1.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底包括阵列区域；
在所述衬底表面形成第一掩膜层，所述第一掩膜层内形成有若干平行排列的长条状图形，用于在所述衬底的阵列区域内形成若干平行排列的长条状的连续有源区；
在所述第一掩膜层上形成第二掩膜层，所述第二掩膜层内形成有若干第一图形和若干第二图形，所述若干第一图形阵列排布且与所述长条状图形交叠，用于在衬底内形成分割沟槽，将所述连续有源区分割为若干独立的阵列排布的分立有源区，所述若干第二图形覆盖部分长条状图形的端部，用于去除被所述第一图形分割后，位于部分连续有源区端部的小于所述分立有源区长度的次有源区；
以所述第一掩膜层和第二掩膜层为掩膜，逐层刻蚀至所述衬底内，将所述长条状图形、所述第一图形以及所述第二图形传递至所述衬底内，形成若干分立且阵列排布的分立有源区。
2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述长条状图形采用双重图形化方法形成。
3.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述若干第一图形包括中心第一图形和外围第一图形，所述外围第一图形为最外圈的第一图形，所述中心第一图形位于所述外围第一图形内侧，所述外围第一图形沿长条状图形长度方向向外延伸，使得所述外围第一图形的尺寸大于所述中心第一图形的尺寸。
4.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，位于最外围的分割沟槽尺寸大于其他位置处的分割沟槽尺寸。
5.根据权利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述衬底还包括包围所述阵列区域的外围区域，所述第二掩膜层内还形成有位于衬底的外围区域上且包围所有所述长条状图形的第三图形，所述第三图形用于在衬底的外围区域内形成包围所述阵列区域的外围沟槽。
6.根据权利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述外围沟槽朝向所述阵列区域一侧的侧壁为曲面。
7.根据权利要求5所述的形成方法，其特征在于，还包括：在所述分割沟槽与所述外围沟槽内填充绝缘材料，形成浅沟槽隔离结构。
8.一种存储器，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底包括阵列区域；
所述阵列区域内形成有若干分立且阵列排布的分立有源区；
所述各个分立有源区通过浅沟槽隔离结构隔离，其中至少部分最外围浅沟槽隔离结构在所述分立有源区长度方向上的尺寸大于其他位置的浅沟槽隔离结构在所述分立有源区长度方向上的尺寸。
9.根据权利要求8所述的存储器，其特征在于，所述衬底还包括包围所述阵列区域的外围区域，所述外围区域内形成有外围浅沟槽隔离结构，所述外围浅沟槽隔离结构围绕所述阵列区域设置。
10.根据权利要求9所述的存储器，其特征在于，所述分立有源区与所述外围区域之间通过浅沟槽隔离结构隔离。
11.根据权利要求9所述的存储器，其特征在于，所述外围浅沟槽隔离结构朝向所述阵列区域一侧的侧壁为曲面。
12.根据权利要求9所述的存储器，其特征在于，所述外围浅沟槽隔离结构与所述阵列区域之间具有一定间距。