有机发光元件及包括该有机发光元件的有机发光显示装置的制作方法

本申请是2015年8月18日提交的发明名称为“有机发光元件及包括该有机发光元件的有机发光显示装置”、申请号为201510508265.7的中国发明专利申请的分案申请。提供了有机发光元件以及包括该有机发光元件的有机发光装置。
背景技术：
：例如，监视器和电视机的轻质和平整可能为期望的，并且可以用液晶显示器(lcd)替代阴极射线管(crt)。作为光接收元件的液晶显示器需要单独的背光，并可能具有例如有限的响应速度和视角。技术实现要素：可以通过提供有机发光元件来实现实施方案，所述有机发光元件包括彼此相向的第一电极和第二电极；在所述第一电极与所述第二电极之间的发射层；以及在所述第二电极与所述发射层之间的电子注入层，所述电子注入层包含相对介电常数为10或大于10的氧化物和功函为4.0ev或小于4.0ev的金属。所述相对介电常数为10或大于10的氧化物和所述功函为4.0ev或小于4.0ev的金属可以形成单层。所述功函为4.0ev或小于4.0ev的金属可以包括yb、li、na、k、rb、cs、ca、sr、ba、ce、sm、eu、gd、la、nd、tb、lu、mg和其合金中的一种或多种。所述相对介电常数为10或大于10的氧化物可以包括wo3、moo3、cu2o、yb2o3、sm2o3、nb2o3、gd2o3和eu2o3中的一种或多种。所述有机发光元件还可以包括在所述发射层与所述电子注入层之间的电子传输层以及在所述发射层与所述第一电极之间的空穴传输层。所述空穴传输层和所述电子传输层可以各自包含有机材料。所述电子注入层可以由多个层形成，并且所述多个层中的每一层可以包含所述相对介电常数为10或大于10的氧化物和所述功函为4.0ev或小于4.0ev的金属中的至少一种。所述电子注入层可以包括包含所述相对介电常数为10或大于10的氧化物的第一层，以及在所述第一层上并包含所述功函为4.0ev或小于4.0ev的金属的第二层。所述电子注入层可以包括包含所述功函为4.0ev或小于4.0ev的金属的第一层，以及在所述第一层上并包含所述相对介电常数为10或大于10的氧化物的第二层。可以通过提供有机发光显示器来实现实施方案，所述有机发光显示器包括衬底；在所述衬底上的栅极线；数据线和驱动电压线；连接至所述栅极线和所述数据线的开关薄膜晶体管；连接至所述开关薄膜晶体管和所述驱动电压线的驱动薄膜晶体管；以及连接至所述驱动薄膜晶体管的有机发光元件。所述有机发光元件包括彼此相向的第一电极和第二电极；在所述第一电极与所述第二电极之间的发射层；以及在所述第二电极与所述发射层之间的电子注入层，所述电子注入层包含相对介电常数为10或大于10的氧化物和功函为4.0ev或小于4.0ev的金属。所述功函为4.0ev或小于4.0ev的金属可以包括yb、li、na、k、rb、cs、ca、sr、ba、ce、sm、eu、gd、la、nd、tb、lu、mg和其合金中的一种或多种。所述相对介电常数为10或大于10的氧化物可以包括wo3、moo3、cu2o、yb2o3、sm2o3、nb2o3、gd2o3和eu2o3中的一种或多种。所述有机发光显示器还可以包括在所述发射层与所述电子注入层之间的电子传输层以及在所述发射层与所述第一电极之间的空穴传输层。所述空穴传输层和所述电子传输层可以各自包含有机材料。所述电子注入层可以由多个层形成，并且所述多个层中的每一层可以包含所述相对介电常数为10或大于10的氧化物和所述功函为4.0ev或小于4.0ev的金属中的至少一种。所述电子注入层可以包括包含所述相对介电常数为10或大于10的氧化物的第一层，以及在所述第一层上并包含所述功函为4.0ev或小于4.0ev的金属的第二层。所述电子注入层可以包括包含所述功函为4.0ev或小于4.0ev的金属的第一层，以及在所述第一层上并包含所述相对介电常数为10或大于10的氧化物的第二层。所述发射层可以包括红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层，并还可以包括在所述蓝色发射层下的辅助层。所述有机发光元件还可以包括布置在所述红色发射层之下的红色共振辅助层以及布置在所述绿色发射层之下的绿色共振辅助层。所述辅助层可以包含由化学式1表示的化合物：在化学式1中，a1、a2和a3可以各自为h、烷基、芳基、咔唑基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基(dbf)以及联苯基，并且a、b和c可以各自为0至4的正数。所述辅助层可以包含由化学式2表示的化合物：在化学式2中，a可以为0至3，b和c可以各自为0至3，x可以选自o、n或s，并且x各自可以彼此相同或不同。附图说明通过参考附图详细描述示例性实施方案，特征对于本领域技术人员而言会变得显而易见，其中：图1示出根据示例性实施方案的有机发光显示器的横截面视图；图2示出图1的有机发光显示器的放大的横截面视图；图3示出图2的有机发光元件的部分改变的示例性实施方案的横截面视图；图4示出图2的有机发光元件的部分改变的示例性实施方案的横截面视图；图5示出图2的有机发光元件的部分改变的示例性实施方案的横截面视图；以及图6示出根据实验例的电子注入层的使用寿命的图。具体实施方式现在将参考附图在下文中更全面地描述示例实施方案；然而，它们可以以不同的形式实施，并且不应解释为局限于本文所述的实施方案。相反，提供这些实施方案，以使得本公开将变得全面和完整，并且将向本领域技术人员完整地表达示例性实施。在附图中，为了清楚，可以放大层、膜、板、区域等的厚度和尺寸。应理解，当层被称为在另一层或衬底“上”时，其可直接在另一层或衬底上，或还可以存在中介层或衬底。此外，应理解，当层被称为在另一层“下”时，其可以直接在下面，并且还可以存在一个或多个中介层。此外，还应理解，当层被称为在两个层“之间”时，其可以为所述两个层之间的唯一的层，或还可以存在一个或多个中介层。在整个说明书中相同的参考数字指代相同的元件。本文中，烷基可以是指由直链或支链的c1-c20饱和烃衍生的单价取代基。在某些实施方案中，烷基可以是c1-c20烷基。在某些实施方案中，烷基可以是c1-c10烷基。在某些实施方案中，烷基可以是c1-c6烷基。烷基的非限制性实例包括甲基、乙基、丙基、异丁基、仲丁基、戊基、异戊基、己基等。本文中，芳基可以是指由具有至少一个环的c6-c30芳香族不饱和烃衍生的单价取代基。当芳基包含两个或更多个环时，所述环可以经由单键彼此连接或可以彼此稠合。在某些实施方案中，芳基可以是c6-c30芳基。在某些实施方案中，芳基可以是c6-c18芳基。在某些实施方案中，芳基可以是c6-c10芳基。芳基的非限制性实例包括苯基、萘基、菲基和蒽基。图1示出根据示例性实施方案的有机发光显示器的横截面视图。图2示出图1的有机发光显示器的放大的横截面视图。参考图1和图2，根据示例性实施方案的有机发光显示器可以包括衬底123、薄膜晶体管130、第一电极160、发光元件层170和第二电极180。第一电极160可以为阳极，并且第二电极180可以为阴极，或者第一电极160可以为阴极，并且第二电极180可以为阳极。衬底123可以由例如无机材料、有机材料、或由硅片制成，所述无机材料例如玻璃，所述有机材料例如聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰胺、聚醚砜或其组合。衬底缓冲层126可以布置在衬底123上。衬底缓冲层126可以防止杂质的渗透并使表面平整化。衬底缓冲层126可以由多种能够执行所述功能的材料制成。例如，硅氮化物(sinx)层、硅氧化物(siox)层和硅氮氧化物(sioxny)层中的一种可以用作衬底缓冲层126。在实施方案中，根据衬底123的类型和加工条件，可以省略衬底缓冲层126。可以在衬底缓冲层126上形成驱动半导体层137。驱动半导体层137可以由包括多晶硅的材料形成。驱动半导体层137可以包括其中未掺杂杂质(掺杂剂)的通道区135，以及其中在通道区135的两侧掺杂杂质的源区134和漏区136。掺杂的离子物质可以为诸如硼(b)的p型杂质，例如b2h6。杂质可以根据薄膜晶体管的类型而变化。可以在驱动半导体层137上形成由硅氮化物(sinx)或硅氧化物(siox)制成的栅极绝缘层127。可以在栅极绝缘层127上形成包括驱动栅电极133的栅极布线。可以形成驱动栅电极133以与至少一部分的驱动半导体层137(例如，通道区135)重叠。可以在栅极绝缘层127上形成覆盖驱动栅电极133的层间绝缘层128。可以在栅极绝缘层127和层间绝缘层128中形成暴露驱动半导体层137的源区134和漏区136的第一接触孔122a和第二接触孔122b。与栅极绝缘层127相同，层间绝缘层128可以由诸如硅氮化物(sinx)或硅氧化物(siox)的材料制成。可以在层间绝缘层128上布置包括驱动源电极131和驱动漏电极132的数据布线。驱动源电极131和驱动漏电极132可以分别通过在层间绝缘层128和栅极绝缘层127中形成的第一接触孔122a和第二接触孔122b而分别连接至驱动半导体层137的源区134和漏区136。如所述的那样，可以形成包括驱动半导体层137、驱动栅电极133、驱动源电极131和驱动漏电极132的驱动薄膜晶体管130。可以以多种形式改变驱动薄膜晶体管130的构造。可以在层间绝缘层128上形成覆盖数据布线的平整层124。平整层124可以去除阶梯并使其平整化，并且可以增加将在其上形成的有机发光元件的发射效率。平整层124可以具有暴露一部分驱动漏电极132的第三接触孔122c。平整层124可以由聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和苯并环丁烯(bcb)中的一种或多种材料制成。在实施方案中，可以省略平整层124和层间绝缘层128中之一。可以在平整层124上形成有机发光元件的第一电极，例如像素电极160。例如，有机发光二极管装置可以包括多个像素电极160，其可以分别针对每多个像素而布置。多个像素电极160可以彼此相间隔。像素电极160可以通过平整层124的第三接触孔122c连接至驱动漏电极132。可以在平整层124上形成具有暴露像素电极160的开口的像素限定层125。例如，像素限定层125可以具有针对每一像素形成的多个开口。可以对通过像素限定层125形成的每一开口形成发光元件层170，并且可以限定像素区，在所述像素区中，通过像素限定层125形成每一发光元件层170。像素电极160可以被布置为对应于像素限定层125的开口。在实施方案中，像素电极160不是仅布置在像素限定层125的开口中，并且可以布置在像素限定层125之下，并且一部分像素电极160可以与像素限定层125重叠。像素限定层125可以由例如诸如聚丙烯酸酯树脂和聚酰亚胺的树脂或基于二氧化硅的无机材料制成。可以在像素电极160上形成发光元件层170。下文将详细地描述发光元件层170的结构。可以在发光元件层170上形成第二电极，例如公共电极(commonelectrode)180。如所述的那样，可以形成包括像素电极160、发光元件层170和公共电极180的有机发光元件ld。像素电极160和公共电极180可以由透明导电材料或者半透反射或反射导电材料制成。根据形成像素电极160和公共电极180的材料的类型，有机发光二极管装置可以为顶部发射型、底部发射型或双侧发射型。可以在公共电极180上形成覆盖并保护公共电极180的覆盖层190作为有机层。可以在覆盖层190上形成薄膜封装层121。薄膜封装层121可以封装并保护有机发光元件ld和在衬底123上形成的驱动电路部分以使其免受外部环境影响。薄膜封装层121可以包括交替层压的有机封装层121a和121c以及无机封装层121b和121d。在图1中，例如，将两个有机封装层121a和121c以及两个无机封装层121b和121d交替地层压以配置薄膜封装层121。在下文中，将参考图2描述根据示例性实施方案的有机发光元件。参考图2，根据示例性实施方案的有机发光元件(图1中的x部分)可以包括其中依次分层堆积第一电极160、空穴传输层174、发射层175、电子传输层177、电子注入层179和第二电极180的结构。第一电极160可以为阳极，并且为了更容易地注入空穴，可以选择选自具有高功函的材料的材料。第一电极160可以为透明电极或不透明电极。第一电极160可以为透明电极，并且可以由氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、二氧化锡(sno2)、氧化锌(zno)、或导电氧化物或其组合、或诸如铝、银和镁的金属制成，并具有小厚度。第一电极160可以为不透明电极，并且可以由诸如铝、银和镁的金属制成。可以以两层或多于两层的结构形成第一电极160，所述结构包括不同类型的材料。例如，第一电极160可以形成为具有其中依次堆叠氧化铟锡(ito)/银(ag)/氧化铟锡(ito)的结构。可以通过溅射或真空沉积形成第一电极160。可以在第一电极160上布置空穴传输层174。空穴传输层174可以用于平稳地传输从第一电极160传送的空穴。空穴传输层174可以包含有机材料。例如，空穴传输层174可以包含npd(n,n’-二萘基-n,n’-二苯基联苯胺)、tpd(n,n’-双-(3-甲基苯基)-n,n’-双-(苯基)-联苯胺)、s-tad和mtdata(4,4’,4”-三(n-3-甲基苯基-n-苯基-氨基)-三苯胺)。空穴传输层174的厚度可以为15nm至25nm。优选地，空穴传输层174的厚度可以为20nm。在本示例性实施方案中，可以在空穴传输层174中包括空穴注入材料以作为对空穴传输层174的改变，并且空穴传输/注入层可以形成为单层。在空穴传输层174上布置发射层175。发射层175可以包括表现出特定颜色的发射材料。例如，发射层175可以显示基本色，例如蓝色、绿色或红色，或其组合。发射层175的厚度可以为10nm至50nm。发射层175可以包含主体和掺杂剂。发射层175可以包含发射红光、绿光、蓝光和白光的材料，并且可以使用磷光材料或荧光材料形成。发射层175可以发射红光，并可以例如包括诸如cbp(咔唑联苯)或mcp(1,3-双(咔唑-9-基)苯的主体材料，并且可以由磷光材料或荧光材料形成，所述磷光材料包括piqir(acac)(双(1-苯基异喹啉)乙酰丙酮铱)、pqir(acac)(双(1-苯基喹啉)乙酰丙酮铱)、pqir(三(1-苯基喹啉)铱)和ptoep(八乙基卟啉铂)中的至少一种，所述荧光材料例如pbd:eu(dbm)3(phen)或二萘嵌苯。发射层175可以发射绿光，可以例如包括诸如cbp或mcp的主体材料，可以由包含掺杂剂材料的磷光材料或荧光材料制成，所述包含掺杂剂材料的磷光材料例如ir(ppy)3(面式(fac)-三(2-苯基吡啶)铱)，所述荧光材料例如alq3(三(8-羟基喹啉)铝)。发射层175可以发射蓝光，并且可以例如包括诸如cbp或mcp的主体材料，并且可以由包含掺杂剂的磷光材料如(4,6-f2ppy)2irpic制成。在实施方案中，发射层175可以由荧光材料制成，所述荧光材料包括螺-dpvbi、螺-6p、联苯乙烯基苯(dsb)、联苯乙烯基亚芳基(distyrylarylene，dsa)、基于pfo的聚合物和基于ppv的聚合物中的至少一种。可以在发射层175上布置电子传输层177。电子传输层177可以将电子从第二电极180传输至发射层175。电子传输层177可以防止从第一电极160注入的空穴通过发射层175而移动至第二电极180。例如，电子传输层177可以起空穴阻挡层的作用，并且有助于空穴和电子在发射层175中结合。电子传输层177可以包含有机材料。例如，电子传输层177可以由例如alq3(三(8-羟基喹啉)铝)、pbd、taz、螺-pbd、balq和salq中的任意一种或多种制成。可以在电子传输层177上布置电子注入层179。电子注入层179可以增强从第二电极180到电子传输层177的电子注入。在本示例性实施方案中，电子注入层179可以包含第一材料和第二材料，所述第一材料是相对介电常数为10或大于10的氧化物，所述第二材料是功函为4.0ev或小于4.0ev的金属。在本示例性实施方案中，可以通过共沉积第一材料和第二材料来形成单层。在本示例性实施方案中，第一材料可以包括wo3、moo3、cu2o、yb2o3、sm2o3、nb2o3、gd2o3和eu2o3中的一种或多种。在本示例性实施方案中，第二材料可以包括碱金属、碱土金属、稀土金属和过渡金属中的一种或多种。第二材料可以包括yb、li、na、k、rb、cs、ca、sr、ba、ce、sm、eu、gd、la、nd、tb、lu、mg和其合金中的一种或多种。在根据本示例性实施方案的有机发光元件ld中，相对介电常数为10或大于10的高介电氧化物可以有助于形成界面偶极，所述界面偶极可以降低第二电极180与电子传输层177之间的电子注入势垒。电子不能从具有由高介电氧化物形成的单层的第二电极180注入。在本示例性实施方案的有机发光元件ld中，可以通过将由高介电氧化物形成的第一材料和功函为4.0ev或小于4.0ev的低功函金属组合来形成界面偶极，并且可以进一步降低电子注入势垒。根据示例性实施方案的电子注入层179可以通过共沉积yb和wo3而形成，可以改善蓝色元件的效率，并且与由yb或wo3形成的电子注入层相比，可以改善使用寿命。图6示出根据实验例的电子注入层的使用寿命的图。参考图6，与其中仅由yb形成电子注入层的比较例相比，在其中通过共沉积yb和wo3形成电子注入层的实验例中，使用寿命可得到显著改善。在图6中，在比较例和实验例二者中，负极由agmg形成(其中ag的量大于mg的量)。在电子注入层179上布置第二电极180。第二电极180可以为阴极，并且为了更容易电子注入，可以包括具有低功函的材料。该材料可以例如为：金属，诸如例如镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡、铅、铯和钡，或其合金；或多层结构材料，例如lif/al、lio2/al、lif/ca、lif/al和baf2/ca。第二电极180可以由上述合金形成，可以基于沉积源的温度、气氛和真空度来控制金属的比例，并且可以选择适当的比例。第二电极180可以形成为两层或多于两层。图3示出图2的有机发光元件的部分改变的实施方案的横截面视图。参考图3，示出具有在图2的根据示例性实施方案的有机发光元件ld中添加了空穴注入层172的结构。在本示例性实施方案中，空穴注入层172可以布置在空穴传输层174与第一电极160之间。为了将空穴从第一电极160更容易地注入空穴传输层174，可以布置空穴注入层172。在本示例性实施方案中，空穴注入层172可以包括偶极材料，其中将功函为4.3ev或大于4.3ev的金属或非金属与卤素相结合。在实施方案中，空穴注入层172可以由另一种无机或有机材料形成。功函为4.3ev或大于4.3ev的金属或非金属可以包括ag、au、b、be、c、co、cr、cu、fe、hg、ir、mo、nb、ni、os、pd、pt、re、rh、ru、sb、se、si、sn、ta、te、ti、v、w和zn中的一种或多种。除了上述差异外，关于图2描述的内容可以适用于图3的示例性实施方案。图4示出图2的有机发光元件的部分改变的示例性实施方案的横截面视图。参考图4，图2的示例性实施方案的电子注入层179可以在有机发光元件ld中为双层的。在本示例性实施方案中，电子注入层179可以包括依次分层堆积的第一电子注入层179-1和第二电子注入层179-2。第一电子注入层179-1可以包含相对介电常数为10或大于10的氧化物，并且第二电子注入层179-2可以包含功函为4.0ev或小于4.0ev的金属。在实施方案中，第一电子注入层179-1可以包含功函为4.0ev或小于4.0ev的金属，并且第二电子注入层179-2可以包含相对介电常数为10或大于10的氧化物。根据示例性实施方案的有机发光元件ld的电子注入层179可以通过依次分层堆积yb和wo3而形成，并且蓝色元件的亮度可以是高的，并且与仅由yb或wo3形成的电子注入层相比，使用寿命可以得到改善。表1示出当根据实施例通过依次分层堆积yb和wo3形成电子注入层时红色像素、绿色像素和蓝色像素的效率以及白色效率。在比较例1中，电子注入层由yb形成，并且在比较例2中，电子注入层由单一材料wo3形成。负极由agmg形成。表1r效率g效率b效率w效率比较例142.852.45.630.2比较例236.450.15.427.6实施例50.455.35.932.1参考表1，与比较例1和比较例2相比，当通过依次分层堆积yb和wo3形成所述电子注入层时，相对地改善了效率。除了上述差异外，关于图2描述的内容可以适用于图4的示例性实施方案。图5示出图2的有机发光元件的部分改变的实施方案的横截面视图。参考图5，改变了图2的有机发光元件ld中的发射层175。例如，在本示例性实施方案中，发射层175可以包含红色发射层r、绿色发射层g和蓝色发射层b，并且可以在蓝色发射层b下布置辅助层bil以改善蓝色发射层b的效率。红色发射层r可以约为30nm至50nm厚，绿色发射层g可以约为10nm至30nm厚，并且蓝色发射层b可以约为10nm至30nm厚。位于蓝色发射层b的下端的辅助层bil可以约小于20nm厚。辅助层bil可以控制空穴电荷平衡，并改善蓝色发射层b的效率。辅助层bil可以包含由化学式1表示的化合物。在化学式1中，a1、a2和a3可以各自为h、烷基、芳基、咔唑基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基(dbf)以及联苯基，并且a、b和c可以各自为0至4的正数。作为由化学式1表示的化合物的实例，可以包括以下化学式1-1、1-2、1-3、1-4、1-5和1-6。在另一示例性实施方案中，辅助层bil可以包含由化学式2表示的化合物。在化学式2中，a可以为0至3，b和c可以各自为0至3，x可以选自o、n和s，并且x各自可以彼此相同或不同。作为由化学式2表示的化合物的实例，可以包括化学式2-1、2-2、2-3、2-4、2-5和2-6。在另一示例性实施方案中，辅助层bil可以包含由化学式3表示的化合物。在化学式3中，a1可以为烷基、芳基、咔唑基、二苯并噻唑基或二苯并呋喃基(dbf)，l1和l2可以为(其中n为0至3)，并且与l1和l2连接的dbf可以被咔唑基或二苯并噻吩基替换。在下文中，将描述根据示例性实施方案的辅助层bil的构成方法。例如，描述以下化学式1-1的制备方法。<制备实施例>在氩气气氛下，将6.3g的4-二苯并呋喃硼酸、4.8g的4,4',4”-三溴三苯胺、104mg的四(三苯基膦)钯(pd(pph3)4)、48ml(2m)的碳酸钠(na2co3)溶液和48ml甲苯放入300ml三颈烧瓶中，并且在80℃反应8小时。用甲苯/水萃取反应溶液，并且用无水硫酸钠干燥。将生成物在低压下浓缩，并且通过所获得的粗制产物的柱纯化来获得3.9g淡黄白色粉末。参考图5，可以在红色发射层r下布置红色共振辅助层r’，并且可以在绿色发射层g下布置绿色共振辅助层g’。红色共振辅助层r’和绿色共振辅助层g’是为各颜色之一(例如红色或绿色)而设置共振的距离(共振距离)的层。在一些实施方案中，不包括蓝色共振辅助层。例如，在与红色发射层r或绿色发射层g相对应的蓝色发射层b和辅助层bil的下方可以不形成在空穴传输层174与蓝色发射层b和辅助层bil之间布置的单独的共振辅助层。在一些实施方案中，辅助层bil物理地接触空穴传输层174。尽管在图5中未示出空穴注入层172，但可以在第一电极160和空穴传输层174之间形成空穴注入层172，如在图3的示例性实施方案中一样。除了上述差异外，关于图2描述的内容可以适用于图5的示例性实施方案。通过总结和回顾，为自发射显示元件的有机发光装置可以具有广视角、优异的对比度和快速的响应时间。有机发光装置可以包括用于发光的有机发光元件，从一个电极注入的电子和从另一个电极注入的空穴可以在发射层中合并，可以形成激子，激子可以发射能量，并且可以发射光。提供了可以具有高效率和长使用寿命的有机发光元件，以及包括该有机发光元件的发光显示器。根据示例性实施方案，可以通过将具有低功函的金属材料和高介电氧化物相结合来形成电子注入层，并且可以改善发光效率。根据示例性实施方案，可以在蓝色发射层下形成辅助层，并且可以改善蓝色发射层的发光效率。本文已经公开了示例实施方案，并且尽管使用具体术语，但它们仅应以上位且描述性含义来使用和解释，并且不用于限定的目的。在一些情形中，如自提交本申请起本领域技术人员所显而易见的，对于特定实施方案而描述的特征、特性和/或元件可以单独使用或与对于其他实施方案而描述的特征、特性和/或元件组合使用，除非另外具体指明。因此，本领域技术人员应理解在不背离权利要求所述的本发明的精神和范围的情况下，可以进行形式和细节的各种改变。当前第1页12