的材料的具体实例包括，但不限于，三氧化钼、hat-cn、酞菁铜、n,n’-二苯基-n,n’-双-[4-(苯基-间甲苯-氨基)-苯基]-联苯-4,4’-二胺(dntpd)、4,4’,4”-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(m-mtdata)、4,4’4”-三(n,n-二苯基氨基)三苯胺(tdata)、4,4’,4”-三{n,-(2-萘基)-n-苯基氨基}-三苯胺(2tnata)、聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(pedot/pss)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)、聚苯胺/樟脑磺酸(pani/csa)或(聚苯胺)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(pani/pss)。本发明的空穴注入层的厚度可以是1-40nm，优选5-20nm。空穴传输层的材料优选为具有高的空穴迁移率的材料，这能使空穴从阳极或空穴注入层转移到发光层。空穴传输层的材料的具体实例包括，但不限于：基于咔唑的衍生物，例如n-苯基咔唑或聚乙烯咔唑；基于芴的衍生物；基于三苯胺的衍生物，例如n,n’-双(3-甲基苯基)-n,n’-二苯基-[1,1-联苯]-4,4’-二胺(tpd)和4,4’,4”-三(n-咔唑基)三苯胺(tcta)、n,n’-二(1-萘基)-n,n’-二苯基联苯胺(npb)、4,4’-亚环己基双[n,n-双(4-甲基苯基)苯胺](tapc)。本发明的空穴传输层的厚度可以是1-80nm，优选5-40nm。空穴注入层和/或空穴传输层还可以包含用于改善传导性的电荷产生材料。所述电荷产生材料可以为p-掺杂物。p-掺杂物的非限定性化合物的实例为，例如，醌衍生物，例如四氰基醌二甲烷(tcnq)和2,3,5,6-四氟-四氰基-1,4-苯醌二甲烷(f4-tcnq)；六氮杂三亚苯衍生物，例如2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯(hat-cn)；环丙烷衍生物，例如4,4’,4”-((1e,1’e,1”e)-环丙烷-1,2,3-三亚甲基三(氰基甲酰亚基))三(2,3,5,6-四氟苄基)；金属氧化物，例如氧化钨和氧化钼。所述电子阻挡层的材料为本领域常规使用的材料，其可以为含芴类材料，或包括第一有机材料和第二有机材料的混合材料，其中第一有机材料与第二有机材料的比例为0.5:9.5-9.5:0.5，基于质量计。第一有机材料可选自包含芴、吖啶或咔唑中的一种或多种的化合物。第二有机材料可选自包含氮杂芴、三芳胺、或螺氧杂蒽芴中的一种或多种的化合物。本发明的电子阻挡层的厚度可为10-100nm、优选为20-80nm。以下实施例中所用材料的缩写以及结构式如下所示：本发明中，器件电流效率/eqe/cie数据通过苏州弗士达科学仪器有限公司提供的型号为fs-1000ga4的ivl测试系统测试；驱动寿命数据通过zjls-4型oled老化寿命测试仪测试。实施例1制作光提取结构将基底经低温等离子体处理(平均粗糙度为280nm)并进行清洗，在基底的粗糙化表面上，以2000rpm的转速旋涂一层含20wt％的phps混合液(phps数均分子量为936，溶剂为二甲苯，其中所含高折射率纳米颗粒为tio2，平均粒径为8nm，基于全氢聚硅氮烷固含量重量计，为15wt％)，然后将其置于100℃的烘箱中15分钟，使其在空气气氛下先经过预固化除去溶剂，再在25％氨水蒸汽条件下，进行固化处理90分钟，形成光提取结构，其光提取层厚度为600nm。比较例1制作红光器件在具有厚度为150nmito的透明电极的玻璃基底上，利用真空蒸镀装置，蒸镀膜厚为10nm的三氧化钼moo3作为空穴注入层；紧接着蒸镀140nm厚度的tapc作为空穴传输层。上述空穴传输材料蒸镀结束后，制作oled发光器件的发光层，其结构包括oled发光层所使用cbp作为主体材料，ir(pq)2acac作为掺杂材料，掺杂材料掺杂比例为5％重量比，发光层膜厚为30nm。在蒸镀上述发光层之后，继续真空蒸镀电子传输层，真空蒸镀膜厚为40nm，使用材料为tpbi。在电子传输层上，通过真空蒸镀装置，制作膜厚为1nm的氟化锂(lif)层，此层为电子注入层。在电子注入层上，通过真空蒸镀装置，制作膜厚为80nm的铝(al)层，此层为阴极反射电极层使用。如上所述完成oled发光器件后，用驱动电路将阳极和阴极连接起来，测量器件的电流效率以及器件的寿命。实施例2制作加入光提取结构的红光器件将上述玻璃基底换成实施例1的光提取结构重复以上实验，eqe(外量子效率)增加56％，见表1。表1电流效率(cd/a)eqe(％)cie(x,y)驱动寿命lt95(h)发光颜色比较例114.814.050.66,0.3311红光实施例223.121.920.66,0.3219红光说明:器件电流效率/eqe/cie的测试条件为电流密度10ma/cm2；驱动寿命lt95的测试条件为3000nits。比较例2制作蓝光器件在具有厚度为150nmito的透明电极的玻璃基底上，利用真空蒸镀装置，蒸镀膜厚为10nm的三氧化钼moo3作为空穴注入层；紧接着蒸镀140nm厚度的tapc作为空穴传输层。上述空穴传输材料蒸镀结束后，制作oled发光器件的发光层，其结构包括oled发光层所使用bh-1作为主体材料，mqab作为掺杂材料，掺杂材料掺杂比例为5％重量比，发光层膜厚为25nm。在蒸镀上述发光层之后，继续真空蒸镀电子传输层，真空蒸镀膜厚为40nm，使用材料为tpbi。在电子传输层上，通过真空蒸镀装置，制作膜厚为1nm的氟化锂(lif)层，此层为电子注入层。在电子注入层上，通过真空蒸镀装置，制作膜厚为80nm的铝(al)层，此层为阴极反射电极层使用。如上所述完成oled发光器件后，用驱动电路将阳极和阴极连接起来，测量器件的电流效率以及器件的寿命。实施例3制作加入光提取结构的蓝光器件将上述玻璃基底换成实施例1的光提取结构重复以上实验，eqe增加62％，见表2。表2电流效率(cd/a)eqe(％)cie(x,y)驱动寿命lt90(h)发光颜色比较例26.86.150.15,0.1830蓝光实施例311.09.960.16,0.1844蓝光说明：器件电流效率/eqe/cie的测试条件为电流密度10ma/cm2；驱动寿命lt95的测试条件为1000nits。比较例3制作绿光器件在具有厚度为150nmito的透明电极的玻璃基底上，利用真空蒸镀装置，蒸镀膜厚为10nm的三氧化钼moo3作为空穴注入层；紧接着蒸镀140nm厚度的tapc作为空穴传输层。上述空穴传输材料蒸镀结束后，制作oled发光器件的发光层，其结构包括oled发光层所使用cbp作为主体材料，gd19作为掺杂材料，掺杂材料掺杂比例为5％重量比，发光层膜厚为30nm。在蒸镀上述发光层之后，继续真空蒸镀电子传输层，真空蒸镀膜厚为40nm，使用材料为tpbi。在电子传输层上，通过真空蒸镀装置，制作膜厚为1nm的氟化锂(lif)层，此层为电子注入层。在电子注入层上，通过真空蒸镀装置，制作膜厚为80nm的铝(al)层，此层为阴极反射电极层使用。如上所述完成oled发光器件后，用驱动电路将阳极和阴极连接起来，测量器件的电流效率以及器件的寿命。实施例4制作加入光提取结构的绿光器件将上述玻璃基底换成实施例1的光提取结构重复以上实验，eqe增加58％，见表3。表3电流效率(cd/a)eqe(％)cie(x,y)驱动寿命lt95(h)发光颜色比较例36.55.910.32,0.613.8绿光实施例410.39.340.32,0.605.4绿光说明:器件电流效率/eqe/cie的测试条件为电流密度10ma/cm2；驱动寿命lt95的测试条件为5000nits。由上述实验数据表明，加入本发明的光提取结构之后，将非辐射耦合转化为辐射光，提升eqe的同时，减少器件内部的热量积累，并减小了器件电性能劣化，因此器件寿命也有所延长。当前第1页12