技术特征：
技术总结
本发明公开了一种白光发光二极管外延结构及其制作方法，所述外延结构包括依次设置的衬底、缓冲层、N型GaN层、应力释放层、有源层、阻挡层和P型GaN层，所述有源层包括若干个周期的量子阱结构，所述量子阱结构包括若干个蓝光量子阱层、若干个黄光量子阱层和一个GaN量子垒层，所述外延结构在预设驱动电流下激发出黄光和蓝光。本发明外延结构自身可发出白光，不需要添加荧光粉。此外，本发明外延结构制作而成的LED芯片的响应时间快、使用寿命时间长。
技术研发人员：农明涛;庄家铭;贺卫群;祝邦瑞;郭嘉杰
受保护的技术使用者：佛山市国星半导体技术有限公司
技术研发日：2019.06.26
技术公布日：2019.10.18