滤光结构的制作方法

本公开实施例涉及一种滤光结构，且特别涉及一种包括一渐变层的滤光结构。

背景技术：

滤光器已广泛用于各种装置，例如光谱仪、环境光感测器、颜色感测器、图像感测器、光谱检查装置等。然而，传统的滤光结构并未满足各方面的需求。举例来说，当传统的滤光结构作为窄频滤波器(narrow-bandpassfilter)时，其通常相当厚。此外，从传统的滤光结构获得的光谱可能由于倾斜的(oblique)入射光而具有意外的变形。再者，很难将传统的滤光结构的尺寸减小至例如几微米以满足需求。

技术实现要素：

本公开实施例包括一种滤光结构。滤光结构包括一基板，基板具有多个光电转换元件。滤光结构也包括一第一金属堆叠层，第一金属堆叠层设置于基板上。滤光结构还包括一渐变层，渐变层设置于第一金属堆叠层上。渐变层具有一连续或非连续变化的厚度。滤光结构包括一平坦层，平坦层设置于渐变层上。滤光结构也包括一第二金属堆叠层，第二金属堆叠层设置于平坦层上。

附图说明

以下将配合说明书附图详述本公开实施例。应注意的是，各种特征部件并未按照比例绘制且仅用以说明例示。事实上，元件的尺寸可能经放大或缩小，以清楚地表现出本公开实施例的技术特征。

图1显示根据本公开一实施例的滤光结构的部分剖面图。图2显示根据本公开另一实施例的滤光结构的部分剖面图。

图3显示根据本公开一实施例的滤光结构的部分剖面图。

图4显示根据本公开一实施例的滤光结构的部分剖面图。

图5显示根据本公开一实施例的滤光结构的部分剖面图。

图6显示根据本公开一实施例的遮光层的孔的部分俯视图。

附图标记说明：

100、101、102、103、104～滤光结构

10～基板

12、12c、12p～光电转换元件

20～第一金属堆叠层

21～金属层

23～粘合层

30、31、33～渐变层

40～平坦层

50～第二金属堆叠层

51～金属层

53～粘合层

60、61～遮光层

60a、61a～孔

c、c'、c”～中央

p、p'、p”～周围

t1～厚度

t2～厚度

t3～厚度

t4～厚度

具体实施方式

以下的公开内容提供许多不同的实施例或范例以实施本公开的不同特征。以下的公开内容叙述各个构件及其排列方式的特定范例，以简化说明。当然，这些特定的范例并非用以限定。例如，若是本公开实施例叙述了一第一特征部件形成于一第二特征部件之上或上方，即表示其可能包含上述第一特征部件与上述第二特征部件是直接接触的实施例，亦可能包含了有附加特征部件形成于上述第一特征部件与上述第二特征部件之间，而使上述第一特征部件与第二特征部件可能未直接接触的实施例。

应理解的是，额外的操作步骤可实施于所述方法之前、之间或之后，且在所述方法的其他实施例中，部分的操作步骤可被取代或省略。

此外，其中可能用到与空间相关用词，例如“在…下方”、“下方”、“较低的”、“在…上方”、“上方”、“较高的”及类似的用词，这些空间相关用词为了便于描述图示中一个(些)元件或特征部件与另一个(些)元件或特征部件之间的关系，这些空间相关用词包括使用中或操作中的装置的不同方位，以及附图中所描述的方位。当装置被转向不同方位时(旋转90度或其他方位)，则其中所使用的空间相关形容词也将依转向后的方位来解释。

在说明书中，“约”、“大约”、“大抵”的用语通常表示在一给定值或范围的20％之内，或10％之内，或5％之内，或3％之内，或2％之内，或1％之内，或0.5％之内。在此给定的数量为大约的数量，亦即在没有特定说明“约”、“大约”、“大抵”的情况下，仍可隐含“约”、“大约”、“大抵”的含义。

除非另外定义，在此使用的全部用语(包括技术及科学用语)具有与此篇公开所属的相关技术人员所通常理解的相同涵义。能理解的是，这些用语，例如在通常使用的字典中定义的用语，应被解读成具有与相关技术及本公开的背景或上下文一致的意思，而不应以一理想化或过度正式的方式解读，除非在本公开实施例有特别定义。

以下所公开的不同实施例可能重复使用相同的参考符号及/或标记。这些重复是为了简化与清晰的目的，并非用以限定所讨论的不同实施例及/或结构之间有特定的关系。

图1显示根据本公开一实施例的滤光结构100的部分剖面图。应注意的是，为了简洁起见，并非所有滤光结构100的部件皆显示于图1中。

参照图1，滤光结构100包括一基板10。在一些实施例中，基板10的材料可包括元素半导体(例如，硅或锗)、化合物半导体(例如，碳化钽(tac)、砷化镓(gaas)、砷化铟(inas)或磷化铟(inp))、合金半导体(例如，硅锗(sige)、碳化硅锗(sigec)、磷化砷化镓(gaasp)或磷化镓铟(gainp))、其他适当的半导体或前述的组合，但本公开实施例并非以此为限。

在一些实施例中，基板10可为绝缘层上半导体(semiconductor-on-insulator(soi))基板。前述绝缘层上半导体基板可包括底板、设置于前述底板上的埋藏氧化层以及设置于前述埋藏氧化层上的半导体层。在一些实施例中，基板10可为一半导体晶圆(例如：硅晶圆或其他适当的半导体晶圆)。在一些实施例中，基板10的材料可包括(但不限于)以下至少其中之一：陶瓷、玻璃、聚酰亚胺(polyimide,pi)、液晶聚合物(liquid-crystalpolymer,lcp)、聚碳酸酯(polycarbonate,pc)、聚丙烯(polypropylene,pp)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethyleneterephthalate,pet)(和其他塑料)、聚合物材料、其他合适的材料或前述材料的组合，但本公开实施例并非以此为限。

在一些实施例中，基板10可包括各种导电特征(例如，导线(conductiveline)或导孔(via))。举例来说，前述导电特征可由铝(al)、铜(cu)、钨(w)、其各自的合金、其他适当的导电材料或上述的组合所形成，但本公开实施例并非以此为限。

如图1所示，基板10可具有多个光电转换元件(photoelectricconversionelement)12。在一些实施例中，光电转换元件12可通过例如离子布植(ionimplantation)工艺及/或扩散(diffusion)工艺所形成。举例来说，光电转换元件12可被配置以形成晶体管、光电二极管、pin二极管及/或发光二极管，但本公开实施例并非以此为限。

参照图1，滤光结构100包括一第一金属堆叠层20，第一金属堆叠层20设置于基板10上。在本实施例中，第一金属堆叠层20可包括至少一金属层21及至少一粘合层23，粘合层23与金属层21堆叠。亦即，多个金属层21与粘合层23可例如彼此交替地堆叠。在图1中，第一金属堆叠层20包括两层金属层21及一层粘合层23，粘合层23设置于两层金属层21之间。在一些实施例中，第一金属堆叠层20中的金属层21及粘合层23的总数量可介于4至15。然而，金属层21的数量及粘合层23的数量并非以此为限。

在一些实施例中，金属层21的材料可包括金(au)、铜(cu)、铝(al)、银(ag)、镍(ni)或其他合适的金属，但本公开实施例并非以此为限。在一些实施例中，粘合层23的材料可包括钛(ti)、铬(cr)、氧化锌(zno)、氧化铝(al2o3)或其他合适的材料，但本公开实施例并非以此为限。在一些实施例中，金属层21及粘合层23可通过化学气相沉积(chemicalvapordeposition,cvd)工艺、原子层沉积(atomiclayerdeposition,ald)工艺、物理气相沉积(physicalvapordeposition,pvd)工艺或其他合适的工艺所形成，但本公开实施例并非以此为限。举例来说，化学气相沉积工艺可为低压化学气相沉积(low-pressurechemicalvapordeposition,lpcvd)、低温化学气相沉积(low-temperaturechemicalvapordeposition,ltcvd)、快速升温化学气相沉积(rapidthermalchemicalvapordeposition,rtcvd)或等离子体辅助化学气相沉积(plasmaenhancedchemicalvapordeposition,pecvd)。举例来说，物理气相沉积工艺可为真空蒸镀(vacuumevaporation)或溅镀(sputtering)。

参照图1，滤光结构100包括一渐变层30，渐变层30设置于第一金属堆叠层20上。如图1所示，在本实施例中，渐变层30可具有连续变化的厚度，但本公开实施例并非以此为限。在其他实施例中，渐变层30也可具有非连续变化的厚度(例如，后方图5中所示的渐变层33)。

在一些实施例中，渐变层30的材料可包括介电材料。举例来说，渐变层30的材料可包括二氧化锆(zro2)、五氧化二钽(ta2o5)、五氧化二铌(nb2o5)、硫化锌(zns)、二氧化钛(tio2)、氧化铟锡(ito)、氧化锡(sno2)、氧化锌(zno)、氟化钙(caf2)、氟化镁(mgf2)、三氟化镧(laf3)、二氧化硅(sio2)、氧化铝(al2o3)、二氧化铪(hfo2)或其他合适的材料，但本公开实施例并非以此为限。

在一些实施例中，渐变层30可通过化学气相沉积(cvd)工艺、原子层沉积(ald)工艺、物理气相沉积(pvd)工艺或其他合适的工艺所形成，但本公开实施例并非以此为限。举例来说，化学气相沉积工艺可为低压化学气相沉积(lpcvd)、低温化学气相沉积(ltcvd)、快速升温化学气相沉积(rtcvd)或等离子体辅助化学气相沉积(pecvd)。此外，可通过使用特定遮罩将渐变层30沉积在第一金属堆叠层20上，以形成具有连续变化的厚度的渐变层30。

在本实施例中，渐变层30可从渐变层30的中央c至渐变层30的周围p逐渐变薄。亦即，渐变层30的中央c的厚度可为渐变层30的最大厚度，而渐变层30的周围p的厚度可为渐变层30的最小厚度，但本公开实施例并非以此为限。

参照图1，滤光结构100包括一平坦层40，平坦层40设置于渐变层30上。在本实施例中，平坦层40为一透明层，且平坦层40的材料可包括透明光刻胶、聚酰亚胺、环氧树脂、其他合适的材料或前述材料的组合，但本公开实施例并非以此为限。

在一些实施例中，平坦层40的材料可包括光固化材料、热固化材料或前述材料的组合。举例而言，可进行旋转涂布工艺(spin-oncoatingprocess)将透明材料涂布于渐变层30之上，接着进行平坦化工艺以形成平坦层40，但本公开实施例并非以此为限。举例来说，前述平坦化工艺可为化学机械研磨(chemicalmechanicalpolishing,cmp)工艺、研磨(grinding)工艺、回蚀刻工艺、其他适当的工艺或上述的组合。

在一些实施例中，渐变层30的折射率可与平坦层40的折射率不同。举例来说，在图1中，平坦层40的折射率可小于渐变层30的折射率，但本公开实施例并非以此为限。

此外，在本实施例中，从滤光结构100的中央到滤光结构100的周围的渐变层30和平坦层40的总厚度t1可保持实质上恒定，且平坦层40与渐变层30的体积比(volumeratio)可决定在不同位置处的等效折射率。

参照图1，滤光结构100包括一第二金属堆叠层50，第二金属堆叠层50设置于平坦层40上。类似地，第二金属堆叠层50可包括至少一金属层51及至少一粘合层53，粘合层53与金属层51堆叠。亦即，多个金属层51与粘合层53可例如彼此交替地堆叠。在图1中，第二金属堆叠层50包括两层金属层51及两层粘合层53，两层粘合层53与两层金属层51彼此交替排列。在一些实施例中，第二金属堆叠层50中的金属层51及粘合层53的总数量可介于4至15。然而，金属层51的数量及粘合层53的数量并非以此为限。

在一些实施例中，金属层51的材料可包括金(au)、铜(cu)、铝(al)、银(ag)、镍(ni)或其他合适的金属，但本公开实施例并非以此为限。在一些实施例中，粘合层53的材料可包括钛(ti)、铬(cr)、氧化锌(zno)、氧化铝(al2o3)或其他合适的材料，但本公开实施例并非以此为限。在一些实施例中，金属层51及粘合层53可通过化学气相沉积(cvd)工艺、原子层沉积(ald)工艺、物理气相沉积(pvd)工艺或其他合适的工艺所形成，但本公开实施例并非以此为限。举例来说，化学气相沉积工艺可为低压化学气相沉积(lpcvd)、低温化学气相沉积(ltcvd)、快速升温化学气相沉积(rtcvd)或等离子体辅助化学气相沉积(pecvd)。举例来说，物理气相沉积工艺可为真空蒸镀或溅镀。

在一些实施例中，第一金属堆叠层20可包括至少一金属层21，第二金属堆叠层50可包括至少一金属层51，且第一金属堆叠层20和第二金属堆叠层50可作为法布里-珀罗共振器(fabry-perotresonator)的高反射器；再者，第一金属堆叠层20、渐变层30、平坦层40及第二金属堆叠层50的总厚度t2可以是薄的(例如，小于3μm)。因此，滤光结构100可为低角度依赖(lowangledependency)。亦即，可降低传送至滤光结构100的入射光由于倾斜而造成的变形。举例来说，在自动光学检测(automatedopticalinspection,aoi)30°的300nm至900nm的蓝光偏移可能小于或等于15nm。

在图1所示的实施例中，当平坦层40的折射率小于渐变层30的折射率(例如，平坦层40的折射率为1.5，而渐变层30的折射率为2.5)时，光电转换元件12越靠近滤光结构100的中央，传送到此光电转换元件12的光的波长越长。举例来说，光电转换元件12c靠近滤光结构100的中央，因而红光被传送到光电转换元件12c；光电转换元件12p靠近滤光结构100的周围，因而蓝光被传送到光电转换元件12p，但本公开实施例并非以此为限。

在图1所示的实施例中，当平坦层40的折射率大于渐变层30的折射率(例如，平坦层40的折射率为2.5，而渐变层30的折射率为1.5)时，光电转换元件12越靠近滤光结构100的中央，传送到此光电转换元件12的光的波长越短。举例来说，光电转换元件12c靠近滤光结构100的中央，因而蓝光被传送到光电转换元件12c；光电转换元件12p靠近滤光结构100的周围，因而红光被传送到光电转换元件12p，但本公开实施例并非以此为限。

图2显示根据本公开另一实施例的滤光结构101的部分剖面图。应注意的是，为了简洁起见，并非所有滤光结构101的部件皆显示于图2中。

参照图2，滤光结构101包括一基板10。类似地，基板10具有多个光电转换元件12。滤光结构101包括一第一金属堆叠层20，第一金属堆叠层20设置于基板10上。滤光结构101也包括一渐变层31及一平坦层40，渐变层31设置于第一金属堆叠层20上，而平坦层40设置于渐变层31上。滤光结构101还包括一第二金属堆叠层50，第二金属堆叠层50设置于平坦层40上。

与图1所示的滤光结构100的不同之处可包括图2所示的滤光结构101的渐变层31从渐变层31的中央c'至渐变层31的周围p'逐渐变厚。亦即，渐变层31的中央c'的厚度可为渐变层31的最小厚度，而渐变层31的周围p'的厚度可为渐变层31的最大厚度，但本公开实施例并非以此为限。

在一些实施例中，图2所示的渐变层31的材料与图1所示的渐变层30的材料可实质上相同，但本公开实施例并非以此为限。类似地，渐变层31的折射率可与平坦层40的折射率不同。举例来说，在图2中，平坦层40的折射率可小于渐变层31的折射率，但本公开实施例并非以此为限。

此外，在本实施例中，从滤光结构101的中央到滤光结构101的周围的渐变层31和平坦层40的总厚度t3可保持实质上恒定，且平坦层40与渐变层31的体积比可决定在不同位置处的等效折射率。

在一些实施例中，第一金属堆叠层20可包括至少一金属层21，第二金属堆叠层50可包括至少一金属层51，且第一金属堆叠层20和第二金属堆叠层50可作为法布里-珀罗共振器的高反射器；再者，第一金属堆叠层20、渐变层31、平坦层40及第二金属堆叠层50的总厚度t4可以是薄的(例如，小于3μm)。因此，滤光结构101可为低角度依赖。亦即，可降低传送至滤光结构101的入射光由于倾斜而造成的变形。

在图2所示的实施例中，当平坦层40的折射率小于渐变层31的折射率(例如，平坦层40的折射率为1.5，而渐变层31的折射率为2.5)时，光电转换元件12越靠近滤光结构101的中央，传送到此光电转换元件12的光的波长越短。举例来说，光电转换元件12c靠近滤光结构101的中央，因而蓝光被传送到光电转换元件12c；光电转换元件12p靠近滤光结构101的周围，因而红光被传送到光电转换元件12p，但本公开实施例并非以此为限。

在图2所示的实施例中，当平坦层40的折射率大于渐变层31的折射率(例如，平坦层40的折射率为2.5，而渐变层31的折射率为1.5)时，光电转换元件12越靠近滤光结构101的中央，传送到此光电转换元件12的光的波长越长。举例来说，光电转换元件12c靠近滤光结构101的中央，因而红光被传送到光电转换元件12c；光电转换元件12p靠近滤光结构101的周围，因而蓝光被传送到光电转换元件12p，但本公开实施例并非以此为限。

图3显示根据本公开一实施例的滤光结构102的部分剖面图。应注意的是，为了简洁起见，并非所有滤光结构102的部件皆显示于图3中。

参照图3，滤光结构102包括一基板10。类似地，基板10具有多个光电转换元件12。滤光结构102包括一第一金属堆叠层20，第一金属堆叠层20设置于基板10上。滤光结构102也包括一渐变层30及一平坦层40，渐变层30设置于第一金属堆叠层20上，而平坦层40设置于渐变层30上。滤光结构102还包括一第二金属堆叠层50，第二金属堆叠层50设置于平坦层40上。

在本实施例中，滤光结构102可进一步包括一遮光层60，遮光层60设置于第二金属堆叠层50上。如图3所示，遮光层60可包括多个孔(aperture)60a。在一些实施例中，这些孔60a中的每一个对应于光电转换元件12的其中之一，但本公开实施例并非以此为限。

在一些实施例中，遮光层60可包括光刻胶(例如，黑光刻胶或其他适当的对特定波长非透明的光刻胶)、油墨(例如，黑色油墨或其他适当的对特定波长非透明的油墨)、模制化合物(moldingcompound)(例如，黑色模制化合物或其他适当的对特定波长非透明的模制化合物)、防焊材料(soldermask)(例如，黑色防焊材料或其他适当的对特定波长非透明的防焊材料)、(黑色)环氧树脂、其他适当的材料或前述材料的组合，但本公开实施例并非以此为限。在一些实施例中，遮光层60可包括光固化材料、热固化材料或前述材料的组合，但本公开实施例并非以此为限。

在一些实施例中，可通过涂布工艺或图案化工艺将遮光层60形成于第二金属堆叠层50上，但本公开实施例并非以此为限。在一些实施例中，前述图案化工艺可包括软烘烤(softbaking)、掩模(光罩)对准(maskaligning)、曝光(exposure)、曝光后烘烤(post-exposurebaking)、显影(developing)、润洗(rinsing)、干燥、其他适当的步骤或前述步骤的组合，但本公开实施例并非以此为限。

如图3所示，多个孔60a中的每一个在平行于基板10的顶表面10t的方向d1上的宽度w可大于1μm，小于150μm，但本公开实施例并非以此为限。当滤光结构102被用于光谱检查装置时，光谱分辨率(spectralresolution)可以由孔60a的尺寸决定。亦即，可通过调整遮光层60的孔60a的尺寸提升光谱分辨率。

图4显示根据本公开一实施例的滤光结构103的部分剖面图。应注意的是，为了简洁起见，并非所有滤光结构103的部件皆显示于图4中。

参照图4，滤光结构103包括一基板10。类似地，基板10具有多个光电转换元件12。滤光结构103包括一第一金属堆叠层20，第一金属堆叠层20设置于基板10上。滤光结构103也包括一渐变层30及一平坦层40，渐变层30设置于第一金属堆叠层20上，而平坦层40设置于渐变层30上。滤光结构103还包括一第二金属堆叠层50及一遮光层61，第二金属堆叠层50设置于平坦层40上，而遮光层61设置于第二金属堆叠层50上。

如图4所示，遮光层61可包括多个孔61a。在本实施例中，这些孔61a中的每一个对应于两个光电转换元件12，但本公开实施例并非以此为限。在其他实施例中，这些孔61a中的每一个对应于多于两个光电转换元件12。

在一些实施例中，图4所示的遮光层61的材料与图3所示的遮光层60的材料可实质上相同，但本公开实施例并非以此为限。在一些实施例中，可通过涂布工艺或图案化工艺将遮光层61形成于第二金属堆叠层50上，但本公开实施例并非以此为限。在一些实施例中，前述图案化工艺可包括软烘烤、掩模对准、曝光、曝光后烘烤、显影、润洗、干燥、其他适当的步骤或前述步骤的组合，但本公开实施例并非以此为限。

类似地，当滤光结构103被用于光谱检查装置时，光谱分辨率可以由孔61a的尺寸决定。亦即，可通过调整遮光层61的孔61a的尺寸提升光谱分辨率。

图5显示根据本公开一实施例的滤光结构104的部分剖面图。应注意的是，为了简洁起见，并非所有滤光结构104的部件皆显示于图5中。

参照图5，滤光结构104包括一基板10。类似地，基板10具有多个光电转换元件12。滤光结构104包括一第一金属堆叠层20，第一金属堆叠层20设置于基板10上。滤光结构104也包括一渐变层33及一平坦层40，渐变层33设置于第一金属堆叠层20上，而平坦层40设置于渐变层33上。滤光结构104还包括一第二金属堆叠层50及一遮光层60，第二金属堆叠层50设置于平坦层40上，而遮光层60设置于第二金属堆叠层50上。如图5所示，遮光层60可包括多个孔60a。在本实施例中，这些孔60a中的每一个对应于光电转换元件12中的其中之一，但本公开实施例并非以此为限。在其他实施例中，这些孔60a中的每一个对应于两个或多于两个光电转换元件12。

与图3所示的滤光结构102的不同之处可包括图5所示的滤光结构104的渐变层33可具有一非连续变化的厚度。举例来说，图5所示的渐变层33可为阶梯形，但本公开实施例并非以此为限。

在一些实施例中，图5所示的渐变层33的材料与图1、图3、图4所示的渐变层30的材料可实质上相同，但本公开实施例并非以此为限。

类似地，渐变层33的折射率可与平坦层40的折射率不同。举例来说，在图5中，平坦层40的折射率可小于渐变层33的折射率，但本公开实施例并非以此为限。在一些实施例中，渐变层33可通过化学气相沉积(cvd)工艺、原子层沉积(ald)工艺、物理气相沉积(pvd)工艺或其他合适的工艺所形成，但本公开实施例并非以此为限。举例来说，化学气相沉积工艺可为低压化学气相沉积(lpcvd)、低温化学气相沉积(ltcvd)、快速升温化学气相沉积(rtcvd)或等离子体辅助化学气相沉积(pecvd)。

类似地，渐变层33可从渐变层33的中央c”至渐变层33的周围p”逐渐变薄。亦即，渐变层33的中央c”的厚度可为渐变层33的最大厚度，而渐变层33的周围p”的厚度可为渐变层33的最小厚度，但本公开实施例并非以此为限。

在图5所示的实施例中，当平坦层40的折射率小于渐变层33的折射率(例如，平坦层40的折射率为1.5，而渐变层33的折射率为2.5)时，光电转换元件12越靠近滤光结构104的中央，传送到此光电转换元件12的光的波长越长。举例来说，光电转换元件12c靠近滤光结构104的中央，因而红光被传送到光电转换元件12c；光电转换元件12p靠近滤光结构104的周围，因而蓝光被传送到光电转换元件12p，但本公开实施例并非以此为限。

在图5所示的实施例中，当平坦层40的折射率大于渐变层33的折射率(例如，平坦层40的折射率为2.5，而渐变层33的折射率为1.5)时，光电转换元件12越靠近滤光结构104的中央，传送到此光电转换元件12的光的波长越短。举例来说，光电转换元件12c靠近滤光结构104的中央，因而蓝光被传送到光电转换元件12c；光电转换元件12p靠近滤光结构104的周围，因而红光被传送到光电转换元件12p，但本公开实施例并非以此为限。

图6显示根据本公开一实施例的遮光层60的孔60a的部分俯视图。应注意的是，根据本公开一实施例的遮光层61的孔61a的部分俯视图可类似于图6。

在一些实施例中，遮光层60的孔60a可形成一对称图案。举例来说，遮光层60的孔60a可如图6所示以同心圆排列，但本公开实施例并非以此为限。

综上所述，当根据本公开实施例的滤光结构作为窄频滤波器时，其可具有较小的厚度以满足需求。此外，根据本公开实施例的滤光结构可为低角度依赖，因此，可降低传送至根据本公开实施例的滤光结构的入射光由于倾斜而造成的变形。再者，当根据本公开实施例的滤光结构被用于光谱检查装置时，可通过调整遮光层的孔的尺寸提升光谱分辨率。

以上概述数个实施例的部件，以便在本公开所属技术领域中技术人员可以更理解本公开实施例的观点。在本公开所属技术领域中技术人员应该理解，他们能以本公开实施例为基础，设计或修改其他工艺和结构以达到与在此介绍的实施例相同的目的及/或优势。在本公开所属技术领域中技术人员也应该理解到，此类等效的结构并无悖离本公开的构思与范围，且他们能在不违背本公开的构思和范围之下，做各式各样的改变、取代和替换。因此，本公开的保护范围当视权利要求所界定者为准。另外，虽然本公开已以数个优选实施例公开如上，然其并非用以限定本公开。

整份本说明书对特征、优点或类似语言的引用并非意味可以利用本公开实现的所有特征和优点应该是或者在本公开的任何单个实施例中。相对地，涉及特征和优点的语言被理解为其意味着结合实施例描述的特定特征、优点或特性包括在本公开的至少一个实施例中。因而，在整份说明书中对特征和优点以及类似语言的讨论可以但不一定代表相同的实施例。

再者，在一个或多个实施例中，可以任何合适的方式组合本公开的所描述的特征、优点和特性。根据本文的描述，相关领域的技术人员将意识到，可在没有特定实施例的一个或多个特定特征或优点的情况下实现本公开。在其他情况下，在某些实施例中可识别附加的特征和优点，这些特征和优点可能不存在于本公开的所有实施例中。